陈佳楣
- 作品数：8 被引量：3H指数：1
- 供职机构：天津职业技术师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 一种NiO:Ag/TiOx异质pn结二极管
- 本发明公开了一种NiO:Ag/TiOx异质pn结二极管，至少包括pn结和欧姆接触电极，所述pn结在Si衬底上生长p型NiO:Ag薄膜以及n型TiOx薄膜得到异质pn结。本发明利用磁控溅射工艺在Si衬底上制备NiO:Ag/...
- 李彤王铁钢陈佳楣
- 文献传递
- 氧气含量对射频磁控溅射方法制备的NiO∶Cu/ZnO异质pn结的光电性能的影响被引量：1
- 2016年
- 利用磁控溅射方法改变氧气含量制备了一系列NiO∶Cu/ZnO异质pn结。实验结果表明,氧含量对NiO∶Cu/ZnO异质pn结电学影响很大。相对于纯氩溅射,引入一定氧气(O2/(Ar+O2)比例为30%)后,NiO∶Cu/ZnO异质pn结的整流特性明显得到改善。与此同时,NiO∶Cu/ZnO异质pn结的光透过率也从40%增大到80%。这可能是由于氧气的轻量引入致使NiO∶Cu/ZnO异质pn结的结晶得到改善,薄膜内缺陷减少所致。进一步提高氧气含量,直到O2/(Ar+O2)比例至80%后,异质结的整流特性有所削弱,这可能是由于过多氧气的引入造成薄膜缺陷再次增多,进而影响到异质结的整流特性。这一结论得到了EDS、XRD、AFM和UV结果的支持。
- 李彤EVARIST Mariam王铁钢陈佳楣范其香倪晓昌赵新为
- 关键词：NIOCU掺杂磁控溅射整流特性
- 一种NiO:Ag/TiOx异质pn结二极管
- 本发明公开了一种NiO:Ag/TiOx异质pn结二极管，至少包括pn结和欧姆接触电极，所述pn结在Si衬底上生长p型NiO:Ag薄膜以及n型TiOx薄膜得到异质pn结。本发明利用磁控溅射工艺在Si衬底上制备NiO:Ag/...
- 李彤王铁钢陈佳楣
- 文献传递
- 衬底温度对NiO：Cu/ZnO异质pn结的光电性能影响被引量：2
- 2016年
- 利用磁控溅射方法改变衬底温度,制备了一系列NiO:Cu/ZnO异质pn结。实验结果表明,当衬底温度从室温升高到300℃时,NiO:Cu/ZnO异质pn结的整流特性明显得到改善;与此同时,NiO:Cu/ZnO异质pn结的光学透过率也从40%增大到80%。这可能是由于NiO:Cu薄膜结晶质量改善,薄膜内缺陷减少所致。继续增加衬底温度至400℃,异质结的整流特性有所削弱,这可能是由于生长在异质结下层的NiO:Cu薄膜影响了其上ZnO薄膜的生长,进而影响到异质结的整流特性。这一结论,得到X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和紫外(UV)谱测试结果的支持。
- 李彤王铁钢陈佳楣倪晓昌Evarist Mariam赵新为
- 关键词：NIOCU掺杂磁控溅射整流特性
- N掺杂对ZnO∶Mn薄膜结构特性的影响
- 2015年
- Mn掺杂ZnO(以下简称ZnO∶Mn)稀磁半导体的磁性根源之一来源于晶体内部的晶化程度及晶格畸变。本文利用磁控溅射方法在玻璃衬底上室温沉积了ZnO、ZnO∶Mn以及Mn和N共掺杂(以下简称ZnO∶(Mn,N))薄膜。同时结合XRD衍射谱、SEM图和Raman光谱分析了掺入Mn和N元素后ZnO薄膜的结构变化。Raman光谱结果显示,在引入Mn元素以及进一步引入N元素后,薄膜内对应于E2(high)振动模式的Raman特征峰始终保持,说明ZnO、ZnO∶Mn以及ZnO∶(Mn,N)薄膜一直是六角纤锌矿结构。拟合的Raman特征峰显示由于Mn和N元素引入而引起的局域振动峰,暗示Mn和N元素已经进入薄膜内部。此外,Mn引入到ZnO薄膜后,Raman结果显示对应于E2(high)振动模式的特征峰左移,说明Mn元素的引入并没有破坏薄膜内六角纤锌矿结构,但是该结构的畸变更大,这可能是Mn进入ZnO晶格内部,并对Zn进行替代造成的。这一结果也得到了XRD测试显示的(002)衍射峰左移的支持。N掺入后影响了Mn在薄膜内的含量,使得薄膜内Mn含量减少,进而引起晶格缺陷也随之减少。
- 李彤王铁刚陈佳楣倪晓昌
- 关键词：ZNOMN拉曼稀磁半导体
- 一种NiO:Al/ZnO异质pn结二极管
- 本发明公开了一种NiO:Al/ZnO异质pn结二极管，至少包括pn结和欧姆接触电极，所述pn结在Si衬底上生长p型NiO:Al薄膜以及n型ZnO薄膜得到异质pn结。本发明利用磁控溅射工艺在Si衬底上制备NiO:Al/Zn...
- 李彤陈佳楣王达夫
- 文献传递
- PSPICE中新型器件忆阻器的建立
- 2016年
- 针对神经网络难以用硬件设备实现、且软件实现比较耗时的问题,分析了忆阻器的特性及内部机理,采用PSPICE软件对忆阻器进行了研究。忆阻器是除电阻、电感和电容之外的第4种基本无源电子器件,其阻值随流经它的电荷量变化而变化,在断开电流时保持其阻值不变,有记忆电阻的性质,可应用于工程方面。本文通过PSPICE语句描述了忆阻器的内部结构,使用子电路的方法构建了忆阻器模型,仿真验证了器件具有忆阻的特性。
- 李彤陈佳楣刘真真Mariam王铁钢范其香
- 关键词：子电路PSPICE
- 一种NiO:Na/TiOx异质pn结二极管
- 本发明公开了一种NiO:Na/TiOx异质pn结二极管，至少包括pn结和欧姆接触电极，所述pn结在Si衬底上生长p型NiO:Na薄膜以及n型TiOx薄膜得到异质pn结。本发明利用磁控溅射工艺在Si衬底上制备NiO:Na/...
- 李彤王铁钢陈佳楣
- 文献传递
