朱特
- 作品数：13 被引量：10H指数：2
- 供职机构：中国科学院高能物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金湖北省教育厅科学技术研究项目更多>>
- 相关领域：金属学及工艺一般工业技术理学核科学技术更多>>
- 铁冷轧形变以及热处理对形变缺陷的影响
- 采用常用冷轧设备对铁进行冷轧引入形变缺陷。研究形变量和温度对形变缺陷的影响。形变样品中的微观缺陷、物相结构和形貌分别使用正电子湮没技术(PAT)、X射线衍射仪(XRD)和透射电子显微镜(TEM)进行表征分析。对经过673...
- 龚毅豪靳硕学卢二阳况鹏朱特曹兴忠王宝义
- 关键词：铁X射线衍射
- 奥氏体316不锈钢中位错与氢的相互作用机理被引量：2
- 2021年
- 对冷变形引入位错缺陷的奥氏体316不锈钢进行电化学充氢实验,采用正电子湮没谱学和热脱附谱仪对样品的氢致缺陷和充氢含量进行实验分析,研究位错对氢致缺陷的形成及氢在材料中滞留行为的作用。结果表明,充氢后正电子湮没Doppler展宽能谱的S参数增大,形变样品的S参数变化更为明显,表明形变样品充氢后形成了大量的空位型缺陷,而且H原子有可能在位错附近聚集形成大量开体积缺陷。S-W曲线显示充氢后正电子湮没参数向近表面移动,反映了样品中位错缺陷对H原子扩散行为的抑制作用,分析表明,充氢过程中氢与空位(V)结合形成H_(m)V_(n)(n>m)复合体的过程优先于空位缺陷的形成过程。热脱附谱结果显示,氢从位错中的脱附激活能增加,位错的存在使氢的滞留量增加。
- 安旭东朱特王茜茜宋亚敏刘进洋张鹏张钊宽万明攀曹兴忠
- 关键词：位错
- 金属/合金材料吸附气体的热脱附研究进展被引量：1
- 2015年
- 研究金属/合金材料中气体原子的迁移、聚集和成泡机制,通常以研究微观缺陷捕获气体原子的微观机制为出发点,分析气体原子与缺陷的相互作用,已成为研究材料中气体原子热动力学机制的一个主要课题。热脱附谱仪(thermal desorption spectroscopy,TDS)采用原子质谱分析技术测量材料表面吸附气体的热脱附量随温度变化,获取气体元素原子与空位、位错等微观缺陷的结合能,以及气体原子/气泡的迁移能、热脱附能等热力学参数,从而研究材料中不同微观缺陷捕获气体原子以及气泡形成的微观机理。充分调研了国内外应用TDS技术研究金属/合金材料中气体元素与微观缺陷相互作用机理的最新进展,特别是应用TDS技术研究反应堆结构材料中辐照嬗变气体产物氢/氦与辐照缺陷的相互作用。
- 朱特曹兴忠吴建平靳硕学卢二阳龚毅豪赖信张鹏王宝义
- 关键词：热脱附
- 低活化钢中微观缺陷捕获氢/氦行为的研究
- 低活化铁素体/马氏体钢具有较好的抗辐照肿胀性以及良好的机械性能已被列为是未来核聚变堆首选的结构材料，然而在能量高达14MeV的高能中子辐照和氢、氦效应的综合作用下，低活化钢的微观结构和力学性能发生急剧变化，特别是韧/脆转...
- 朱特
- 关键词：辐照损伤
- 正电子湮没谱学在金属材料氢/氦行为研究中的应用被引量：2
- 2020年
- 用于核反应堆的金属结构材料中氢/氦泡的前躯体——(氢/氦)-空位复合体的形成受到温度、辐照剂量等多方面因素的影响,研究其在材料中的形成和演化行为对气泡形核的理解及先进核反应堆材料的发展起着至关重要的作用.然而,受到分辨率的局限,这种原子尺度的微结构很难用电镜等常规方法进行表征,以致于该问题的研究上可利用的数据相对较少.正电子湮没谱学是一种研究材料中微观缺陷的特色表征方法,近些年来慢正电子束流和新型核探测谱仪技术的不断发展以及基于慢束发展起来的多种实验测试方法的改进,使正电子湮没技术应用已拓展到金属材料中氢/氦行为的研究领域,在金属材料表面氢/氦辐照损伤的研究中发挥了重要作用.本文结合国内外相关进展以及本课题组的一些研究成果评述了正电子湮没谱学在金属材料氢氦行为研究中的应用,着重讨论了正电子湮没寿命谱、多普勒展宽谱、符合多普勒展宽三种测量方法在如下金属材料氢/氦行为研究中的优势:1)氢/氦气泡尺寸和浓度的估算;2)高能氢/氦离子辐照损伤缺陷及缺陷的退火、时效的演化行为;3)不同形变程度样品中氢/氦与形变缺陷的相互作用;4)不同能量或剂量氢/氦离子辐照对材料造成的损伤以及氢氦协同作用.
