谢灯
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：华南师范大学光电子材料与技术研究所更多>>
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- 相关领域：理学机械工程一般工业技术电子电信更多>>
- 结合椭圆偏振光谱与傅里叶红外光谱的宽禁带半导体薄膜光学特性表征(英文)
- <正>Wide band gap semiconductor films,including silicon carbide(Si C),gallium nitride(Ga N),zinc oxide(Zn O)and...
- 谢灯丘志仁万玲玉Chin-CheTin梅霆冯哲川
- 文献传递
- 结合椭圆偏振光谱与傅里叶红外光谱的宽禁带半导体薄膜光学特性表征（英文）
- 2016年
- 宽禁带半导体薄膜,包括碳化硅,氮化镓和氧化锌及其化合物以及异构体,带隙普遍在3.2eV以上,一阶声子特征峰在100至1500cm^(-1)之间。确定能带宽度和声子特征峰有很多方法,比如光致发光、拉曼散射、光学透射谱等,我们提出了一种结合椭圆偏振光谱与红外傅里叶反射谱进行传输矩阵分析的方法,能够同时确定从紫外波段(约250nm)到远红外波段(约22000nm)的薄膜材料色散关系和膜厚。我们构建了基于谐振子的光学函数模型,并论证这个模型很适合用于模拟由各种不同波长入射光波造成的共振吸收。
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- 关键词：椭圆偏振光谱傅里叶红外光谱
- 结合椭圆偏振光谱与傅里叶红外光谱的宽禁带半导体薄膜光学特性表征
- Wide band gap semiconductor films, including silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), zinc oxide (ZnO) an...
- 谢灯丘志仁万玲玉Chin-Che Tin梅霆冯哲川
- 基于CVD方法生长在硅基底上立方碳化硅的拉曼散射研究（英文）被引量：1
- 2016年
- 立方碳化硅(3C-SiC)薄膜通过化学气相沉积(CVD)制备在Si(100)衬底上。本论文主要通过椭偏光谱仪(SE)和拉曼散射仪对3C-SiC薄膜的微观结构和光学性能进行进一步的研究。根据SE的分析获得3CSiC薄膜厚度;根据拉曼散射的分析:可从TO模式和LO模式的线形形状的拟合得到样品的相关长度和载流子浓度。结果表明:该碳化硅(3C-SiC)薄膜质量随膜厚度增加而得到提高,同时分析了外延层厚度对薄膜特性的影响。
- 陈帅谢灯丘志仁TIN Chin-che王洪朝梅霆万玲玉冯哲川
- 关键词：拉曼散射厚度
