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一种GaN基LED外延结构及其制备方法: 本发明属于光电子器件领域，具体为一种GaN基LED外延结构及其制备方法。GaN基LED外延结构包括在衬底上依次层叠的自组装GaN纳米棒、非故意掺杂的GaN层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源层、P型GaN层、...; 卢太平朱亚丹赵广洲许并社; 文献传递

一种提高GaN基LED内量子效率的外延方法: 本发明属于光电子器件领域，具体涉及一种提高GaN基LED内量子效率的外延方法，该材料结构包括在衬底上依次层叠生长低温成核层、非故意掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN/H<Sub>2</Sub>气体处理的低温GaN/高...; 许并社朱亚丹卢太平周小润; 文献传递

基于3D打印制备光子晶体结构LED的方法: 本发明属于光电子器件领域，具体涉及一种基于3D打印制备光子晶体结构LED的方法。一种基于3D打印制备光子晶体结构LED的方法，包括以下步骤：在具有的低温成核层、非故意掺杂的GaN层、N型GaN层、多量子阱有源层及P型Ga...; 卢太平朱亚丹周小润许并社; 文献传递

一种InGaN薄膜的制备方法: 一种InGaN薄膜的制备方法，属于光电子材料与器件技术领域，可解决现有外延生长高质量的InGaN薄膜中In偏析带来的表面粗糙，相分离和缺陷的问题，包括先在衬底上依次生长GaN成核层、GaN非故意掺杂缓冲层，中高温GaN层...; 卢太平郑延宁朱亚丹周小润许并社; 文献传递

一种提高GaN基LED内量子效率的外延生长方法: 本发明公开了一种提高GaN基LED内量子效率的外延生长方法，该材料结构包括在蓝宝石衬底上依次层叠生长低温成核层、非故意掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN/两部法的低温GaN/高温GaN组成的多量子阱层、电子阻挡层、p...; 卢太平朱亚丹许并社周小润

一种GaN基绿光LED外延结构及其制备方法: 本发明属于光电子器件领域，具体是一种GaN基绿光LED外延结构及其制备方法。本发明所述GaN基绿光LED外延结构，创新的采用若干对从下向上交替堆叠组成的InGaN/AlN/GaN作为多量子阱发光层，重点是多量子阱发光层中...; 卢太平朱亚丹许并社

基于3D打印制备LED器件电极的方法: 本发明属于光电子器件领域，具体为一种基于3D打印制备LED器件电极的方法。本发明将MOCVD或MBE生长的至少具有缓冲层、N型层、多周期的量子阱有源层及P型层的外延片作为基底材料，采用3D打印在P型层台面上打印ITO导电...; 许并社朱亚丹卢太平赵广洲

一种高发光效率氮化镓基LED外延片的制备方法: 本发明公开了一种高发光效率氮化镓基LED外延片的制备方法，该材料结构包括依次层叠的低温GaN成核层、3D结构GaN粗糙层、金属反射层、非故意掺杂的GaN层、N型GaN层、多量子阱有源层、电子阻挡层及P型GaN层。其中3D...; 卢太平朱亚丹周小润许并社; 文献传递

三维生长温度对非故意掺杂GaN外延层性能的影响被引量：2: 2016年; 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石(0001)面上生长GaN外延层,并系统研究了三维生长温度对外延层晶体质量和残余应力的影响机理。利用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、原子力显微镜(AFM)、光致发光光谱仪(PL)和拉曼光谱仪(Raman)分别对外延层的位错密度、表面形貌、发光性能和应力情况进行了分析。当三维生长温度分别为1060℃、1070℃和1080℃时,外延层刃位错密度分别为5.09×108/cm3、3.58×108/cm3和5.56×108/cm3,呈现先减小后增大的现象,而螺位错密度变化不显著,分别为1.06×108/cm3、0.98×108/cm3和1.01×108/cm3,同时外延层残余应力分别为0.86 GPa、0.81 GPa和0.65 GPa,呈现逐渐减小的趋势。这可能是由于三维生长温度不同时,外延层生长模式和弛豫程度发生改变所致。; 李小杜尚林朱亚丹贾志刚梅伏洪翟光美李学敏许并社; 关键词：GAN 位错残余应力

一种GaN基绿光LED外延结构及其制备方法: 本发明属于光电子器件领域，具体是一种GaN基绿光LED外延结构及其制备方法。本发明所述GaN基绿光LED外延结构，创新的采用若干对从下向上交替堆叠组成的InGaN/AlN/GaN作为多量子阱发光层，重点是多量子阱发光层中...; 卢太平朱亚丹许并社; 文献传递

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朱亚丹