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杨燕

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 2篇等离子体
  • 2篇等离子体物理
  • 2篇增益
  • 2篇栅结构
  • 2篇石墨
  • 2篇石墨烯
  • 2篇双栅
  • 2篇驱动电流
  • 2篇晶体管
  • 2篇功率增益
  • 2篇版图
  • 2篇版图设计
  • 2篇MOSFET
  • 2篇场效应
  • 2篇场效应晶体管
  • 1篇源区
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子迁移率
  • 1篇栅介质
  • 1篇振荡频率

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇柴展
  • 4篇罗杰馨
  • 4篇陈静
  • 4篇杨燕
  • 2篇吕凯
  • 2篇王曦
  • 2篇何伟伟

年份

  • 2篇2018
  • 2篇2015
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
双栅双极石墨烯场效应晶体管及其制作方法
本发明提供一种双栅双极石墨烯场效应晶体管及其制作方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底的正面形成石墨烯沟道层；在石墨烯沟道层上形成源电极及漏电极；去除源电极及漏电极外围的石墨烯沟道层；对石墨烯沟道层进行表面功能化处理或...
陈静杨燕罗杰馨柴展
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交叉栅结构MOSFET及多叉指栅结构MOSFET的版图设计
本发明提供一种交叉栅结构MOSFET及多叉指栅结构MOSFET的版图设计，所述交叉栅结构MOSFET的版图设计包括：半导体衬底、十字形交叉栅结构、源区及漏区；所述十字形交叉栅结构包括第一条状栅及与所述第一条状栅垂直的第二...
陈静吕凯罗杰馨何伟伟杨燕柴展王曦
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交叉栅结构MOSFET及多叉指栅结构MOSFET的版图设计
本发明提供一种交叉栅结构MOSFET及多叉指栅结构MOSFET的版图设计，所述交叉栅结构MOSFET的版图设计包括：半导体衬底、十字形交叉栅结构、源区及漏区；所述十字形交叉栅结构包括第一条状栅及与所述第一条状栅垂直的第二...
陈静吕凯罗杰馨何伟伟杨燕柴展王曦
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双栅双极石墨烯场效应晶体管及其制作方法
本发明提供一种双栅双极石墨烯场效应晶体管及其制作方法，包括：提供半导体衬底； 在半导体衬底的正面形成石墨烯沟道层；在石墨烯沟道层上形成源电极及漏电极；去除源电极及漏电极外围的石墨烯沟道层；对石墨烯沟道层进行表面功能化处理...
陈静杨燕罗杰馨柴展
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