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李光平

作品数：12 被引量：13H指数：3
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信天文地球理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 6篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇天文地球
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇农业科学

主题

  • 4篇砷化镓
  • 4篇半导体
  • 3篇半导体材料
  • 2篇荧光谱
  • 2篇自动测量
  • 2篇化合物半导体
  • 2篇光谱
  • 2篇光荧光
  • 2篇光荧光谱
  • 2篇半绝缘
  • 2篇硅
  • 2篇碳
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶材料
  • 1篇电极
  • 1篇荧光
  • 1篇熔体
  • 1篇碳含量
  • 1篇镍电极
  • 1篇自动测量技术

机构

  • 12篇中国电子科技...
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 12篇李光平
  • 5篇董彦辉
  • 4篇汝琼娜
  • 4篇郑庆瑜
  • 3篇李静
  • 3篇何秀坤
  • 1篇孙聂枫
  • 1篇董颜辉
  • 1篇孙同年
  • 1篇任殿胜
  • 1篇杨光耀
  • 1篇周晓龙
  • 1篇刘二海
  • 1篇徐永强
  • 1篇严如岳
  • 1篇安娜
  • 1篇谢德良
  • 1篇周智慧

传媒

  • 5篇现代仪器
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇第五届华北、...
  • 1篇中国电子学会...
  • 1篇中国电子学会...
  • 1篇中国有色金属...
  • 1篇第一届电子工...

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2011
  • 1篇2009
  • 1篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇1998
  • 2篇1993
  • 1篇1991
  • 1篇1990
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
近代低温FT-IR技术及其在半导体分析中的应用
李光平何秀坤王琴
关键词：半导体材料
X射线荧光法快速测定硅铝合金中的硅含量被引量：5
2005年
本文介绍采用X射线荧光法测定硅铝合金中硅含量的方法及相关条件,并对测量结果精度进行分析。本方法具有样品前期处理简便、干扰因素小,且快速、准确等特点。
董彦辉李光平郑庆瑜
关键词：硅铝合金硅
Na_2S钝化的GaAs表面光荧光特性的研究
2003年
本文用RPM2050型快速扫描光荧光谱仪(PL Mapper)研究经过Na2S.9H2O醇饱 和溶液钝化处理后GaAs表面的光荧光特性。结果表明,GaAs表面经过硫钝化处理后,可 大大降低复合速度改善发光效率。
李静任殿胜李光平严如岳汝琼娜董颜辉
关键词：砷化镓发光效率光荧光谱化合物半导体
半绝缘砷化镓中EL2浓度的自动测量技术
本文介绍了使用通用计算机外部控制PE Lambda—9分光光度计,形成了数据处理工作站,利用此工作站与样品架微动装置组成了一套自动测量半绝缘砷化镓中EL浓度微区分布的测试系统。
李光平李静汝琼娜
关键词：半绝缘砷化镓自动测量系统
文献传递
Ｓｉ－ＧａＡｓ中ＥＬ２浓度微区分布自动测量系统研究
李光平汝琼娜
关键词：砷化镓半导体材料半绝缘体微区分析
X荧光光谱在溅射工艺研究中的应用
2009年
本文结合X荧光光谱讨论半导体材料镍欧姆接触电极的溅射工艺,形成的工艺流程短、效率高,方便获得更好的欧姆接触。
董彦辉李光平郑庆瑜
关键词：镍电极
X荧光更换X光管后定量测试方法研究
2011年
本文介绍采用X射线荧光光谱仪在更换X光管后,经过测试及数据处理,可以采用之前X光管测试的样品做标样,然后对新样品进行测试,而不用新的标样。结果表明,该方法定量准确、干扰因素小,可以大大节约制作标样的时间及成本。
董彦辉李光平郑庆瑜
X射线荧光法快速测定蒙脱石(固态)中的铝含量被引量：3
2011年
本文介绍采用X射线荧光法测定蒙脱石中铝含量的方法及相关条件,并对测量结果精度进行分析。本方法具有样品前期处理简单、干扰因素小,且快速、准确等特点。
董彦辉李光平郑庆瑜
关键词：X蒙脱石铝
近代低温FT-IR技术及其在半导体分析中的应用
李光平何秀坤王琴
关键词：半导体化学硅氧砷化镓碳
富磷熔体中生长的φ100 mm掺硫InP单晶研究被引量：5
2004年
采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的磷化铟 (In P)熔体 ,并利用液封直拉法 (LEC)生长出了 1 0 0 mm In P掺硫单晶材料。对富磷单晶分别用快速扫描光荧光谱技术、腐蚀金相法和扫描电镜进行了研究。结果表明在富磷量足够大的情况下 ,晶片上会出现孔洞 ,并对孔洞周围位错的形成原因及分布进行了分析。 1 0 0 mm In P单晶的平均位错密度也没有明显的增加 ,为今后生长更大尺寸的完整 In
周晓龙安娜孙聂枫徐永强杨光耀谢德良刘二海李光平周智慧董彦辉孙同年
关键词：位错密度
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