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陈达
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3
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供职机构:
北京师范大学
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相关领域:
理学
电子电信
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合作作者
黄敞
北京师范大学
张燕文
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机构
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北京师范大学
作者
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陈达
1篇
张燕文
1篇
黄敞
传媒
1篇
电子学报
1篇
中国有色金属...
年份
1篇
1994
2篇
1993
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深亚微米MOSFET二维数值模拟的若干结果
1994年
对深亚微米器件,由于工作电压下降,要求重新确定LDD和常规MOSFET在VLSI中的作用.本文从基本器件数理方程出发,对深亚微米常规及LDDMOSFET的器件特性、热载流子效应及短沟道效应进行了二维稳态数值模拟,指出了常规和LDDMOSFET各自的局限性,明确了在深亚微米VLSI中,LDD仍然起主要作用。
余山
陈达
张燕文
黄敞
关键词:
MOSFET
数值模拟
深亚微米
AlGaAs/GaAs HBT's器件物理及周期稳态特性计算机数值分析
陈达
用AlGaAs薄层减少异质结双极晶体管的表面复合
齐臣杰
陈达
关键词:
异质结
双极晶体管
半导体工艺
砷化镓
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