2025年1月21日
星期二
|
欢迎来到贵州省图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
刘金龙
作品数:
6
被引量:24
H指数:1
供职机构:
中国科学院半导体研究所
更多>>
发文基金:
国家自然科学基金
更多>>
相关领域:
电子电信
理学
更多>>
合作作者
牛智川
中国科学院半导体研究所
李树深
中国科学院半导体研究所
朱美芳
中国科学技术大学物理学院物理系
董宝中
中国科学院高能物理研究所
郭晓旭
中国科学院半导体研究所
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
2篇
期刊文章
2篇
专利
1篇
学位论文
1篇
会议论文
领域
3篇
电子电信
1篇
理学
主题
4篇
量子
3篇
量子点
2篇
砷化铝
2篇
砷化铟
2篇
砷化镓
2篇
砷化镓衬底
2篇
铟镓砷
2篇
微晶硅
2篇
量子点材料
2篇
INAS/G...
2篇
衬底
1篇
单晶
1篇
单晶硅
1篇
电学
1篇
电学性质
1篇
电致发光
1篇
斯塔克效应
1篇
氢化
1篇
自组织
1篇
微结构
机构
6篇
中国科学院
1篇
内蒙古师范大...
1篇
中国科学技术...
1篇
中国科学院研...
作者
6篇
刘金龙
3篇
牛智川
2篇
李树深
1篇
生文君
1篇
韩和相
1篇
苗振华
1篇
许怀哲
1篇
周炳卿
1篇
澜清
1篇
刘丰珍
1篇
周大勇
1篇
郭晓旭
1篇
封松林
1篇
孔云川
1篇
董宝中
1篇
朱美芳
1篇
朱美芳
传媒
1篇
物理学报
1篇
人工晶体学报
1篇
第十三届全国...
年份
1篇
2007
2篇
2004
1篇
2003
1篇
2002
1篇
1998
共
6
条 记 录,以下是 1-6
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法
一种自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法,包括如下步骤:将砷化镓衬底进行脱氧处理,然后生长砷化镓缓冲层;砷化镓衬底温度;退火后采用循环停顿生长方法,生长出砷化铟量子点;生长厚为一个原子层至5nm的砷化镓;重复3—...
刘金龙
李树深
牛智川
文献传递
垂直累积自组织InAs/GaAs双量子盘的斯塔克效应和光学性质
我们在有效质量近似框架下,采用绝热近似方法、传递矩阵方法对处于外加垂直电场中的该体系进行了理论研究.首先,我们发现外加垂直电场能够改变对应于体系的同一个角量子数的两条电子能级之间的劈裂.当两个量子盘半径相同时,垂直于量子...
刘金龙
关键词:
量子盘
绝热近似
斯塔克效应
高氢稀释制备微晶硅薄膜微结构的研究
被引量:23
1998年
采用高氢稀硅烷热丝化学气相沉积方法制备氢化微晶硅薄膜.其结构特征用Raman谱,红外透射谱,小角X射线散射等来表征.结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比χc随氢稀释度的提高而增加.而从红外谱计算得到氢含量则随氢稀释度的增加而减少.小角X射线散射结果表明薄膜致密度随氢稀释度的增加而增加.结合红外谱和小角X射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H的键合状态.认为随着晶化的发生和晶化程度的提高H逐渐移向晶粒表面,在硅薄膜中H的存在形式从以SiH为主向SiH2转变,即在微晶硅膜中主要以SiH2形式存在于晶粒的界面.
郭晓旭
朱美芳
刘金龙
韩一琴
刘金龙
董宝中
生文君
许怀哲
关键词:
氢化
微晶硅
微结构
自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法
一种自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法,包括如下步骤:将砷化镓衬底进行脱氧处理,然后生长砷化镓缓冲层;砷化镓衬底温度;退火后采用循环停顿生长方法,生长出砷化铟量子点;生长厚为一个原子层至15nm的砷化镓;重复3...
刘金龙
李树深
牛智川
文献传递
1.3微米发光自组织InAs/GaAs量子点的电致发光研究
被引量:1
2002年
用优化的MBE参数生长了 1.3μm发光的InAs/GaAs量子点材料 ,并制成发光二极管 ,对不同温度和有源区长度下样品的电致发光谱进行了细致的研究。观察到两个明显的电致发光峰 ,分别对应于量子点基态和激发态的辐射复合发光。实验表明 ,由于能态填充效应的影响 ,适当增大量子点发光器件有源区长度 ,更有利于获得基态的光发射。这个结果提供了一种控制和调节InAs/GaAs量子点发光二极管和激光器的工作波长的方法。
孔云川
周大勇
澜清
刘金龙
苗振华
封松林
牛智川
关键词:
INAS/GAAS
量子点
电致发光
发光二极管
射频等离子体增强化学气相高速沉积优质过渡区微晶硅薄膜
本文利用13.56MHz射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术高速沉积非晶/微晶过渡区的微晶硅(μc-Si:H)薄膜.研究了沉积压力、射频功率、电极间距、氢稀释度等参数对沉积速率、电学性质等的影响.通过选择...
周炳卿
刘丰珍
朱美芳
刘金龙
谷锦华
张群芳
李国华
丁琨
关键词:
微晶硅薄膜
电学性质
文献传递
全选
清除
导出
共1页
<
1
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张