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陈建湘

作品数:6 被引量:2H指数:1
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 3篇一般工业技术

主题

  • 3篇导体
  • 3篇光谱
  • 3篇超导
  • 3篇超导体
  • 2篇红外
  • 2篇红外光
  • 2篇红外光谱
  • 2篇SM
  • 2篇GD
  • 2篇MBA
  • 2篇EU
  • 1篇远红外光谱
  • 1篇碲镉汞
  • 1篇光热电离光谱
  • 1篇傅里叶
  • 1篇傅里叶变换
  • 1篇高温超导
  • 1篇高温超导体
  • 1篇半导体
  • 1篇TI

机构

  • 6篇中国科学院
  • 1篇复旦大学
  • 1篇华东化工学院
  • 1篇美国加州大学
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 6篇陈建湘
  • 4篇叶红娟
  • 4篇俞志毅
  • 3篇陆卫
  • 3篇沈学础
  • 2篇陈熙琛
  • 2篇汤定元
  • 2篇郭少令
  • 2篇曹宁
  • 2篇郑国珍
  • 2篇郑家琪
  • 1篇季华美
  • 1篇蔡培新
  • 1篇黄叶肖
  • 1篇顾为芳
  • 1篇李光远
  • 1篇缪柏财
  • 1篇陈永平

传媒

  • 3篇物理学报
  • 3篇红外研究

年份

  • 2篇1990
  • 4篇1989
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
Ti_xY_(1-x)Ba_2Cu_3O_(7-δ)超导体的红外、远红外光谱被引量:1
1989年
本文报道了Ti_xY_(l-x)Ba_zCu_3O_(7-8)(x=0.2和0.4)在4.2—300K的红外、远红外光谱。在50—360cm^(-1)波段内发现七个反射峰。它们分别与Ba,Cu,O离子团,Y,O离子团。Ti,O离子团,以及Cu--O键的振动有关,对于x=0.2的样品,存在两个反转结构。对于x=0.4的样品,则仅发现一个反转结构。在红外光谱中观察到六个反对峰和三个吸收峰,它们的强度大多随Ti含量的增加而增强。与Y_1Ba_2Cu_3O_(7-8)的光谱结果比校,讨论了声子峰及反转结构的物理起因。
叶红娟俞志毅陆卫季华美陈建湘李光远蔡培新顾为芳
关键词:超导体红外光谱远红外光谱
L^3He温度下碲镉汞量子输运特性被引量:1
1989年
在0.3~4.2K温度范围,观察到N-型碲镉汞的磁场诱发的金属-绝缘体转变,报道了纵向磁阻在很低的磁场下激活.讨论了纵向磁阻和横向磁阻的各向异性和反常“霍尔系数下凹”区的行为.
郑国珍屈敏飞郭少令陈建湘宋祥生汤定元
关键词:
MBa_2Cu_3O_(7-δ)(M=Y,Sm,Gd,Eu)超导体的红外光谱
1990年
测定了多晶超导体MBa_2Cu_3O_(7-δ)(M=Y,Sm,Gd,Eu)的反射光谱和透射光谱。在远红外(40~360cm^(-1))反射谱中观察到5个特征反射峰和3个反转结构,在中红外反射谱中有一580cm^(-1)峰,在中红外吸收谱中有580~590cm^(-1)和615~627cm^(-1)两个峰。本文分析了这些峰对应的振动模,并由反转结构确定了超导能隙和比值γ=2Δ/k_BT_c。
叶红娟俞志毅陆卫陈建湘沈学础曹宁郑家琪陈熙琛
关键词:超导体
Hg_(1-x)Cd_xTe的过热电子效应
1990年
研究了组分x=0.18~0.50的N-Hg_(1-x)Cd_xTe样品在0.3~4.2K低温区和0~7T磁场强度下的过热电子效应,结果表明过热电子效应强烈依赖于样品的组份、电学参数以及材料的晶体质量。
陈永平郑国珍龚雅谦郭少令陈建湘汤定元
关键词:HG1-XCDXTE
MBa_2Cu_3O_(7-δ)( M=Y,Sm,Gd,Eu)高温超导体的远红外反射光谱
1989年
本文报道多晶MBa_2Cu_3O_(7-8)(M=Y,Sm,Gd,Eu)高温超导体的远红外反射光谱,其频率和温度范围分别为40--360cm^(-1)和 4.2--300K。对于不同M的样品,反射光谱具有相似的结构。在测量范围内,所有样品都有5个反射峰,最低频率的两个峰均属B_(iv)对称类,分别对应Ba,Cu,O离子团振动以及M,O离子团振动,其余3个峰来自CU—O键的弯曲振动;另外,不同M的样品的反射率曲线都具有三处反转结构,即正常态和超导态的反射率曲线的高低位置发生互换。这些反转结构可能与超导能隙有关。
叶红娟俞志毅陆卫陈建湘沈学础曹宁郑家琪陈熙琛缪柏财
关键词:超导体
半导体中浅杂质的傅里叶变换光热电离光谱
1989年
本文报道与快扫描傅里叶变换红外光谱仪相结合的光热电离光谱实验装置和测量系统。采用该系统高分辨率、高灵敏度地研究和测量高纯锗和高纯硅中的剩余浅杂质获得成功。在P型超纯Ge中发现浓度低达10~8cm^(-3)的硼受主杂质的光热电离谱线,而探测灵敏度则至少可达10~7cm^(-3);在n型高纯Si中观测到Li-O复合型浅施主中心D(Li,O);施加本征激发光后在P型高纯Si中同时观察到B受主和P施主的跃迁谱线系。此外,在Si,Ge中均观察到与浅杂质更高激发态有关的跃迁。
俞志毅黄叶肖陈建湘叶红娟沈学础E.E.Haller
关键词:半导体光热电离光谱
共1页<1>
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