陶江
- 作品数：5 被引量：4H指数：1
- 供职机构：北京大学信息科学技术学院微电子研究院更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- Co与Si和SiO_2在快速热退火中的反应被引量：3
- 1990年
- 利用四探针、AES、XRD、XPS和SEM等技术研究了快速热退火中Co与Si和SiO_2反应动力学、相序、层的形貌。测量了薄层电阻与退火温度和时间的关系。结果表明,随退火温度的升高,淀积在硅衬底上的钴膜逐步转变为Co_2Si、CoSi_(?)最后完全转化为CoSi_2。CoSi_2对应的电阻率最低。Co与SiO_2不会反应,即使在1050℃的高温下也没有观察到任何形成钴硅化物的证据。
- 陈维德崔玉德许振嘉陶江
- 关键词：钴快速退火SIO2
- 集成电路中多晶硅薄膜载流子迁移率的实验研究和理论模型
- 1989年
- 本文系统地研究了多晶硅薄膜载流子迁移率与掺杂浓度的关系,发现不仅如前人所指出的那样,多晶硅载流子迁移率在中等掺杂区有一极小值,而且同时在高掺杂区存在一个极大值.本文将前人提出的杂质分凝模型、晶粒间界陷阱模型和杂质散射机构结合起来,从理论上计算了极大值及其相应的掺杂浓度与晶粒大小、晶粒间界界面态密度的关系,并与实验结果进行了比较.理论模型较好地说明了实验结果.
- 王阳元陶江韩汝琦吉利久张爱珍
- 关键词：集成电路多晶硅载流子迁移率
- 高温工艺对TiSi_2/n^+-Poly-Si复合栅MOS电容特性及TiSi_2膜性质的影响
- 1991年
- 本文研究了高温退火过程对TiSi_2/n^+-POly-Si 复合栅MOS电容电学性能及TiSi_2膜特性的影响.结果表明,当炉退火温度高于900℃时,TiSi_2层厚度变的不均匀,甚至在某些地方不连续;TiSi_2/n^+Poly-Si 界面十分不平整;多晶硅中杂质外扩散十分严重; MOS电容的性能和电学参数变差.对于RTA过程,高温退火对MOS电容的电学特性没有产生不利影响,TiSi_2膜仍很均匀.所以,在 TiSi_2/Poly-Si复合栅结构工艺中,高温退火过程最好采用 RTA技术.
- 陶江武国英张国炳陈文茹王阳元
- 关键词：集成电路硅化物电容
- TiSi_2薄膜的形成特性及TiSi_2/多晶硅复合栅结构的研究被引量：1
- 1989年
- 本文用反应生成和合金靶溅射两种方法生成了TiSi_2薄膜,并对其形成特性进行了研究,同时将所形成的TiSi_(?)薄膜应用于MOSFET和MOS电容的制作中.结合电学性反的测量和TEM(横截面)在位观察,研究了TiSi_2/多晶硅复合栅结构的特性,发现当多晶硅厚度小于某一临界值时,经高温炉退火后,SiO_2/Si界面将会产生许多新的界面在,SiO_(?)层中会产生缺陷.对离于注入和热扩散掺杂的两种样品,多晶硅层厚度的这个临界值几乎是相同的.根据我们的实验和分析结果,证实了在TiSi_2薄膜的形成过程中所引入的应力是产生上述现象的基本原因.
- 陶江赵铁民张国炳王阳元汪锁发李永洪
- 关键词：TISI2多晶硅MOSFET
- 应用于硅化物自对准技术的CoSi_2薄膜特性及形貌研究
- 1991年
- 本文应用炉退火和快速退火(RTA)两种方法,使Co和Si热反应制备界面较平整、电阻率低(～16μΩ·cm)的CoSi_2薄膜。采用XRD、AES、TEM(横截面)、SEM、四探针等分析测试手段,详细研究了Co和Si、SiO_2之间的反应,CoSi_2薄膜的电学特性及CoSi_2/Si,CoSi_2,SiO_2界面形貌。结果表明,CoSi_2是除TiSi_2外另一个可用于MOS自对准技术的硅化物。
- 陶江武国英张国炳孙玉秀王阳元都安彦
- 关键词：硅化物形貌
