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李贺

作品数：2 被引量：7H指数：2
供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室更多>>
发文基金：吉林省科技发展计划基金国家自然科学基金长春市科技发展计划项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇热学特性
  • 2篇微阵列
  • 2篇光学
  • 2篇光学器件
  • 1篇有限元
  • 1篇有限元分析
  • 1篇散热
  • 1篇散热器
  • 1篇散热设计
  • 1篇热沉
  • 1篇热学
  • 1篇ALGAIN...

机构

  • 2篇中国科学院长...
  • 2篇中国科学院大...

作者

  • 2篇梁静秋
  • 2篇吕金光
  • 2篇田超
  • 2篇梁中翥
  • 2篇王维彪
  • 2篇秦余欣
  • 2篇李贺

传媒

  • 1篇光学学报
  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
AlGaInP材料LED微阵列热学特性分析被引量：5
2016年
发光二极管(LED)微阵列芯片在工作时积累的热量使结温过高,进而对LED微阵列芯片造成一系列不利影响,严重降低LED微阵列芯片工作的可靠性,甚至造成永久性损坏。散热问题是制约LED微阵列芯片工作性能提高的关键因素,是LED微阵列芯片在制备过程中亟待解决的问题之一。利用有限元分析软件,针对AlGaInP材料LED微阵列建立了有限元模型,详细介绍了实体模型建立、网格划分以及边界条件的施加方法。瞬态分析了在脉冲电流驱动下,单个单元和3×3单元工作时阵列的温度场分布,以及温度随时间的变化规律。为了改善阵列芯片的散热性能,设计了一种热沉结构,模拟分析了热沉结构对阵列温度分布的影响。
李贺梁静秋梁中翥田超秦余欣吕金光王维彪
关键词：光学器件热学特性热沉ALGAINP
AlGaInP-LED发光阵列热场分析及散热设计被引量：2
2015年
建立了5×5 Al Ga In P材料LED微阵列的有限元热分析模型,根据计算对模型进行了简化。结果表明,简化模型与原始模型的温度分布规律基本一致,计算得到的两种模型在工作1.5 s时的温度相对误差为0.8%。使用简化模型模拟了含104个单元、尺寸为10 mm×10 mm×100μm的芯片的温度场分布,工作1.5 s时的芯片中心温度已达到360.6℃。为解决其散热问题,设计了两种散热器,并对其结构进行了优化,分析了翅片数量、翅片尺寸、粘结材料对芯片温度的影响。
李贺梁静秋梁中翥王维彪田超秦余欣吕金光
关键词：光学器件热学特性有限元分析散热器
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