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尹红坤

作品数：4 被引量：3H指数：1
供职机构：北京大学信息科学技术学院微电子研究院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇氮化
  • 2篇砷化镓
  • 2篇全离子注入
  • 2篇自对准
  • 2篇离子注入
  • 2篇难熔金属
  • 2篇金属
  • 2篇MESFET
  • 2篇GAAS
  • 1篇氮化铝
  • 1篇氮化铝薄膜
  • 1篇氮化物
  • 1篇钝化层
  • 1篇应力
  • 1篇砷化镓器件
  • 1篇界面应力
  • 1篇喇曼
  • 1篇喇曼光谱
  • 1篇化物
  • 1篇光谱

机构

  • 4篇北京大学

作者

  • 4篇尹红坤
  • 3篇张利春
  • 3篇高玉芝
  • 2篇侯永田
  • 2篇宁宝俊
  • 2篇李婷
  • 2篇张树霖

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇1996
  • 2篇1994
  • 1篇1993
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
全离子注入自对准难熔金属氮化物复合栅GaAs　MESFET技术研究
1996年
本文研究了先进的全离子注入自对准难熔金属氮化物复合栅ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ场效应晶体管的工艺技术．首次使用Ｍｏ／ＺｒＮ作为复合栅的材料，ＡＩＮ薄膜作为器件介质钝化层，制作出了可用于ＧａＡｓ超高速集成电路的场效应晶体管，晶体管的跨导为１６０ｍＳ／ｍｍ，其栅漏反向击穿电压大于５Ｖ．
高玉芝张利春尹红坤宁宝俊
关键词：MESFET砷化镓全离子注入
用于砷化镓器件的氮化铝薄膜特性被引量：3
1993年
研究了S-枪磁控反应溅射制备的AlN薄膜的晶体结构、组分以及薄膜的电学特性。用Raman散射方法检测了AlN与GaAs。SiON与GaAs的界面应力,并用AES方法对比研究了AlN/GaAs,SiON/GaAs经800C快速热退火前后两种薄膜对GaAs的掩蔽作用。高温快速热退火后,SiON保护层对GaAs掩蔽失效、界画应力大;而AlN薄膜界面应力小,能有效地防止Ga,As的外扩散。表明AlN对GaAs集成电路技术是一种非常好的绝缘介质、钝化和保护材料。
高玉芝尹红坤宁宝俊李婷张利春侯永田张树霖
关键词：钝化层半导体器件氮化铝薄膜
全离子注入自对准难熔金属氮化物栅GaAs MESFET技术研究
尹红坤
AlN　和　SiO_xN_y　薄膜与其　GaAs　衬底间界面应力的喇曼光谱研究被引量：1
1994年
本文用喇曼散射方法研究了在ＧａＡｓ衬底上用Ｓ－枪磁控反应溅射的ＡｌＮ和ＰＥＣＶＤ淀积的ＳｉＯｘＮｙ薄膜的界面应力，并研究了这两种薄膜在Ｎ２和Ａｒ气氛下的高温热处理对界面应力的影响．结果表明，与ＳｉＯｘＮｙ薄膜不同，在ＧａＡｓ衬底上制备的ＡｌＮ薄膜，其界面应力很小，而且经Ｎ２和Ａｒ气氛下的高温快速热退火，仍具有较好的稳定性，从而表明ＡｌＮ是ＧａＡｓ集成电路技术中一种较好的绝缘介质、钝化层和保护材料．
侯永田张树霖高玉芝尹红坤宁宝俊李婷张利春
关键词：界面应力喇曼光谱AIN
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