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脉冲激光沉积结合快速退火制备SnS薄膜及其表征被引量：3: 2016年; 利用脉冲激光沉积法在玻璃衬底上生长、并经Ar保护下快速退火制备SnS薄膜。利用X射线衍射、拉曼光谱、X射线能量色散谱、原子力显微镜、紫外-可见-近红外分光光度计等表征手段,对不同条件(脉冲激光能量:90和140 rnJ;退火温度:100~400℃)下制备SnS薄膜的晶体结构、化学组分、表面形貌、光学特性等进行表征分析。结果表明:脉冲激光能量为140mJ、退火温度为300℃时所制备的SnS薄膜结晶质量良好、择优取向生长良好、成分接近理想配比(Sn:S=1:1.03)、光吸收系数为10~5 cm^(-1)量级。; 马明杰刘磊李学留陈士荣郭慧尔余亮梁齐; 关键词：脉冲激光沉积快速退火光学特性

能量密度和重复频率对PLD法制备ZnS薄膜性质的影响被引量：2: 2016年; 利用脉冲激光沉积法在玻璃基片上、以不同的能量密度和重复频率制备了一系列ZnS薄膜。利用X射线衍射、X射线能量色散谱、紫外-可见-近红外分光光度计,对ZnS薄膜的晶体结构、化学组分、光学特性等进行表征。结果表明:所制备ZnS薄膜为富硫贫锌,结晶质量良好,为(002)晶面择优取向生长。能量密度为7.5 J/cm^2、重复频率为2 Hz是生长高质量ZnS薄膜的条件,其所制备的ZnS薄膜为纤锌矿结构,结晶程度最高,择优取向度最高(189.2),Zn/S摩尔比值接近化学计量比,堆积密度最大(0.967),可见光透过率高,禁带宽度为3.55 eV。; 李学留刘丹丹李琳马明杰文亚南梁齐; 关键词：ZNS薄膜脉冲激光沉积能量密度重复频率

PLD法制备SnS、ZnS薄膜及其器件的研究: SnS薄膜是一种新型光伏材料，适合作为太阳电池和光电器件光吸收层。ZnS薄膜具有较高的可见光透过率和良好的光电性能，适合作为太阳能电池的窗口层。SnS和ZnS薄膜在异质结太阳电池中有很好的应用潜力。本文研究脉冲激光沉积法...; 马明杰; 关键词：ZNS薄膜光伏材料光电器件光电性能; 文献传递

快速退火对PLD法制备SnS薄膜结构和光学性质的影响被引量：4: 2015年; 利用脉冲激光沉积(PLD)法在玻璃基片上室温生长SnS薄膜,并在Ar气保护下分别在200,300,400,500,600℃对薄膜进行快速退火处理。利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)、原子力显微镜(AFM)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、紫外-可见-近红外分光光度计(UV-Vis-NIR)、Keithley4200-SCS半导体参数分析仪研究了快速退火温度对SnS薄膜的晶体结构、表面形貌以及有关光学性质和电学性能的影响。所制备的SnS薄膜样品沿(111)晶面择优取向生长,退火温度为400℃时的薄膜结晶质量最好。薄膜均具有SnS特征拉曼峰。随着退火温度的升高,薄膜厚度逐渐减小,而平均颗粒尺寸逐渐增大。不同退火温度下的SnS薄膜在可见光范围内的吸收系数均为105cm-1量级,400℃时退火薄膜的直接带隙为1.92eV。随着退火温度从300℃升高到500℃,电阻率由1.85×104Ω·cm下降到14.97Ω·cm。; 刘磊马明杰刘丹丹郭慧尔史成武梁齐; 关键词：脉冲激光沉积快速退火光学性质

膜厚对射频磁控溅射法制备的SnS薄膜结构和光学性质的影响被引量：4: 2015年; 利用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备SnS薄膜,用X射线衍射(XRD)、能谱仪(EDS)、原子力显微镜(AFM)、场发射扫描电镜(FE-SEM)和紫外-可见-近红外分光光度计(UV-Vis-NIR)分别对所制备的薄膜晶体结构、组分、表面形貌、厚度、反射率和透过率进行表征分析。研究结果表明:薄膜厚度的增加有利于改善薄膜的结晶质量和组分配比,晶粒尺寸和颗粒尺寸随着厚度的增加而变大。样品的折射率在1 500~2 500nm波长范围内随着薄膜厚度的增加而增大。样品在可见光区域吸收强烈,吸收系数达105cm-1量级。禁带宽度在薄膜厚度增加到1 042 nm时为1.57 e V,接近于太阳电池材料的的最佳光学带隙(1.5 e V)。; 余亮梁齐刘磊马明杰史成武; 关键词：射频磁控溅射膜厚光学性质

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马明杰