您的位置： 专家智库 > >

侯瑞祥

作品数：19 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 6篇原子扩散
  • 6篇沾污
  • 6篇金属
  • 6篇硅器件
  • 5篇电感耦合
  • 5篇电感耦合等离...
  • 5篇电子碰撞
  • 5篇砷化镓
  • 5篇砷化镓材料
  • 5篇砷化镓器件
  • 5篇离子
  • 5篇掺杂
  • 4篇等离子体处理
  • 4篇电压
  • 4篇电压源
  • 4篇直流
  • 4篇直流电
  • 4篇直流电压
  • 4篇直流电压源
  • 4篇硅材料

机构

  • 19篇北京大学
  • 1篇石家庄市第二...

作者

  • 19篇侯瑞祥
  • 18篇秦国刚
  • 18篇徐万劲
  • 15篇李磊
  • 4篇李艳平
  • 2篇肖池阶
  • 1篇彭士香
  • 1篇张景丰
  • 1篇李述体
  • 1篇宋伟东

传媒

  • 1篇科技创新导报

年份

  • 5篇2019
  • 5篇2018
  • 6篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
共 19 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种等离子体浸没离子注入掺杂装置及其应用
本发明公开了一种等离子体浸没离子注入掺杂装置及其应用。该装置在真空腔室顶部设置等离子体发生单元和等离子体耦合窗口，在紧挨等离子体耦合窗口下设置平行板腔，平行板腔的上下板暴露于真空腔室中的表面均沉积有掺杂杂质层，下板连接提...
秦国刚宿世臣侯瑞祥徐万劲臧之昊李磊
文献传递
一种室温环境下激励砷化镓中金属原子扩散的方法
本发明公开了一种激励砷化镓中金属原子扩散的方法，是在室温环境下对砷化镓材料或砷化镓器件进行电感耦合等离子体(ICP)处理，激励砷化镓中的金属原子发生扩散。该方法简单快捷，在室温环境下实现，不仅可用于改善砷化镓材料的性能，...
秦国刚李磊侯瑞祥姚利徐万劲
文献传递
等离子体掺杂中杂质进入半导体方式的讨论
2018年
在等离子体掺杂过程中,等离子体中的杂质,既可能通过扩散也可能通过离子注入的方式进入半导体。本文首先假设杂质以离子注入的形式进入半导体,基于杂质的浓度分布,借助LSS理论推出该情况下杂质的注入深度的表达式并计算出杂质的注入深度,然后与实验结果对比,发现计算值远小于实验值,得出假设不成立,进而推出杂质进入半导体的主要方式是扩散而不是离子注入。
张浩侯瑞祥
关键词：半导体离子注入扩散
一种在室温环境下向硅材料中引入固态杂质的方法
本发明公开了一种在室温环境下向硅材料中引入固态杂质的方法，是在室温环境下利用惰性气体产生的等离子体处理固态杂质源，使固态杂质源中的原子或离子进入等离子体，这些原子或离子通过与等离子体中正离子和电子碰撞获得动能，进而进入硅...
秦国刚侯瑞祥李磊徐万劲
一种在室温环境下向砷化镓材料引入杂质的方法
本发明公布了一种在室温环境下向砷化镓材料中引入杂质的方法，是在室温环境下利用惰性气体产生的等离子体处理固态杂质源，使杂质源的原子或离子进入等离子体，这些原子或离子通过与等离子体中正离子和电子碰撞获得动能，进而进入砷化镓材...
秦国刚李磊侯瑞祥徐万劲
一种等离子体激活掺杂装置
本发明公布了一种等离子体激活掺杂装置，在0‑300℃的非高温下实现对半导体材料或器件进行掺杂。所述等离子体激活掺杂装置包括真空腔室和等离子体发生单元，等离子体耦合窗口设置在底面，其上为杂质源台，被掺半导体台设置在腔室顶部...
徐万劲秦国刚肖池阶侯瑞祥杨肖易李艳平
文献传递
一种等离子体激励的非高温扩散掺杂装置及方法
本发明公布了一种等离子体激励的非高温扩散掺杂装置及方法。该装置在真空腔室顶部设置等离子体发生单元和等离子体耦合窗口，在紧挨等离子体耦合窗口下设置平行板腔，平行板腔的上下板暴露于真空腔室中的表面均沉积有掺杂杂质层，下板位于...
秦国刚宿世臣臧之昊徐万劲侯瑞祥李磊
文献传递
一种室温下吸除硅材料中金属杂质的方法
本发明公开了一种吸除硅材料中金属杂质的方法，在室温下对硅晶片或硅器件进行电感耦合等离子体(ICP)处理，功率为1～2000W，时间为1～60min，在硅晶片或硅器件表面形成缺陷区的同时将硅中的金属杂质吸至表面。该方法在室...
秦国刚侯瑞祥谢兮兮徐万劲
文献传递
一种室温环境中激励硅中非金属原子扩散的方法
本发明公开了一种激励硅中非金属杂质原子扩散的方法。在室温环境下，对硅材料或者硅器件进行电感耦合等离子体(ICP)处理，可以激励硅中P、B、As、O、N、F等非金属原子扩散。该方法无需高温，方便快捷，成本低廉，受二次污染的...
秦国刚谢兮兮侯瑞祥李磊徐万劲
文献传递
室温环境下激励砷化镓中金属原子扩散的方法
本发明公开了一种激励砷化镓中金属原子扩散的方法，在室温环境下先通过感应耦合等离子体处理或其他方法在砷化镓材料或砷化镓器件表面引入表面缺陷，再对砷化镓材料或砷化镓器件进行一定剂量的伽马射线辐照，激活励砷化镓内的金属杂质扩散...
徐万劲李磊李艳平姚利侯瑞祥秦国刚
文献传递
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0