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姚静

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：武汉理工大学理学院更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇导体
  • 1篇氧化铟
  • 1篇稀磁半导体
  • 1篇固相
  • 1篇固相反应
  • 1篇半导体
  • 1篇FE
  • 1篇掺杂改性

机构

  • 1篇武汉理工大学

作者

  • 1篇陈里
  • 1篇李咪
  • 1篇姚静

传媒

  • 1篇科技创新导报

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Ni掺杂Fe:In_2O_3稀磁半导体的结构和磁性能被引量：1
2009年
采用高温固相反应法制备出了(In0.9-xFe0.1Nix)2O3(x=0～0.03)。使用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、振动样品磁强计(VSM)分析了样品的微结构和室温下的磁性能。结果表明:不同烧结温度下(970°～1100°)对于0≤x≤0.02时,样品均为单相,晶格常数随x变大而降低,在x=0.02时取得最大饱和磁化强度Ms=1.267emu/g(T=300K)。x=0.03时有杂质相析出。对于Fe:In2O3体系无Ni掺杂时表现为顺磁,Ni掺杂后样品为室温铁磁性。结果表明:样品室温铁磁性与载流子浓度和磁性离子的引入有关。
陈里姚静李咪
关键词：稀磁半导体氧化铟固相反应掺杂改性
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共1页<1>
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