陈鑫
- 作品数：8 被引量：14H指数：2
- 供职机构：武汉邮电科学研究院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划武汉市青年科技晨光计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- InP基16通道200GHz阵列波导光栅的设计和制备被引量：7
- 2013年
- 设计制作了一种适合单片光子集成回路的InP基16通道,200GHz通道间隔的阵列波导光栅(AWG)器件。采用偏振无关的深脊型波导以减小器件尺寸,提高光电子芯片的集成度。利用金属有机化学气相沉积(MOCVD),光刻及感应耦合反应离子束(ICP)刻蚀技术,成功研制出芯片样品。测试结果显示,器件插入损耗约-10dB,相邻通道串扰小于-15dB。
- 赵建宜陈鑫钱坤张玓王磊周宁黄晓东刘文
- 关键词：光学器件磷化铟阵列波导光栅波分复用器
- 多芯光纤与平面光波导耦合用的3D变换器及其制备方法
- 本发明公开了一种多芯光纤与平面光波导耦合用的3D变换器及其制备方法，涉及光波导器件领域，它包括若干倾斜一定角度的光波导及其两端的端口，其一端的端口分布与多芯光纤的端口分布对应，呈中心对称分布，另一端的端口分布与平面光波导...
- 刘文赵建宜张晓吟王磊刘卫华陈鑫杨燕
- 纳米压印工艺制作DFB激光器的可靠性研究被引量：6
- 2014年
- 利用光荧光谱及X射线双晶衍射研究了纳米压印工艺对半导体外延材料的影响。利用纳米压印工艺制作了1.55μm通信用分布反馈(DFB)半导体激光器,并对制作的器件进行了老化寿命试验。实验结果表明,采用软模版压印并不会劣化半导体外延材料的特性。制作的半导体激光器预期寿命与普通双光束曝光法制得的器件预期相当,表明纳米压印工艺制作半导体激光器是可靠的。
- 赵建宜陈鑫周宁曹明德黄晓东刘文
- 关键词：集成光学纳米压印半导体激光器
- 用多层掩模去除纳米压印工艺中的残胶被引量：1
- 2013年
- 纳米压印工艺中的压印胶在固化后会发生聚合物的铰链,生成高分子聚合物,很难被一般有机溶剂清除,从而影响器件的性能。为有效去除压印残胶,提出一种利用多层掩模去除残胶的方法。该方法首先在基片和压印胶之间沉积一层50nm的二氧化硅作为硬掩模;接着用纳米压印工艺将光栅图形转移到压印胶上,再用干法刻蚀将光栅图形转移到基片上;最后,放入BOE(buffered oxide etchant)中漂洗数秒以去除残胶。文中总结了刻蚀底胶时间对光栅占空比的影响,对比了经过多层掩模去残胶和传统去残胶的方法处理后的光栅形貌。电镜图片结果显示,采用本文方法经过漂洗的光栅表面残胶去除干净,形貌良好,其周期约为240nm,深度约为82nm。实验表明,多层掩模去残胶的方法不仅能够有效地去除刻蚀残胶,同时能够避免光栅形貌的损坏。
- 陈鑫赵建宜王智浩王磊周宁刘文
- 关键词：纳米压印技术分布反馈激光器软模板
- 多芯光纤光互联结构
- 本发明公开了一种多芯光纤光互联结构，涉及光通信领域，该多芯光纤光互联结构包括阵列端、光波导、垂直耦合器、多芯光纤，光波导一端与阵列端相连，另一端与垂直耦合器相连，多芯光纤垂直于光波导放置在垂直耦合器上方；从阵列端入射的光...
- 王磊刘文赵建宜陈鑫周鹏
- 文献传递
- 基于纳米压印技术分布反馈激光器阵列的ONU光源研究被引量：1
- 2014年
- 利用纳米压印工艺及对接生长工艺制作了基于分布反馈(DFB)激光器阵列的适用于波分复用光无源网络(WDM-PON)光网络单元(ONU)的低成本光源芯片。器件使用单片集成多模干涉器进行合波输出。测试结果显示,器件平均阈值小于10mA,边模抑制比大于40dB,波长调谐范围大于10nm,出光功率大于0.2mW。
- 陈鑫赵建宜周宁曹明德黄晓东刘文
- 关键词：光学制造纳米压印
- 多芯光纤光互联结构
- 本发明公开了一种多芯光纤光互联结构，涉及光通信领域，该多芯光纤光互联结构包括阵列端、光波导、垂直耦合器、多芯光纤，光波导一端与阵列端相连，另一端与垂直耦合器相连，多芯光纤垂直于光波导放置在垂直耦合器上方；从阵列端入射的光...
- 王磊刘文赵建宜陈鑫周鹏
- 文献传递
- 多芯光纤与平面光波导耦合用的3D变换器及其制备方法
- 本发明公开了一种多芯光纤与平面光波导耦合用的3D变换器及其制备方法，涉及光波导器件领域，它包括若干倾斜一定角度的光波导及其两端的端口，其一端的端口分布与多芯光纤的端口分布对应，呈中心对称分布，另一端的端口分布与平面光波导...
- 刘文赵建宜张晓吟王磊刘卫华陈鑫杨燕
- 文献传递