- 朱特曹兴忠
- 关键词：正电子湮没辐照损伤
- 低活化马氏体钢中位错对氦辐照缺陷的影响
- 2023年
- 低活化马氏体钢具有较好的抗辐照性能,然而对其抗辐照机理尚不清楚,特别是嬗变气体存在的情况下辐照缺陷行为非常复杂.本文通过对低活化马氏体钢预形变(10%和20%)后热处理(723 K,1 h)保留位错缺陷,随后对预留位错的样品进行室温氦辐照(50 keV,1×10^(17)He/cm^2),采用同步辐射掠入射X射线衍射、慢正电子多普勒展宽谱和热脱附谱研究了位错与氦辐照缺陷的相互作用及位错对氦原子迁移、热脱附行为的影响.结果表明,高密度位错阻碍了氦和氦空位复合体的扩散,进而减缓了辐照损伤的扩展,这种现象随着位错密度的增大更加明显.低活化马氏体钢在1179 K时发生体心立方结构→面心立方结构相转变,位错密度增加会导致由相转变引起的氦热脱附峰前移.未形变、10%形变、20%形变样品中氦的滞留量分别为10.3%,15.7%,17.9%,表明高密度位错更容易将氦保留到材料内部,反映了位错对氦的滞留起到促进作用.
- 董烨朱特宋亚敏叶凤娇张鹏杨启贵刘福雁陈雨曹兴忠
- 关键词：位错正电子湮没热脱附
- 慢正电子束研究RAFM钢中氢氦协同效应
- 慢正电子束研究了氢/氦辐照后低活化铁素/马氏体钢中缺陷及缺陷-氦/氢复合体的形成、演变过程。本文在450℃辐照温度下进行了三组辐照实验：(i)He2+离子辐照实验，(ii)H+辐照实验， (iii)先He2+离子辐照随后...
- 朱特靳硕学卢二阳龚毅豪郭立平张鹏曹兴忠王宝义
- 关键词：慢正电子束
- 应用正电子湮没谱学对Fe-1.0%Cu合金氢致缺陷的研究被引量：1
- 2018年
- 铁基合金中的氢致缺陷是造成合金机械性能恶化的重要因素之一。氢对材料中微观组织结构的影响,特别是氢致缺陷微观机理的研究是铁基合金的一个基础研究课题。本文主要应用正电子湮没寿命谱(Positron Annihilation Lifetime Spectroscopy,PALS)和符合多普勒谱(Coincidence Doppler Broadening Spectrum,CDB)方法,研究了不同处理条件的Fe-1.0%Cu合金样品充氢过程中氢致缺陷的形成机制、缺陷类型以及氢与缺陷的相互作用及其微观机理等。结果表明,1 073 K高真空热处理和20%形变后723 K退火处理的样品充氢后会产生少量的位错,而1 173 K高真空淬火样品充氢后还会产生少量的空位团,在充氢过程中空位缺陷成为氢的捕获点,并与氢相互作用成为聚集空位的核心而形成空位团。CDB结果还表明,Cu析出物对本文合金样品的氢致缺陷的形成无明显影响。
- 罗见兵张鹏朱特曹兴忠张怀强靳硕学于润升王宝义
- 关键词：位错
- 铁冷轧形变以及热处理对形变缺陷的影响
- 2017年
- 采用常用冷轧设备对铁进行冷轧引入形变缺陷。研究形变量和温度对形变缺陷的影响。形变样品中的微观缺陷、物相结构和形貌分别使用正电子湮没技术(PAT)、X射线衍射仪(XRD)和透射电子显微镜(TEM)进行表征分析。对经过673 K热处理的形变样品前后进行XRD测试,结果显示,随着形变量的增加,样品中晶面方向(200)具有择优生长趋势,673 K热处理后,择优趋势更加明显,同时晶粒的尺寸也增大。利用正电子湮没寿命谱和多普勒展宽能谱对样品中形变缺陷的热力学稳定性进行研究,发现形变引入的空位型缺陷约在673 K回复完毕,723 K后位错缺陷开始回复。
- 龚毅豪靳硕学卢二阳况鹏朱特曹兴忠王宝义
- 关键词：铁X射线衍射
- 硫化温度对ZnS薄膜生长质量的影响被引量：2
- 2017年
- 采用热反应法对玻璃衬底上以磁控溅射制备的Zn薄膜进行硫化,制备出Zn S薄膜。薄膜的微观结构、物相结构和表面形貌分别采用正电子湮没技术(PAT)、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)进行分析和表征。利用慢正电子湮没多普勒展宽对四个不同硫化温度下得到的ZnS薄膜样品中膜层结构缺陷进行研究,测量了薄膜中的空位型微观缺陷的相对浓度,指出445℃硫化样品中正电子注入能量在1.5～4.5 keV后S参数最小,说明该硫化温度下反应生成的ZnS薄膜结构缺陷浓度最小,膜的致密度最高。XRD结果显示薄膜在445℃以上硫化后,呈(111)择优生长趋势。从扫描电镜的结果也可以看出,在445℃硫化后,薄膜的晶粒明显地变得更大、更致密,这是因为ZnS晶胞比Zn晶胞大以及硫化过程中ZnS固相再结晶的缘故。
- 宋力刚朱特曹兴忠张仁刚况鹏靳硕学张鹏龚毅豪王宝义
- 关键词：硫化锌薄膜磁控溅射硫化
