毛德丰
- 作品数：9 被引量：16H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家科技重大专项北京市人才强教计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 功率LED热特性分析被引量：7
- 2009年
- 随着LED功率的升高,热应力对LED的影响越来越显著,过高的结温不但会使器件寿命急剧衰减,还会严重影响LED的峰值波长,光功率,光通量等诸多性能参数。因此精确掌握LED器件的温升规律便成为了提高设备工作可靠性和芯片结构设计的关键所在。本文通过标准电学法对不同颜色的1W功率LED及不同功率的GaN基白光LED的结温和热阻进行了测量,实验结果表明:同种结构LED的温度系数K虽然离散但比较接近,不同结构LED芯片K明显不同;在相同衬底材料,相同芯片结构条件下,LED芯片结温会随芯片功率的增大而升高。并首次进行了变电流下不同功率LED芯片的结温和热阻测量,发现无论功率大小,结温均随热电流的增大而上升,功率越大,上升幅度也越大。随着LED两端所加电流的增大,3W白光LED的热阻呈上升趋势,而1W白光LED的热阻随电流增加基本不变。
- 毛德丰郭伟玲高国沈光地
- 关键词：光电子热阻功率发光二极管
- 一种高Al组分AlGaN薄膜的制备方法
- 本发明公开了一种高Al组分AlGaN薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上生长低温GaN形核层；步骤2：在低温GaN形核层上生长高温GaN缓冲层；步骤3：在高温GaN缓冲层上生长AlGaN连续渐变缓冲层或AlGa...
- 毛德丰李维王维颖金鹏王占国
- 文献传递
- GaN基功率LED高低温特性研究被引量：3
- 2010年
- 首次对自制的GaN基大功率白光和蓝光发光二极管在-30~100°C的温度下进行了在线的光电特性测试,对两种不同LED的正向电压、相对光强、波长、色温等参数随温度变化的关系进行了数据曲线拟合,对比分析了参数变化的原因,以及这些变化对实际应用的影响。结果表明,温度对大功率LED的光电特性有很大影响,通过对比发现白光LED的部分光参数随温度的变化不仅与GaN芯片有关,同时受到荧光粉的影响。低温环境下,要考虑LED的正向电压升高和峰值波长蓝移对应用的影响;而高温条件下要考虑光功率降低和峰值波长红移对应用的影响。
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- 关键词：氮化镓功率发光二极管正向电压峰值波长
- 功率LED结温和热阻在不同电流下性质研究被引量：6
- 2010年
- 通过对不同驱动电流下各种颜色LED结温和热阻测量,发现各种颜色LED的热阻值均随驱动电流的增加而变大,其中基于InGaN材料的蓝光和白光LED工作在小于额定电流下时,热阻上升迅速;驱动电流大于额定电流时,热阻上升速率变缓。其他颜色LED热阻随驱动电流变化速率基本不变。结温也随驱动电流的增加而变大。相同驱动电流下,基于AlGaInP材料的1W红色、橙色LED的结温要低于基于InGaN材料的蓝色、绿色、白色LED的结温。分别用正向电压法和红外热像仪法测量了实验室自制的1 mm×1 mm蓝光芯片结温,比较了两种方法的优缺点。结果表明,电学法测量简单快捷,测量结果可以满足要求。
- 毛德丰郭伟玲高国沈光地
- 关键词：结温热阻驱动电流功率发光二极管
- 高In组分AlInN薄膜的制备方法
- 一种高In组分AlInN薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上生长低温GaN形核层；步骤2：在低温GaN形核层上生长高温GaN缓冲层；步骤3：在高温GaN缓冲层上生长AlInN连续渐变缓冲层；步骤4：在连续渐变缓...
- 李维毛德丰王维颖金鹏王占国
- 文献传递
- AlGaN合金中局域态和极化电场的竞争机制
- 2014年
- 通过MOVPE方法生长了不同Al组分的3块AlxGa1-xN样品,利用稳态光谱和时间分辨光谱对其样品的光学特性进行了分析。鉴于影响氮化物发光性质的极化电场或局域态的单一机制不能充分解释我们的实验现象,提出了局域态-内部极化电场竞争的机制。通过对实验数据的分析,得出如下重要结论:样品PL峰位蓝移的温度起点基本对应于局域态和极化电场起作用的交替点,PL峰位发生蓝移的温度起点与光强-温度曲线的斜率出现明显变化的温度点一致;随着温度的升高,若AlGaN合金样品中PL峰位存在二次蓝移,则说明样品中电场分布不均匀。
- 毛德丰金鹏李维刘贵鹏王维颖王占国
- 关键词：发光强度局域态温度
- 功率LED热学特性研究
- ＜正＞1、引言LED发光机理是电子在能带间跃迁产生光,其产生的热量不能靠辐射发出,故LED是冷光源。当外加电应力作用达到LED芯片的阈值时,电子与空穴的辐射复合发生电致作用将一部分能量转化为光能,而无辐射复合产生的晶格振...
- 毛德丰郭伟玲贾学姣张勇辉高国沈光地
- 关键词：热学特性发光机理LED芯片照明技术发光二极管
- 文献传递
- 提高AlN外延薄膜荧光强度的方法
- 本发明提供了一种提高AlN外延薄膜荧光强度的方法。该方法通过在低压热壁CVD中对AlN外延薄膜在N<Sub>2</Sub>氛围下进行高温退火，使得AlN中的部分原子重新迁移到合适的位置，减小了非辐射复合缺陷，提高了AlN...
- 王维颖毛德丰李维金鹏王占国
- 文献传递
- 提高AlN外延薄膜荧光强度的方法
- 本发明提供了一种提高AlN外延薄膜荧光强度的方法。该方法通过在低压热壁CVD中对AlN外延薄膜在N<Sub>2</Sub>氛围下进行高温退火，使得AlN中的部分原子重新迁移到合适的位置，减小了非辐射复合缺陷，提高了AlN...
- 王维颖毛德丰李维金鹏王占国
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