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吴迪

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：江苏宏微科技股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇双极晶体管
  • 3篇欧姆接触
  • 3篇外延型
  • 3篇晶体管
  • 3篇精确控制
  • 3篇绝缘栅
  • 3篇绝缘栅双极晶...
  • 3篇开关特性
  • 3篇空穴
  • 3篇发射区
  • 2篇淀积
  • 2篇氧化炉
  • 2篇外延层
  • 2篇金属阳极
  • 2篇金属阴极
  • 2篇刻蚀
  • 2篇光刻
  • 2篇硅片
  • 2篇硅片表面
  • 2篇MOS器件

机构

  • 8篇江苏宏微科技...

作者

  • 8篇吴迪
  • 7篇张景超
  • 7篇刘利峰
  • 7篇戚丽娜
  • 7篇林茂
  • 5篇赵善麒
  • 1篇王晓宝
  • 1篇周锦源
  • 1篇贺东晓

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 4篇2012
  • 1篇2011
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
新型绝缘栅双极晶体管背面结构及其制备方法
本发明涉及一种新型绝缘栅双极晶体管背面结构，在绝缘栅双极晶体管硅片背面从里至外依次连接有N型第二阻挡区、P型第二发射区、N型第一阻挡区以及P型第一发射区和集电极，其中，所述N型第二阻挡区的厚度在0～10μm，P型第二发射...
戚丽娜张景超刘利峰赵善麒林茂吴迪
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外延型快速恢复二极管及其制备方法
本发明提供一种外延型快速恢复二极管（FRED）及其制备方法，属于功率器件技术领域。该FRED的用于形成PN结的阳极区的P型半导体掺杂层包括第一P型半导体区域、第二P型半导体区域以及第三P型半导体区域，所述第一P型半导体区...
贺东晓吴迪王晓宝周锦源
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MOS器件栅极孔的制作方法
本发明涉及一种MOS器件栅极孔的制作方法，按以下步骤进行，将清洁处理后的硅片放入氧化炉内进行第一氧化处理，形成第一氧化层；在光刻场环区窗口，并在场环区注入离子和推结在场环区窗口内的栅极孔区域内留下一条凸起部分的第一氧化层...
张景超吴迪林茂戚丽娜刘利峰赵善麒
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新型绝缘栅双极晶体管背面结构
本实用新型涉及一种新型绝缘栅双极晶体管背面结构，在绝缘栅双极晶体管硅片背面从里至外依次连接有N型第二阻挡区、P型第二发射区、N型第一阻挡区以及P型第一发射区和集电极。本实用新型将原背结构P型级发射区转变为P/N/P/N<...
戚丽娜张景超刘利峰赵善麒林茂吴迪
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新型绝缘栅双极晶体管背面结构及其制备方法
本发明涉及一种新型绝缘栅双极晶体管背面结构，在绝缘栅双极晶体管硅片背面从里至外依次连接有N型第二阻挡区、P型第二发射区、N型第一阻挡区以及P型第一发射区和集电极，其中，所述N型第二阻挡区的厚度在0～10μm，P型第二发射...
戚丽娜张景超刘利峰赵善麒林茂吴迪
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快恢复外延型二极管
本实用新型涉及一种快恢复外延型二极管，包括依次相连接的金属阴极层、N+衬底硅片、N型外延层、P型外延层和P+型外延层，且终端台面上具有台面硅槽，台面硅槽穿过P+型外延层和P型外延层并延伸至N型外延层内，设置在台面硅槽内的...
刘利峰张景超吴迪林茂戚丽娜
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快恢复外延型二极管及其制备方法
本发明涉及一种快恢复外延型二极管，包括依次相连接的金属阴极层、N+衬底硅片、第一外延层、第二外延层和第三外延层，台面硅槽贯穿在第三外延层并延伸至第二外延层内，设置在台面硅槽内的玻璃钝化层延伸至第三外延层顶面，且玻璃钝化层...
刘利峰张景超吴迪林茂戚丽娜
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MOS器件栅极孔的制作方法
本发明涉及一种MOS器件栅极孔的制作方法，按以下步骤进行，将清洁处理后的硅片放入氧化炉内进行第一氧化处理，形成第一氧化层；在光刻场环区窗口，并在场环区注入离子和推结在场环区窗口内的栅极孔区域内留下一条凸起部分的第一氧化层...
张景超吴迪林茂戚丽娜刘利峰赵善麒
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