您的位置： 专家智库 > >

李维

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇荧光
  • 2篇荧光强度
  • 2篇退火
  • 2篇迁移
  • 2篇晶格
  • 2篇晶格失配
  • 2篇缓冲层
  • 2篇高温
  • 2篇高温退火
  • 2篇ALGAN
  • 2篇ALN
  • 2篇衬底
  • 1篇位错
  • 1篇温度
  • 1篇局域
  • 1篇局域态
  • 1篇光强
  • 1篇光强度
  • 1篇合金
  • 1篇发光

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇王维颖
  • 5篇王占国
  • 5篇李维
  • 5篇金鹏
  • 5篇毛德丰
  • 1篇刘贵鹏

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2016
  • 3篇2014
  • 1篇2013
共 5 条 记 录，以下是 1-5
全选 清除 导出
排序方式：
AlGaN合金中局域态和极化电场的竞争机制
2014年
通过MOVPE方法生长了不同Al组分的3块AlxGa1-xN样品,利用稳态光谱和时间分辨光谱对其样品的光学特性进行了分析。鉴于影响氮化物发光性质的极化电场或局域态的单一机制不能充分解释我们的实验现象,提出了局域态-内部极化电场竞争的机制。通过对实验数据的分析,得出如下重要结论:样品PL峰位蓝移的温度起点基本对应于局域态和极化电场起作用的交替点,PL峰位发生蓝移的温度起点与光强-温度曲线的斜率出现明显变化的温度点一致;随着温度的升高,若AlGaN合金样品中PL峰位存在二次蓝移,则说明样品中电场分布不均匀。
毛德丰金鹏李维刘贵鹏王维颖王占国
关键词：发光强度局域态温度
高In组分AlInN薄膜的制备方法
一种高In组分AlInN薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上生长低温GaN形核层；步骤2：在低温GaN形核层上生长高温GaN缓冲层；步骤3：在高温GaN缓冲层上生长AlInN连续渐变缓冲层；步骤4：在连续渐变缓...
李维毛德丰王维颖金鹏王占国
文献传递
一种高Al组分AlGaN薄膜的制备方法
本发明公开了一种高Al组分AlGaN薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上生长低温GaN形核层；步骤2：在低温GaN形核层上生长高温GaN缓冲层；步骤3：在高温GaN缓冲层上生长AlGaN连续渐变缓冲层或AlGa...
毛德丰李维王维颖金鹏王占国
文献传递
提高AlN外延薄膜荧光强度的方法
本发明提供了一种提高AlN外延薄膜荧光强度的方法。该方法通过在低压热壁CVD中对AlN外延薄膜在N<Sub>2</Sub>氛围下进行高温退火，使得AlN中的部分原子重新迁移到合适的位置，减小了非辐射复合缺陷，提高了AlN...
王维颖毛德丰李维金鹏王占国
文献传递
提高AlN外延薄膜荧光强度的方法
本发明提供了一种提高AlN外延薄膜荧光强度的方法。该方法通过在低压热壁CVD中对AlN外延薄膜在N<Sub>2</Sub>氛围下进行高温退火，使得AlN中的部分原子重新迁移到合适的位置，减小了非辐射复合缺陷，提高了AlN...
王维颖毛德丰李维金鹏王占国
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0