尤明慧
- 作品数：85 被引量：52H指数：3
- 供职机构：吉林农业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金吉林省教育厅科研项目广西人文社会科学发展研究中心项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学文化科学自动化与计算机技术更多>>
- 基于物联网的家兔标准化养殖智能监控系统
- 本发明涉及一种基于物联网的家兔标准化养殖智能监控系统，属于家兔智能养殖技术领域。本系统包括多个无线传感网络节点、ZigBee路由节点、ZigBee以太网网关、服务器、客户端和视频监控系统，其中所述无线传感网络节点通过Zi...
- 李士军任东波顾洪军宮鹤毕春光于曼华吴子雨张敏吴裕华赵忠伟鞠红艳郭洪宇崔楠楠杨婷韩瑜李健王国伟万保成林楠侯丽新郭颖孙连志尤明慧胡天立史明非李雪
- 文献传递
- 采用(In)GaAs/GaAs应变隔离层的808nm激光器材料的设计和外延方法
- 大功率808nm半导体激光器被广泛应用于抽运Nd:YAG固体激光器、激光加工和激光医疗等领域。这是因为半导体激光器具有高效、结构紧凑、调制方便等优点。但是同时，人们一直关注半导体激光器的效率和温度特性等问题。本发明是关于...
- 刘国军李占国李林李梅尤明慧芦鹏陈佳音李辉王勇乔忠良邓昀高欣
- 文献传递
- 2μm中波红外锑化物激光器研究
- 2012年
- 2μm中波红外锑化物激光器在大气光学检测和环境监测,自由空间光通讯,红外测试,清洁能源,煤矿安全,分子光谱测量、激光医疗、红外雷达、生物技术和热成像等领域表现出应用潜力。本论文设计并制备了2μm锑化物激光器,制备的器件阈值电流约为420mA。室温下,注入电流为1.1Ith时激射光谱发射波长在2μm左右。
- 尤明慧焦阳陈大川
- 关键词：中波红外锑化物激光器
- 用于胶囊内窥镜的宽频圆极化石墨烯天线设计
- 2021年
- 为了提高胶囊内窥镜天线的工作性能,提高天线抗干扰能力和兼容性,进一步缩小尺寸,设计了一种基于石墨烯的用于胶囊内窥镜的宽频圆极化天线。该天线由3层辐射单元和地板构成,利用石墨烯薄膜优良的导电性能,制作天线的各层辐射单元和地板以有效增强胶囊天线的工作带宽与增益,提高传输效率并降低损耗。通过4个短路探针使第1层与第2层辐射单元相连接,构成复合螺旋天线,进而产生圆极化特性,既能减少误码率又能抑制多径干扰,并且能够更加高效地耦合电磁能量,有效改善阻抗匹配并调节圆极化纯度。详细分析了第1层、第2层和第3层辐射单元开口圆环尺寸、石墨烯薄膜厚度、天线摄入环境(胃、小肠、结肠等)对天线性能的影响。测试结果表明,设计的体积仅为π×4.52×1.905 mm3,阻抗带宽为2.2~2.78 GHz,轴比带宽为2.26~2.66 GHz,增益为-22.9 dBi,实际测量与仿真结果吻合良好,工作频段内辐射特性稳定,与现有技术相比,本文设计天线外形兼容性强,功能带宽更宽,具有宽频带、圆极化、抗干扰、电磁兼容性好、体积小等特点。该天线适用于ISM 2.4 GHz频段,能满足胶囊内窥镜摄入不同消化器官的工作要求。
- 欧仁侠尤明慧房吉博李俊瑶
- 关键词：胶囊内窥镜宽频圆极化石墨烯
- 晶格匹配InAs/AlSb超晶格材料的分子束外延生长研究
- 2023年
- InAs/GaSb超晶格是量子级联激光器(quantum cascade lase,QCL)和带间级联激光器(interband cascade lasers,ICL)结构中重要的组成,特别是作为ICL的上下超晶格波导层是由大量的超薄外延层(纳米量级)交替生长而成,细微的晶格失配便会直接导致材料晶体质量变差,而且每层的厚度和组分变化会强烈影响材料结构性能.论文研究验证了InAs/GaSb超晶格材料生长的最佳温度约在420℃.通过在衬底旋转的情况下生长40周期短周期GaSb/AlSb和InAs/GaSb超晶格,并采用XRD测量拟合获得了GaSb和AlSb层厚分别为5.448 nm和3.921 nm,以及InAs和GaSb层厚分别为8.998 nm和13.77 nm,误差在10%以内,获得了InAs/AlSb超晶格的生长最优条件.在GaSb衬底上生长晶格匹配的40周期的InAs/AlSb超晶格波导层,充分考虑飘逸As注入对InAs/AlSb超晶格平均晶格常数的影响,在固定SOAK时间为3 s的条件下,通过变化As压为1.7×10^(-6)mbar来调整个超晶格的平均晶格常数,实现了其与GaSb衬底晶格匹配.实验结果表明超晶格零阶卫星峰和GaSb衬底峰重合,具有完美的晶格匹配,尖锐的次阶卫星峰和重复性良好的周期结构也表明优异的超晶格材料结构质量.
