您的位置： 专家智库 > >

陈达

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：北京师范大学更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇ALGAAS
  • 1篇亚微米
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结双极晶...
  • 1篇砷化镓
  • 1篇深亚微米
  • 1篇数值模拟
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇器件物理
  • 1篇周期
  • 1篇微米
  • 1篇稳态
  • 1篇稳态特性
  • 1篇晶体管
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体工艺
  • 1篇薄层
  • 1篇GAAS_H...
  • 1篇MOSFET
  • 1篇值模拟

机构

  • 3篇北京师范大学

作者

  • 3篇陈达
  • 1篇张燕文
  • 1篇黄敞

传媒

  • 1篇电子学报
  • 1篇中国有色金属...

年份

  • 1篇1994
  • 2篇1993
共 3 条 记 录，以下是 1-3
全选 清除 导出
排序方式：
深亚微米MOSFET二维数值模拟的若干结果
1994年
对深亚微米器件，由于工作电压下降，要求重新确定ＬＤＤ和常规ＭＯＳＦＥＴ在ＶＬＳＩ中的作用．本文从基本器件数理方程出发，对深亚微米常规及ＬＤＤＭＯＳＦＥＴ的器件特性、热载流子效应及短沟道效应进行了二维稳态数值模拟，指出了常规和ＬＤＤＭＯＳＦＥＴ各自的局限性，明确了在深亚微米ＶＬＳＩ中，ＬＤＤ仍然起主要作用。
余山陈达张燕文黄敞
关键词：MOSFET数值模拟深亚微米
AlGaAs/GaAs HBT's器件物理及周期稳态特性计算机数值分析
陈达
用ＡｌＧａＡｓ薄层减少异质结双极晶体管的表面复合
齐臣杰陈达
关键词：异质结双极晶体管半导体工艺砷化镓
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0