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冯玢

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：天津电子材料研究所更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

机构

  • 1篇天津电子材料...

作者

  • 1篇郑庆瑜
  • 1篇冯玢
  • 1篇孙毅之

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇1998
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
剥离霍尔技术分析与实用中的问题被引量：1
1998年
根据剥离霍尔技术的物理基础，分析了范德堡测试结构中薄膜材料在逐层测量时F因子发生变化的可能原因，主要归因于被测样品存在导电层厚度和电阻率不均匀性所致。而实验表明，采用阳极氧化技术控制膜厚的不均匀性可小于10％，因此导致F因子变化的主因是ρ（x，y）和θH（x，y）的存在。实验分析了F因子随深度的改变对纵向分布测量结果的影响，指出，当F因子随深度改变时，分析结果应该镇用；在作剥离霍尔测量时加测F因子是必要的，以作为利用分析结果的参考。
孙毅之冯玢郑庆瑜
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