王琴
- 作品数：6 被引量：12H指数：2
- 供职机构：河北工学院更多>>
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- 未掺杂LECSIGaAs中总EL2浓度及其费米占据函数的分布被引量：8
- 1995年
- 用“多波长红外吸收”的方法测量了未掺杂半绝缘（ＳＩ）ＬＥＣＧａＡｓ中电离的和电中性ＥＬ２浓度径向分布，并由此得到了总ＥＬ２浓度及其费米占据函数（ｆ＿ｎ）的分布，结果表明：电离的、电中性的和总的ＥＬ２及ＥＬ２的费米占据函数均呈不均匀分布，电中性的和总ＥＬ２浓度径向分布均为ｗ形，电中性ＥＬ２Ｗ形径向分布不是由于ｆ＿ｎ的波动。
- 杨瑞霞李光平王琴
- 关键词：EL2红外吸收砷化镓
- 红外透射光谱测量重掺杂化合物半导体裁流子浓度方法的研究
- 1992年
- 本文报道了用红外透射光谱测量重掺杂化合物半导体n-GaAs和n-InP 载流子浓度的研究结果.给出了载流于浓度N和透射光谱截止波长λ_c的关系曲线,对应的经验公式为:对于 n-GaAs,N=1.09 × 10^(21)λ_c^(3.0623);n-InP,N=3.58 × 10^(20)λ_c^(-2.6689).本方法载流子浓度测量范围为 1.0×10^(17)≤N≤2.0 ×10^(19)cm^(-3),测量误差 ±10～15％.文中对测量条件进行了讨论,并给出了GaAs:Si样品载流子浓度径向分布的测量结果.
- 何秀坤王琴李光平阎萍汝琼娜李晓波
- 关键词：半导体载流子光谱
- 半绝缘GaAs中EL2能级低温精细结构和光猝灭效应
- 1989年
- 本研究采用近红外光谱法和低温测量技术,获得了EL2能级的心内跃迁特征光谱和包括6个小峰的精细结构。探讨了心内跃迁与横向声学(TA)声子的耦合机理,系统观察了它的光猝灭效应,提出亚稳态模型,得出了由10K升温过程EL2能级近红外吸收与温度的依赖关系,确定了115K为亚稳态恢复至稳态的最低温度转变点。由实验结果提供的EL2能级内部结构的信息,提出EL2能级的理论模型。
- 李光平何秀坤王琴郑驹阎萍
- 关键词：GAAS
- 硅中碳含量的低温红外光谱测量和碳带的温度特性被引量：3
- 1992年
- 本文报告了硅单晶中替位碳红外吸收带温度特性和光谱分辨率对碳带特征参数影响的研究结果.在 80～310K温度范围,碳带半宽度随测量温度降低而线性减小,吸收系数和峰位分别随温度下降而线性增加和有规律地向高频方向移动;液氮温度时碳带吸收系数较室温增加一倍;低于液氮温度时碳带特征参数不随测量温度而变.不同光谱分辨率(1-4cm^(-1))测量结果表明:碳带吸收系数和半宽度分别随光谱分辨率提高增加和减小.室温和液氮温度碳含量的定量测量,光谱分辨率分别以2cm^(-1)和1cm^(-1)为宜.
- 何秀坤王琴李光平阎萍汝琼娜李晓波
- 关键词：硅碳含量红外光谱
- α—SiN_X：H薄膜热退火释氢特性研究
- 1989年
- 本文介绍了PECVD法制备的α—SiN_x:H薄膜的热退火释氢特性及其红外吸收光谱,在退火温度T≤350℃时,膜中Si-H和N-H健均具有良好的热稳定性;当T≥400℃时,膜中的氢明显逸出,且释氢速度与T和T(?)(衬底温度)密切相关,膜中相对氢含量与退火时间为准近似指数函数,N-H键比Si-H键更容易断裂。
- 何秀坤李光平王琴郑驹阎萍
- 关键词：热稳定性
- NTD CZ-Si708cm^(-1)、742cm^(-1)、776cm^(-1)中照缺陷红外吸收带特性被引量：1
- 1991年
- 本文报道了NTD CZ-Si 708cm^(-1)、742cm^(-1)、776cm^(-1)中照缺陷红外吸收带退火特性和温度特性的研究结果.三个带产生的退火温度为350℃-550℃,500℃退火效应最明显,峰强达到最大值;10-95K变温测量峰位频移为零.10-60K时,峰强随温度升高而平缓增加,60K时达到最大值.在60-95K温区,峰强随温度升高而迅速下降,至100K时已全部消失.
- 何秀坤王琴李光平
- 关键词：硅退火
