赵建宜
- 作品数：19 被引量：25H指数：3
- 供职机构：武汉邮电科学研究院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划武汉市青年科技晨光计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 硅基轨道角动量态转换器
- 本发明公开了一种硅基轨道角动量态转换器，涉及光通信集成器件领域，该硅基轨道角动量态转换器包括输入环形耦合光栅、取样波导阵列、相位调谐电极阵列和光输出器件，所述输入环形耦合光栅通过沿圆周均匀分布的取样波导阵列与光输出器件连...
- 王磊肖希李淼峰邱英赵建宜
- 文献传递
- 用多层掩模去除纳米压印工艺中的残胶被引量：1
- 2013年
- 纳米压印工艺中的压印胶在固化后会发生聚合物的铰链,生成高分子聚合物,很难被一般有机溶剂清除,从而影响器件的性能。为有效去除压印残胶,提出一种利用多层掩模去除残胶的方法。该方法首先在基片和压印胶之间沉积一层50nm的二氧化硅作为硬掩模;接着用纳米压印工艺将光栅图形转移到压印胶上,再用干法刻蚀将光栅图形转移到基片上;最后,放入BOE(buffered oxide etchant)中漂洗数秒以去除残胶。文中总结了刻蚀底胶时间对光栅占空比的影响,对比了经过多层掩模去残胶和传统去残胶的方法处理后的光栅形貌。电镜图片结果显示,采用本文方法经过漂洗的光栅表面残胶去除干净,形貌良好,其周期约为240nm,深度约为82nm。实验表明,多层掩模去残胶的方法不仅能够有效地去除刻蚀残胶,同时能够避免光栅形貌的损坏。
- 陈鑫赵建宜王智浩王磊周宁刘文
- 关键词：纳米压印技术分布反馈激光器软模板
- 异质兼容集成半导体光电子器件与集成基元功能微结构体系被引量：1
- 2016年
- 以纳米压印光栅制作为基础,研究了适应纳米压印工艺的对接生长材料结构及生长工艺,生长的材料均匀性好,适合后续器件工艺制作。通过理论设计及实验研究,优化了浅刻蚀有源波导及深刻蚀无源波导的变换结构,降低了器件的转换损耗及回波损耗。结合后续制作的器件,对接界面插入损耗可以小于1.5 d B。完成了多种多波长阵列DFB激光器及高性能DFB激光器的制作,包括16通道200 GHz,300 GHz间隔1550 nm波段阵列激光器,4通道20 nm间隔1310 nm波段阵列激光器,双八分之一相移激光器,非对称三相移激光器,变节距啁啾调制激光器等,广泛的验证了压印工艺的可靠性及适应性。研究了阵列器件的热调谐特性及热串扰特性,取得了器件热特性数据。为下一步编写阵列器件波长控制程序取得了实验数据。依据2012年度In P基AWG测试结果,对AWG的结构设计数据进行了修正并重新设计。修正设计后制作的通道波长间隔为1.56 nm,通道中心波长1549.7 nm,串扰小于1.5d B。完成了四通道阵列激光器与多模干涉结构合波器(MMI)的单片集成芯片的设计、制作与测试,针对集成芯片完成了器件的封装设计。由于集成芯片管脚非常多,直流偏置,微波信号,热调谐信号互相之间存在耦合,串扰,布线交叉等。为此采用了多层过渡板结构,有效的将各个管脚分开,降低电学串扰。搭建芯片测试平台系统。完成了多波长半导体微环激光器的的制备与测试,采用In P基多量子阱激光器外延材料结构,利用感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术和Si O2钝化工艺,研制了基于环形谐振腔的双波长半导体激光器样品,实现了激光光源的单片集成。改变激光器的注入电流,可调节峰值波长与波长间隔。对In P基长波长10 Gb/s单片集成OEIC光接收机进行了电路建模、共基极和共发射极OEIC集成电路设计、制备与测试,跨组放大器达到1
- 黄晓东李献杰赵建宜齐利芳周宁
- 关键词：纳米压印
- 半导体激光器在超高速光网络中的应用
- 2013年
- 光通信的快速发展对光电子器件提出了更高的要求。基于超高速光传输网络、光以太网及接入网对通信用半导体激光器的性能要求,结合中国光电子器件具体情况,对半导体激光器的性能、研究状态及应用进行了探讨。
- 赵建宜张玓刘文
- 关键词：半导体激光器线宽可调谐直接调制
- 硅基轨道角动量态转换器
- 本发明公开了一种硅基轨道角动量态转换器，涉及光通信集成器件领域，该硅基轨道角动量态转换器包括输入环形耦合光栅、取样波导阵列、相位调谐电极阵列和光输出器件，所述输入环形耦合光栅通过沿圆周均匀分布的取样波导阵列与光输出器件连...
