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杨文献: 作品数：41 被引量：4H指数：1; 供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信电气工程理学文化科学更多>>

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高Al组分AlGaN的MBE生长及表面活性机理: 2020年; 采用分子束外延(MBE)方法制备了高质量的高Al组分AlGaN薄膜,在室温下获得了266 nm波长的深紫外发光。利用原位监控系统,结合原子力显微镜(AFM)和变温光致发光(PL)谱研究了生长前端的Ga原子的表面活性作用对AlGaN薄膜的生长模式、表面形貌和光学性质的影响,并通过二次离子质谱仪(SIMS)探究了生长温度与p型AlGaN Mg掺杂浓度的变化关系及内在机理。结果显示,Ga原子不仅参与AlGaN的结晶,而且在薄膜生长和Mg掺杂中发挥着表面活性剂的作用,能够促进Al原子的迁移与并入。Ga原子作为表面活性剂有利于AlGaN薄膜进行二维层状生长,改善AlGaN薄膜的表面形貌和光学特性;它还能够提高Al原子的并入效率,使AlGaN薄膜具有更短的发光波长。此外,适当降低p型AlGaN薄膜的生长温度,能减少Mg原子脱吸附并增强Ga原子的表面活性剂作用,从而提高Mg的掺杂浓度。; 贾浩林杨文献陆书龙丁孙安; 关键词：深紫外

量子点激光器的制作方法: 本发明公开了一种量子点激光器的制作方法，包括：MOCVD设备中，在衬底上依次生长n型限制层和n型波导层，获得初步样品；将初步样品转移至MBE设备中，然后在n型波导层上依次生长量子点有源区、p型波导层、电子限制层、p型限制...; 张鹏陆书龙杨文献顾颖邱海兵张雪

Micro-LED芯片的制作方法及Micro-LED芯片: 本发明公开了一种Micro‑LED芯片的制作方法及Micro‑LED芯片，制作方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成外延结构，所述外延结构包括依次形成的缓冲层、n型GaN层、有源区、AlGaN阻挡层以及p型GaN层；刻蚀所...; 张鹏朱建军杨文献陆书龙顾颖华浩文龚毅黄梦洋

共振隧穿二极管及其制作方法: 本发明公开了一种共振隧穿二极管，该共振隧穿二极管包括衬底以及在衬底上形成的功能层，在共振隧穿二极管的彼此相对的两侧分别设有第一磁性部和第二磁性部，第一磁性部和第二磁性部之间形成磁场；其中，磁场的磁场方向与衬底的面向功能层...; 周祥鹏陆书龙邱海兵杨文献李雪飞边历峰

基于金属背支撑刻蚀技术的柔性AlGaInP/AlGaAs/GaAs三结太阳电池研制被引量：2: 2016年; 对柔性GaAs基太阳电池的制备方法进行研究,报道了一种用于制备柔性倒置生长的AlGaInP/AlGaAs/GaAs三结太阳电池的剥离和转移方法——金属背支撑选择性湿法刻蚀技术。在GaAs/GaInP选择性腐蚀的基础上进行了GaAs衬底层的腐蚀,研究了不同类型和体积比的溶液对GaAs/GaInP/AlInP结构腐蚀的选择特性,最终选用不同配比的H2SO4-H2O2系腐蚀液,获得快速、可控制、重复性好的去除衬底的两步腐蚀法。原子力显微镜测试结果表明,通过此方法能够成功地将电池外延层薄膜转移到Cu衬底上,并且在剥离和转移过程中外延层薄膜没有受到损伤。柔性AlGaInP/AlGaAs/GaAs三结太阳电池的开路电压超过3.4V。; 卢建娅谭明杨文献陆书龙张玮黄健; 关键词：太阳电池湿法腐蚀

光电探测器及其制作方法: 提供了一种光电探测器及其制作方法，所述光电探测器包括由MXene材料层和AlGaN材料层形成的MXene/AlGaN范德瓦尔斯异质结。与传统的异质结相比，MXene材料具有较高的透光率、金属导电性以及可调的功函数，所形成...; 金山陆书龙边历峰李雪飞杨文献邱海兵

光学测试系统: 本实用新型提供一种光学测试系统，包括激光器、电源、光路调节结构、样品承载结构、第一聚焦透镜、分光器及处理器，样品承载结构包括样品室和样品台，样品台设置于样品室中，样品台用于承载样品，光路调节结构、样品承载结构依次设置于激...; 吴栋颖杨文献赵宇坤李雪飞陆书龙; 文献传递

基于InGaAs/AlAs材料的共振隧穿二极管: 本发明涉及二极管技术领域，尤其是一种基于InGaAs/AlAs的共振隧穿二极管，在复合集电区采用In0.53AlxGa0.47-xAs/InP复合集电结构...; 杨文献陆书龙吴渊渊谭明; 文献传递

人工光合作用装置: 本实用新型公开了一种人工光合作用装置，包括反应槽、光电转换器件、氧化电极、还原电极和蓄电池，氧化电极和还原电极设置于反应槽内，氧化电极电性连接于光电转换器件的正极，还原电极电性连接于光电转换器件的负极，蓄电池的正极分别与...; 邢志伟杨文献黄欣萍李雪飞龙军华边历峰陆书龙; 文献传递

在GaP/Si衬底上外延生长InGaAs薄膜的方法及InGaAs薄膜: 提供了一种在GaP/Si衬底上外延生长InGaAs薄膜的方法，所述方法包括：在GaP/Si衬底上生长形成GaP缓冲层；在所述GaP缓冲层上生长形成层叠的若干InP/InGaAs超晶格结构缓冲层；在所述若干InP/InGa...; 魏铁石李雪飞陆书龙吴渊渊杨文献张雪孙强健邢志伟