苟昌华
- 作品数：4 被引量：9H指数：2
- 供职机构：吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 电极缓冲层对IGZO薄膜晶体管性能影响的研究
- 自从2004年，K. Nomura等人报道以铟镓锌氧化物半导体为有源层的铟镓锌氧化物薄膜晶体管（InGaZnO Thin Film Transistor, IGZO TFT）以来，IGZOTFT就以场效应迁移率高（≥10...
- 苟昌华
- 关键词：接触电阻缓冲层
- 文献传递
- 未退火InGaZnO作为缓冲层的InGaZnO薄膜晶体管性能研究被引量：5
- 2015年
- 铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO TFT)因具有场效应迁移率高,大面积均匀性好,无定型态等特点,被认为是显示器朝着大尺寸、柔性化方向发展的新型背板技术。源漏电极与有源层之间的接触氧化会增大器件的接触电阻,从而导致器件的性能降低。利用未退火IGZO具有氧含量低、氧空位多、电导率高的特点,提出采用未退火IGZO作为源漏电极缓冲层,以减少源漏电极与有源层之间的接触氧化。研究发现插入4nm未退火IGZO缓冲层时,相对于未采用缓冲层的器件,其饱和区场效应迁移率提高了11.6%,阈值电压降低了3.8V,器件性能有所提高。此外,该方法还可以在原位退火之后继续使用与有源层相同的材料溅射生长缓冲层,能够使得在采用矩形靶溅射方式的工业生产中,制备缓冲层工艺更加简单。
- 苟昌华武明珠郭永林杨永强关晓亮段羽王红波
- 关键词：薄膜晶体管INGAZNO接触电阻缓冲层
- Al_2O_3沉积功率对共溅射Al-Zn-Sn-O薄膜晶体管性能的影响被引量：1
- 2015年
- 我们采用与现有工业生产相兼容的磁控溅射工艺,利用三靶磁控共溅射的方式制得了非晶AZTO(Al-Zn-SnO)薄膜,薄膜在波长550 nm处的透过率均在85%以上。然后,制备了以AZTO薄膜为有源层的薄膜晶体管。通过调节Al2O3沉积功率,进一步探究了Al2O3含量对AZTO薄膜晶体管性能的影响。研究发现,随着Al2O3沉积功率的增加,器件的迁移率逐渐下降,阈值电压升高,但是器件的关态电流显著降低,开关比提高。当Al2O3沉积功率为20 W时,获得了最好的转移特性曲线,其迁移率为2.43 cm2/V·s,开关比为1.9*105,阈值电压为26.6 V。
- 武明珠郭永林苟昌华关晓亮王红波
- 关键词：薄膜晶体管
- 面向短距离有机光纤通信系统的红光OLED的研究被引量：3
- 2015年
- OLED的高响应速率的特点可以作为电/光转换器件应用到通信领域,尤其是红色有机电致发光器件(ROLED)与聚合物光纤(POF)低损耗窗口相匹配,可以与有机光探测器(OPD)共同集成到POF上。为了提高传输功率和传输距离,要求通信光源具有高输出功率,面向短距离局域网络有机光纤通信系统设计一组基于染料Ir(piq)2acac不同结构的R-OLED,其中混合母体中间层结构相比于单发光层器件,最大电流效率提高了66%。提出的结构可以有效提高器件效率,结合新材料可以得到更高输出功率信号源。
- 关晓亮梁续旭武明珠苟昌华
- 关键词：光纤通信技术红色有机电致发光器件
