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刘洪丽

作品数:7 被引量:40H指数:3
供职机构:北京航空航天大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:中国航空科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:化学工程一般工业技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇化学工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 6篇碳化硅
  • 6篇陶瓷
  • 5篇陶瓷先驱体
  • 5篇先驱体
  • 4篇填料
  • 3篇聚硅氮烷
  • 3篇硅氮烷
  • 3篇硅氧烷
  • 3篇反应烧结碳化...
  • 3篇复合材料
  • 3篇复合材
  • 2篇刹车
  • 2篇刹车盘
  • 2篇碳化硅复合材...
  • 2篇碳纤维
  • 2篇碳纤维增强
  • 2篇碳纤维增强碳...
  • 2篇纤维增强
  • 2篇活性填料
  • 2篇SIC

机构

  • 7篇北京航空航天...
  • 1篇北京大学
  • 1篇佳木斯大学

作者

  • 7篇刘洪丽
  • 6篇李树杰
  • 2篇冀晓强
  • 1篇李星国
  • 1篇张听

传媒

  • 3篇稀有金属材料...
  • 1篇硅酸盐学报

年份

  • 1篇2008
  • 2篇2006
  • 3篇2005
  • 1篇2004
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
用有机聚合物连接碳化硅陶瓷及陶瓷基复合材料被引量:19
2004年
用陶瓷先驱体有机聚合物连接陶瓷及陶瓷基复合材料是一种成本低廉、工艺新颖、可满足特殊高温条件下连接件要求的新型连接技术。介绍了近年来采用先驱体有机聚合物连接SiC及其复合材料的研究现状,重点对影响连接强度的因素进行分析,并提出相应的改进措施。由于该技术具有连接温度较低、连接过程简单、接头热应力小,连接件的热稳定性高等特点,因此它是陶瓷及其复合材料最有前途的连接方法之一。
刘洪丽李树杰
关键词:碳化硅碳化硅基复合材料
聚硅氧烷连接RBSiC陶瓷被引量:9
2006年
采用陶瓷先驱体有机聚合物聚硅氧烷连接反应烧结碳化硅(RBSiC)陶瓷。研究了连接温度、连接压力、保温时间对连接强度的影响。通过正交优选实验,确定了最佳工艺参数:连接温度为1300℃,连接压力为25kPa,保温时间为120min。在此工艺条件下制备的连接件经3次浸渍/裂解增强处理,其抗弯强度达132.6MPa,连接件断口表面粘有大量从母材剥离下来的SiC。XRD研究表明,在1100℃~1400℃的试验范围之内,随着连接温度的逐步升高,聚硅氧烷的裂解产物发生了由非晶态向晶态的转变。这种转变对连接强度有显著影响。扫描电镜(SEM)及能谱(EDX)分析显示,连接层厚度为3μm左右,结构较为均匀致密,且与母材间界面结合良好。
刘洪丽李树杰陈志军
关键词:陶瓷先驱体聚硅氧烷
碳纤维增强碳化硅复合材料刹车盘的一种有效连接方法
本发明公开了一种用陶瓷先驱体聚甲基倍半硅氧烷与活性填料的混合物连接C<Sub>f</Sub>/SiC刹车盘的一种连接方法,主要用于新型C<Sub>f</Sub>/SiC复合材料刹车盘的制备和修复。在C<Sub>f</Su...
李树杰刘洪丽冀晓强
文献传递
采用聚硅氮烷与B4C填料连接Cf/C-SiC
采用陶瓷先驱体聚硅氮烷(PSZ)与BC填料混合作为连接材料,通过反应成形连接工艺成功地连接了C/C-Si C复合材料。研究了连接温度、连接压力、填料含量对连接强度的影响。指出在1000℃-1400℃温
刘洪丽李树杰
文献传递
纳米Ni粉填料对聚硅氮烷连接SiC陶瓷接头性能的影响被引量:1
2005年
研究了活性填料纳米Ni粉对陶瓷先驱体聚硅氮烷连接反应烧结SiC陶瓷接头性能的影响,同时与惰性填料纳米SiC粉及活性填料微米Ni粉进行了对比,指出填料的种类及颗粒度对连接强度均有较大影响。活性填料纳米Ni粉的加入可减少连接层内的孔隙和裂纹,同时还可以与聚硅氮烷的裂解产物及母材发生反应,促进聚硅氮烷的裂解,从而降低连接温度,提高连接强度。当连接温度为1200℃时,其最大抗弯强度达到251.6MPa。微观研究表明,连接层结构较为均匀致密,且与母材间界面结合良好。惰性填料纳米SiC粉对连接强度没有明显改善。微米Ni粉因不能与先驱体形成均匀的连接层而导致连接强度降低。
刘洪丽李树杰李星国
关键词:陶瓷先驱体
碳纤维增强碳化硅复合材料刹车盘的一种有效连接方法
本发明公开了一种用陶瓷先驱体聚甲基倍半硅氧烷与活性填料的混合物连接C<Sub>f</Sub>/SiC刹车盘的一种连接方法,主要用于新型C<Sub>f</Sub>/SiC复合材料刹车盘的制备和修复。在C<Sub>f</Su...
李树杰刘洪丽冀晓强
文献传递
采用SiC/Si_3N_4陶瓷先驱体连接反应烧结SiC被引量:18
2005年
采用SiC/Si3N4陶瓷先驱体聚硅氮烷连接反应烧结碳化硅陶瓷,研究了连接温度、连接压力、浸渍/裂解增强处理对连接强度的影响。结果表明:在1100℃~1400℃温度范围内,连接强度先升高后降低;连接过程中施加适当的轴向压力可提高连接层致密度;浸渍/裂解增强处理可大幅度提高接头强度。当连接温度为1300℃,连接压力为15kPa,经3次增强处理的连接件抗弯强度达最大值169.1MPa。这种连接件的断口表面粘有大量SiC母材。由XRD研究表明,随着温度的逐步升高,聚硅氮烷的裂解产物发生了由非晶态向晶态的转变。微观结构及成分分析显示:连接层为厚度2μm^3μm的SiCN无定形陶瓷,其结构较为均匀致密;连接层与基体间界面接合良好。
刘洪丽李树杰张听陈志军
关键词:聚硅氮烷
共1页<1>
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