郑庆瑜
- 作品数：8 被引量：12H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 相关领域：天文地球电子电信理学农业科学更多>>
- 半绝缘砷化镓的光淬灭对TSC的影响
- 2000年
- 实验研究了SI-GaAs材料中的EL2能级光淬灭对TSC谱的影响。EL2能级显著光淬灭后 ,TSC谱发生了明显的变化。一些TSC峰的高度明显降低甚至消失 ,在低温端TSC谱出现一些新的峰。
- 王良郑庆瑜孙毅之
- 关键词：热激电流砷化镓
- X荧光光谱在溅射工艺研究中的应用
- 2009年
- 本文结合X荧光光谱讨论半导体材料镍欧姆接触电极的溅射工艺,形成的工艺流程短、效率高,方便获得更好的欧姆接触。
- 董彦辉李光平郑庆瑜
- 关键词：镍电极
- 半绝缘砷化镓的热激电流谱测量被引量：3
- 2002年
- 本文介绍了热激电流谱(TSC)测试方法,测量了SI-GaAs材料的TSC特征谱图。并对SI-GaAs的深能级中心的行为进行了初步的分析。
- 王良郑庆瑜
- 关键词：半绝缘砷化镓
- 剥离霍尔技术分析与实用中的问题被引量：1
- 1998年
- 根据剥离霍尔技术的物理基础，分析了范德堡测试结构中薄膜材料在逐层测量时F因子发生变化的可能原因，主要归因于被测样品存在导电层厚度和电阻率不均匀性所致。而实验表明，采用阳极氧化技术控制膜厚的不均匀性可小于10％，因此导致F因子变化的主因是ρ（x，y）和θH（x，y）的存在。实验分析了F因子随深度的改变对纵向分布测量结果的影响，指出，当F因子随深度改变时，分析结果应该镇用；在作剥离霍尔测量时加测F因子是必要的，以作为利用分析结果的参考。
- 孙毅之冯玢郑庆瑜
- X射线荧光法快速测定硅铝合金中的硅含量被引量：5
- 2005年
- 本文介绍采用X射线荧光法测定硅铝合金中硅含量的方法及相关条件,并对测量结果精度进行分析。本方法具有样品前期处理简便、干扰因素小,且快速、准确等特点。
- 董彦辉李光平郑庆瑜
- 关键词：硅铝合金硅
- X荧光更换X光管后定量测试方法研究
- 2011年
- 本文介绍采用X射线荧光光谱仪在更换X光管后,经过测试及数据处理,可以采用之前X光管测试的样品做标样,然后对新样品进行测试,而不用新的标样。结果表明,该方法定量准确、干扰因素小,可以大大节约制作标样的时间及成本。
- 董彦辉李光平郑庆瑜
- X射线荧光法快速测定蒙脱石(固态)中的铝含量被引量：3
- 2011年
- 本文介绍采用X射线荧光法测定蒙脱石中铝含量的方法及相关条件,并对测量结果精度进行分析。本方法具有样品前期处理简单、干扰因素小,且快速、准确等特点。
- 董彦辉李光平郑庆瑜
- 关键词：X蒙脱石铝
- 热激电流(TSC)测量系统及应用
- 热激电流测试方法，并用该方法测量了ＳＩ－ＧａＡｓ材料的ＴＳＣ特征谱图。同时对ＳＩ－ＧａＡｓ的深能级中心的行为进行了初步的分析。
- 郑庆瑜王良孙毅之
- 关键词：热激电流SI-GAAS