- 尤明慧李雪李雪刘国军
- 关键词：分子束外延晶格匹配超晶格材料晶格失配
- 一种全程可视的个性化采摘及溯源销售的方法
- 本发明公开了一种全程可视的个性化采摘及溯源销售的方法，主要解决了现有方法中存在的采摘规模性与溯源可靠性问题。该方法包括步骤：全程全景图像采集，按需个性化采摘，可视化在线溯源销售。本发明的特征是消费者可以通过温室大棚的全景...
- 李士军宫鹤胡天立穆叶于秀玲樊娟娟尤明慧李雪郭敏刚刘正伟毛彦栋李佳星温馨肖培孙煜恒陈本孟楚王瑞欧阳航蔡川李珊珊陈琳王子连张畅邓明旺杨蓬勃纪莹莹徐艳蕾周婧刘媛媛侯丽新郭颖顾洪军李健梁雪梅孙启响
- 文献传递
- 采用MBE生长1.6～2.3μm InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱被引量：1
- 2011年
- 采用分子束外延生长了不同In组分的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱材料。X射线衍射发现量子阱材料有多级衍射卫星峰出现,表明量子阱的界面均匀性和质量较好。研究了不同In组分与光致发光波长的关系,光荧光谱测试表明,所制备的不同In组分的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱材料,在室温下的发光波长可以覆盖1.6～2.3μm的范围。
- 尤明慧高欣李占国刘国军李林李梅王晓华薄报学
- 关键词：分子束外延
- Ga束流低温辅助清理GaAs衬底表面氧化物的研究
- 2011年
- 采用低流量III族Ga束流在分子束外延中低温辅助清理GaAs衬底表面氧化物。采用高能电子衍射监控衬底表面氧化物清理过程并得出氧化物清理速率及氧化层对高能电子的吸收系数。根据清理速率对衬底温度依赖的Arrhenius关系,估算了Ga辅助清理过程中发生化学反应所需要的活化能。Ga束流辅助清理衬底表面氧化物技术在外延生长中具有实际可应用性。用这项技术清理外延GaAs衬底,仅通过生长十几纳米厚的GaAs缓冲层,就能够重复地获得高质量低密度InAs量子点。另外,采用这项技术良好地保持了外延衬底的原有表面特性,相信它在需要保持良好界面特性的器件结构外延再生长中也将具有特别的潜在应用价值。
- 李占国刘国军尤明慧李林李辉冯明李梅高欣李联合
- 关键词：光电子学INAS量子点
- 一种长波长锑化物半导体激光器结构
- 本发明是一种长波长锑化物半导体激光器结构，属于半导体激光器新型材料的外延结构领域。本发明针对锑化物激随波长增加，功率、效率等变差的问题和缺点，提出一种长波长锑化物半导体激光器结构，该激光器结构能够减小因自由载流子吸收等引...
- 李占国尤明慧刘国军高欣李林李辉芦鹏王勇邹永刚乔忠良李梅曲轶薄报学
- 文献传递
- 全息光刻制备808 nm腔面光栅半导体激光器被引量：5
- 2019年
- 利用全息光刻开展了808 nm腔面光栅半导体激光器腔面膜系制备,制备与表征了单管芯器件,单管芯器件条宽100μm,腔长2 mm,输出中心波长807.32 nm,光谱半宽为0.36 nm,15~45℃温度范围内波长随温度的漂移系数为0.072 nm/℃,室温单管芯最大连续输出功率达到2.8 W,阈值电流为0.49 A,斜率效率为1.05 W/A。测试结果表明808 nm腔面光栅半导体激光器实现了单纵模输出。
- 王岳王勇李占国尤明慧
- 关键词：半导体激光器波长锁定全息光刻