- 王磊肖希李淼峰邱英赵建宜
- 文献传递
- 一种可变闪耀角的闪耀光栅和双闪耀光栅制备方法及产品
- 本发明公开一种可变闪耀角的闪耀光栅和双闪耀光栅的制备方法及产品，属于图像压印技术领域。具体为：将硬模板上的目标光栅图形转移到软模板，在基片上制备压印胶层；将软模板上的目标光栅图形压印到压印胶层，通过压强大小控制软模板的倾...
- 陈鑫赵建宜王磊周宁刘文
- 文献传递
- 纳米压印工艺制作DFB激光器的可靠性研究被引量：6
- 2014年
- 利用光荧光谱及X射线双晶衍射研究了纳米压印工艺对半导体外延材料的影响。利用纳米压印工艺制作了1.55μm通信用分布反馈(DFB)半导体激光器,并对制作的器件进行了老化寿命试验。实验结果表明,采用软模版压印并不会劣化半导体外延材料的特性。制作的半导体激光器预期寿命与普通双光束曝光法制得的器件预期相当,表明纳米压印工艺制作半导体激光器是可靠的。
- 赵建宜陈鑫周宁曹明德黄晓东刘文
- 关键词：集成光学纳米压印半导体激光器
- 宽可调谐双微环耦合半导体激光器的模拟研究被引量：4
- 2012年
- 为了对宽可调谐微环耦合半导体激光器进行理论研究,提出了一种新型半导体激光器动态理论模型对其动态特性进行仿真分析。激光器的有源区采用传统的时域行波法进行模拟,由于调谐带宽大于40nm,需要考虑增益谱线型,而无源区则先利用频域模型计算其频谱特性,再利用有限冲击响应数字滤波器转化到时域与有源区进行连接。通过仿真分析得出,微环的耦合系数对激光器的大信号调制具有十分重要的影响。低耦合系数可以获得极窄的线宽但是激光器大信号直接调制能力也会随之急剧劣化。仿真结果还显示出该类型激光器可以进行高速大范围波长调谐。
- 赵建宜刘文黄晓东周宁
- 关键词：激光器微环大信号调制
- InP基16通道200GHz阵列波导光栅的设计和制备被引量：7
- 2013年
- 设计制作了一种适合单片光子集成回路的InP基16通道,200GHz通道间隔的阵列波导光栅(AWG)器件。采用偏振无关的深脊型波导以减小器件尺寸,提高光电子芯片的集成度。利用金属有机化学气相沉积(MOCVD),光刻及感应耦合反应离子束(ICP)刻蚀技术,成功研制出芯片样品。测试结果显示,器件插入损耗约-10dB,相邻通道串扰小于-15dB。
- 赵建宜陈鑫钱坤张玓王磊周宁黄晓东刘文
- 关键词：光学器件磷化铟阵列波导光栅波分复用器
- WDM-PON用单片集成光源芯片的理论与实验研究
- 波分复用无源光网络（WDM-PON）系统以其高容量、大带宽等特点使其成为下一代光接入网中最具前景的方案之一。而低成本、高性能的光电子器件则是WDM-PON系统在未来能否取得成功的关键。单片集成光源器件相比传统的分立器件封...
- 赵建宜
- 关键词：使用寿命波分复用无源光网络
