郭永林
- 作品数：6 被引量：16H指数：3
- 供职机构：吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于载流子平衡的效率及亮度提高的有机蓝光器件被引量：4
- 2015年
- 研究了在两空穴传输层之间插入Bphen中间层对有机蓝光器件(BOLEDs)效率的影响。结果表明,其对空穴的阻挡作用使得电子与空穴在发光区内达到相对平衡,减少了激子-极化子猝灭几率,从而提高了有机蓝光器件的效率和亮度。器件的最大电流效率从16.12 cd/A增加到20.52 cd/A,相对提高了27.30%;最大功率效率从14.23 lm/W增加到17.64 lm/W,相对提高了23.96%。文中对提高效率的物理机制进行了详细的阐述。
- 穆晓龄曲加伟郭永林梁续旭赵毅
- 关键词：载流子平衡
- Al_2O_3沉积功率对共溅射Al-Zn-Sn-O薄膜晶体管性能的影响被引量：1
- 2015年
- 我们采用与现有工业生产相兼容的磁控溅射工艺,利用三靶磁控共溅射的方式制得了非晶AZTO(Al-Zn-SnO)薄膜,薄膜在波长550 nm处的透过率均在85%以上。然后,制备了以AZTO薄膜为有源层的薄膜晶体管。通过调节Al2O3沉积功率,进一步探究了Al2O3含量对AZTO薄膜晶体管性能的影响。研究发现,随着Al2O3沉积功率的增加,器件的迁移率逐渐下降,阈值电压升高,但是器件的关态电流显著降低,开关比提高。当Al2O3沉积功率为20 W时,获得了最好的转移特性曲线,其迁移率为2.43 cm2/V·s,开关比为1.9*105,阈值电压为26.6 V。
- 武明珠郭永林苟昌华关晓亮王红波
- 关键词：薄膜晶体管
- 基于mCP与UGH2为母体的双发光层高效率蓝色磷光OLED被引量：1
- 2015年
- 以9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑(m CP)和1,4-二(三苯甲硅烷基)苯(UGH2)为母体,将常用的蓝光染料二(3,5-二氟-2-(2-吡啶)苯基-(2-吡啶甲酸根))合铱(Ⅲ)(FIrpic)掺入这两种母体材料中,制得具有双发光层结构的蓝色磷光有机电致发光器件,并对整个物理机制进行了阐述。该器件较基于m CP或UGH2为母体的单发光层器件有着更高的器件效率。器件的最大电流效率、功率效率、外量子效率分别为21.13 cd/A、14.97 lm/W、10.56%。器件亮度从100 cd/m2到3 000 cd/m2时,效率滚降为34.2%。
- 梁续旭曲加伟郭永林穆晓龄吴宇坤赵毅
- 关键词：有机电致发光器件
- 低效率滚降、光谱稳定的蓝光有机发光器件
- 2015年
- 将多个(Ir(ppz)3∶FIrpic,1 nm)薄层对称地插入发光区(m CP∶FIrpic)中形成周期性结构,研究了该结构对蓝光有机发光器件性能的影响。结果表明,这种结构有效地抑制了发光区位置的漂移,减小了效率滚降,提高了光谱的稳定性;同时增强了载流子的直接俘获复合,提高了器件的效率。相对于无周期性发光层结构的器件,最大电流效率从16.55 cd/A提高到20.70 cd/A,最大功率效率从14.85 lm/W提高到16.26 lm/W,效率滚降改善了40%。
- 曲加伟穆晓龄梁续旭郭永林赵毅
- 未退火InGaZnO作为缓冲层的InGaZnO薄膜晶体管性能研究被引量：5
- 2015年
- 铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO TFT)因具有场效应迁移率高,大面积均匀性好,无定型态等特点,被认为是显示器朝着大尺寸、柔性化方向发展的新型背板技术。源漏电极与有源层之间的接触氧化会增大器件的接触电阻,从而导致器件的性能降低。利用未退火IGZO具有氧含量低、氧空位多、电导率高的特点,提出采用未退火IGZO作为源漏电极缓冲层,以减少源漏电极与有源层之间的接触氧化。研究发现插入4nm未退火IGZO缓冲层时,相对于未采用缓冲层的器件,其饱和区场效应迁移率提高了11.6%,阈值电压降低了3.8V,器件性能有所提高。此外,该方法还可以在原位退火之后继续使用与有源层相同的材料溅射生长缓冲层,能够使得在采用矩形靶溅射方式的工业生产中,制备缓冲层工艺更加简单。
- 苟昌华武明珠郭永林杨永强关晓亮段羽王红波
- 关键词：薄膜晶体管INGAZNO接触电阻缓冲层
- Al_2O_3薄层修饰SiN_x绝缘层的IGZO-TFTs器件的性能研究被引量：6
- 2015年
- 采用原子层沉积工艺(ALD)生长均匀致密的三氧化二铝(Al2O3)薄层对氮化硅(Si Nx)绝缘层进行修饰,研究了铟镓锌氧薄膜晶体管(IGZO-TFTs)器件的性能。当Al2O3修饰层厚度为4 nm时,绝缘层-有源层界面的最大缺陷态密度相比于未修饰器件降低了17.2%,器件性能得到显著改善。场效应迁移率由1.19 cm2/(V·s)提高到7.11 cm2/(V·s),阈值电压由39.70 V降低到25.37 V,1 h正向偏压应力下的阈值电压漂移量由2.19 V减小到1.41 V。
- 郭永林梁续旭胡守成穆晓龄曲加伟王红波赵毅
- 关键词：三氧化二铝
