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吴杰

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院金属研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氮化
  • 1篇氮化铝
  • 1篇溅射
  • 1篇反应磁控溅射
  • 1篇ALN
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院金...

作者

  • 1篇洪瑞江
  • 1篇黄荣芳
  • 1篇闻立时
  • 1篇王浩
  • 1篇吴杰

传媒

  • 1篇无机材料学报

年份

  • 1篇1993
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
离子束增强反应磁控溅射低温快速沉积AlN膜被引量：2
1993年
本文采用氮离子束增强反应磁控溅射,在低温下沉积了 AlN 薄膜.用 X 射线衍射和 X 射线光电子谱对薄膜的晶体结构和电子结构进行了分析,结果表明,随着离子源中氮离子束流的增加,薄膜组成由面心立方的 Al 转变为密排立方的 AlN.氮离子在薄膜制备中的引入,有效地降低了沉积温度,提高沉积速率,并实现了薄膜 N/Al 化学计量比的控制.对 AlN 薄膜的紫外-可见光透射谱和红外吸收谱也进行了测定.
王浩黄荣芳吴杰洪瑞江闻立时
关键词：氮化铝磁控溅射
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