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王鹏飞

作品数：25 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金北京市科技计划项目国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 13篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 9篇激光
  • 8篇光学
  • 7篇神经网
  • 7篇神经网络
  • 7篇激光器
  • 7篇分子束
  • 7篇分子束外延
  • 6篇光学神经网络
  • 5篇神经网络计算
  • 5篇网络
  • 5篇网络计算
  • 5篇量子
  • 5篇光子
  • 5篇硅基
  • 4篇电注入
  • 4篇调制
  • 4篇偏置
  • 4篇芯片
  • 4篇量子点
  • 4篇复用

机构

  • 25篇中国科学院
  • 1篇山西大学
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 25篇王鹏飞
  • 17篇潘教青
  • 14篇周旭亮
  • 9篇于红艳
  • 9篇张冶金
  • 6篇牛智川
  • 6篇倪海桥
  • 6篇黄社松
  • 5篇熊永华
  • 4篇吴兵朋
  • 4篇王圩
  • 2篇于磊
  • 2篇詹峰
  • 2篇吴东海
  • 2篇贺继方
  • 1篇任正伟
  • 1篇朱岩
  • 1篇韩勤
  • 1篇李密峰
  • 1篇杨晓红

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇激光技术
  • 1篇半导体光电
  • 1篇中兴通讯技术
  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 3篇2024
  • 3篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 5篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2014
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2008
共 25 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
单模掩埋半导体激光器及其制备方法
本公开提供了一种单模掩埋半导体激光器及其制备方法，可以用于光电子器件领域。该单模掩埋半导体激光器包括：N型电极，设置于单模掩埋半导体激光器的底板上；外延结构层，设置于N型电极上；宽台面结构层，设置于所外延结构层上；以及P...
吕晨于红艳周旭亮王梦琦王鹏飞罗光振潘教青
在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法
本发明公开了一种在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法，包括如下步骤：步骤1：选取(100)面偏向<111>方向6°或9°的Ge衬底；步骤2：对Ge衬底进行除气脱氧及退火处理；步骤3：将进行退火处理...
王鹏飞吴东海吴兵朋熊永华詹峰黄社松倪海桥牛智川
文献传递
硅基电注入激光器及其制备方法
一种硅基电注入激光器及其制备方法，该制备方法包括：在绝缘硅衬底的上表面生长SiO<Sub>2</Sub>层，并在SiO<Sub>2</Sub>层的中间位置刻蚀出贯穿SiO<Sub>2</Sub>层的第一矩形槽；腐蚀绝缘硅...
王梦琦李稚博周旭亮李亚节王鹏飞潘教青
文献传递
光学神经网络芯片及其计算方法
本公开提供了一种光学神经网络芯片及其计算方法，包括：光子权重模块，用于实现多个权重的编码，并基于多个权重的编码，调节输入信号中包括的多个不同波长的光信号的幅值，实现各波长的光信号表示的输入数据分别与多个权重的光学乘加计算...
王瑞廷王鹏飞罗光振张冶金周旭亮于红艳王梦琦潘教青王圩
光学神经网络芯片及其计算方法
本公开提供了一种光学神经网络芯片及其计算方法，包括：光子权重模块，用于实现多个权重的编码，并基于多个权重的编码，调节输入信号中包括的多个不同波长的光信号的幅值，实现各波长的光信号表示的输入数据分别与多个权重的光学乘加计算...
王瑞廷王鹏飞罗光振张冶金周旭亮于红艳王梦琦潘教青王圩
文献传递
基于SiN平板波导光栅的128通道光学相控阵
2024年
为了避免全硅光学相控阵(OPA)的输出光功率饱和现象以及氮化硅的低移相效率,采用硅与氮化硅相结合的设计思路,在实现高功率输入的同时保证了调相效率;此外,硅基集成OPA为了避免通道间的相互耦合所引起的相位噪声,波导间距大于半波长,导致栅瓣的存在,进而使得扫描范围受限,故采用硅波导作为天线前的输入波导,以减小阵元间距。结果表明,芯片最终实现了41°×7.4°的扫描范围以及10.7 dB的芯片损耗。该研究对于OPA芯片的进一步改进是有帮助的。
马鹏飞于磊王政王鹏飞王鹏飞潘教青
关键词：集成光学衍射光栅光学相控阵
硅基电注入激光器及其制备方法
一种硅基电注入激光器及其制备方法，该制备方法包括：在绝缘硅衬底的上表面生长SiO<Sub>2</Sub>层，并在SiO<Sub>2</Sub>层的中间位置刻蚀出贯穿SiO<Sub>2</Sub>层的第一矩形槽；腐蚀绝缘硅...
王梦琦李稚博周旭亮李亚节王鹏飞潘教青
GaAs基1.5μm异变InAs量子点材料的分子束外延生长
1.31～1.55μm近红外光电材料及器件研究是多年来半导体材料和光电器件领域的核心课题之一。由于近红外波段现有的材料体系存在较大困难，使其相应光电子器件、特别是集成光电子器件性能的发展受到了很大的局限，迫使人们探索新的...
王鹏飞
关键词：INAS
光学神经网络芯片及其计算方法
本公开提供了一种光学神经网络芯片及其计算方法，包括：光子权重模块，用于实现多个权重的编码，并基于多个权重的编码，调节输入信号中包括的多个不同波长的光信号的幅值，实现各波长的光信号表示的输入数据分别与多个权重的光学乘加计算...
王瑞廷王鹏飞罗光振张冶金周旭亮于红艳王梦琦潘教青王圩
文献传递
一种用于微波振荡源的单片集成隧道结激光器
本发明公开了一种用于微波振荡源的单片集成隧道结激光器，涉及半导体光电子器件技术领域。本发明提出的用于微波振荡源的单片集成隧道结激光器主要包括：N电极、N型InP衬底、N型InP缓冲层、下限制层、量子阱有源区、上限制层、光...
李亚节周旭亮王鹏飞王梦琦于红艳李召松李稚博潘教青
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