您的位置: 专家智库 > >

刘金龙

作品数:6 被引量:24H指数:1
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇量子
  • 3篇量子点
  • 2篇砷化铝
  • 2篇砷化铟
  • 2篇砷化镓
  • 2篇砷化镓衬底
  • 2篇铟镓砷
  • 2篇微晶硅
  • 2篇量子点材料
  • 2篇INAS/G...
  • 2篇衬底
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇电学
  • 1篇电学性质
  • 1篇电致发光
  • 1篇斯塔克效应
  • 1篇氢化
  • 1篇自组织
  • 1篇微结构

机构

  • 6篇中国科学院
  • 1篇内蒙古师范大...
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 6篇刘金龙
  • 3篇牛智川
  • 2篇李树深
  • 1篇生文君
  • 1篇韩和相
  • 1篇苗振华
  • 1篇许怀哲
  • 1篇周炳卿
  • 1篇澜清
  • 1篇刘丰珍
  • 1篇周大勇
  • 1篇郭晓旭
  • 1篇封松林
  • 1篇孔云川
  • 1篇董宝中
  • 1篇朱美芳
  • 1篇朱美芳

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 1篇2007
  • 2篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇2002
  • 1篇1998
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法
一种自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法,包括如下步骤:将砷化镓衬底进行脱氧处理,然后生长砷化镓缓冲层;砷化镓衬底温度;退火后采用循环停顿生长方法,生长出砷化铟量子点;生长厚为一个原子层至5nm的砷化镓;重复3—...
刘金龙李树深牛智川
文献传递
垂直累积自组织InAs/GaAs双量子盘的斯塔克效应和光学性质
我们在有效质量近似框架下,采用绝热近似方法、传递矩阵方法对处于外加垂直电场中的该体系进行了理论研究.首先,我们发现外加垂直电场能够改变对应于体系的同一个角量子数的两条电子能级之间的劈裂.当两个量子盘半径相同时,垂直于量子...
刘金龙
关键词:量子盘绝热近似斯塔克效应
高氢稀释制备微晶硅薄膜微结构的研究被引量:23
1998年
采用高氢稀硅烷热丝化学气相沉积方法制备氢化微晶硅薄膜.其结构特征用Raman谱,红外透射谱,小角X射线散射等来表征.结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比χc随氢稀释度的提高而增加.而从红外谱计算得到氢含量则随氢稀释度的增加而减少.小角X射线散射结果表明薄膜致密度随氢稀释度的增加而增加.结合红外谱和小角X射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H的键合状态.认为随着晶化的发生和晶化程度的提高H逐渐移向晶粒表面,在硅薄膜中H的存在形式从以SiH为主向SiH2转变,即在微晶硅膜中主要以SiH2形式存在于晶粒的界面.
郭晓旭朱美芳刘金龙韩一琴刘金龙董宝中生文君许怀哲
关键词:氢化微晶硅微结构
自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法
一种自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法,包括如下步骤:将砷化镓衬底进行脱氧处理,然后生长砷化镓缓冲层;砷化镓衬底温度;退火后采用循环停顿生长方法,生长出砷化铟量子点;生长厚为一个原子层至15nm的砷化镓;重复3...
刘金龙李树深牛智川
文献传递
1.3微米发光自组织InAs/GaAs量子点的电致发光研究被引量:1
2002年
用优化的MBE参数生长了 1.3μm发光的InAs/GaAs量子点材料 ,并制成发光二极管 ,对不同温度和有源区长度下样品的电致发光谱进行了细致的研究。观察到两个明显的电致发光峰 ,分别对应于量子点基态和激发态的辐射复合发光。实验表明 ,由于能态填充效应的影响 ,适当增大量子点发光器件有源区长度 ,更有利于获得基态的光发射。这个结果提供了一种控制和调节InAs/GaAs量子点发光二极管和激光器的工作波长的方法。
孔云川周大勇澜清刘金龙苗振华封松林牛智川
关键词:INAS/GAAS量子点电致发光发光二极管
射频等离子体增强化学气相高速沉积优质过渡区微晶硅薄膜
本文利用13.56MHz射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术高速沉积非晶/微晶过渡区的微晶硅(μc-Si:H)薄膜.研究了沉积压力、射频功率、电极间距、氢稀释度等参数对沉积速率、电学性质等的影响.通过选择...
周炳卿刘丰珍朱美芳刘金龙谷锦华张群芳李国华丁琨
关键词:微晶硅薄膜电学性质
文献传递
共1页<1>
聚类工具0