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王宇
作品数:
61
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供职机构:
TCL集团股份有限公司
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相关领域:
电子电信
文化科学
一般工业技术
化学工程
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合作作者
曹蔚然
tcl集团股份有限公司
钱磊
tcl集团股份有限公司
杨一行
tcl集团股份有限公司
李龙基
tcl集团股份有限公司
聂志文
tcl集团股份有限公司
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机构
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TCL集团股...
作者
61篇
王宇
59篇
曹蔚然
32篇
钱磊
29篇
杨一行
16篇
李龙基
2篇
刘政
2篇
聂志文
年份
6篇
2020
30篇
2019
7篇
2018
11篇
2017
7篇
2016
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一种ZrO<sub>2</sub>、量子点发光二极管及其制备方法
本发明公开一种ZrO<Sub>2</Sub>、量子点发光二极管及其制备方法,方法包括步骤:将锆的金属盐和有机羧酸混合,然后加入有机溶剂,在惰性气体的保护氛围下110~130℃加热10~20min;待温度降到70~90℃时...
王宇
曹蔚然
杨一行
钱磊
一种QLED器件及其制备方法
本发明公开一种QLED器件及其制备方法,所述QLED器件包括层叠设置的阴极、量子点发光层和阳极,其中,还包括设置于量子点发光层与阳极之间的界面层,所述界面层的材料为碳量子点。本发明所制备的反型QLED器件,通过在HTL层...
王宇
曹蔚然
李龙基
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一种掺杂的NiO、发光二极管及其制备方法
本发明公开一种掺杂的NiO、发光二极管及其制备方法,其包括步骤:将镍盐、第一掺杂盐和第二掺杂盐混合于去离子水或者2‑甲氧基乙醇中,加入甘氨酸或乙酰丙酮,然后加热,制备得到Li<Sub>x</Sub>M<Sub>y</Su...
王宇
曹蔚然
杨一行
钱磊
文献传递
一种金属氧化物、QLED及制备方法
本发明公开一种金属氧化物、QLED及制备方法,金属氧化物制备方法包括步骤:将金属氧化物的前驱体溶解于溶剂中,然后与PVP混合,再在100~300℃条件下反应30min~2h,得到PVP包覆的金属氧化物,或者,将金属氧化物...
王宇
曹蔚然
一种基于金属/金属氧化物的QLED器件及其制备方法
本发明公开一种基于金属/金属氧化物的QLED器件及其制备方法。制备方法包括:步骤A、将金属单质沉积到衬底上;步骤B、对所述金属单质进行氧化处理,使所述金属单质上生长出金属氧化物;步骤C、对所述衬底进行退火处理,使金属单质...
王宇
曹蔚然
杨一行
钱磊
ZrO<sub>2</sub>薄膜及其后处理方法、QLED及其制备方法
本发明公开ZrO<Sub>2</Sub>薄膜及其后处理方法、QLED及其制备方法,方法包括步骤:首先在衬底上沉积一层ZrO<Sub>2</Sub>薄膜,然后将ZrO<Sub>2</Sub>薄膜浸入含有0.1‑0.5mol...
王宇
曹蔚然
杨一行
钱磊
一种In掺杂MoO<Sub>3</Sub>薄膜的制备方法
本发明提供了一种In掺杂MoO<Sub>3</Sub>薄膜的制备方法。所述In掺杂MoO<Sub>3</Sub>薄膜的制备方法,包括以下步骤:提供铟盐和MoO<Sub>3</Sub>,将所述铟盐和MoO<Sub>3</S...
王宇
曹蔚然
杨一行
钱磊
文献传递
掺杂ZrO<Sub>2</Sub>及制备方法、QLED器件及制备方法
本发明公开掺杂ZrO<Sub>2</Sub>及制备方法、QLED器件及制备方法,方法包括步骤:在锆盐的水溶液中,加入锌源和/或锡源,然后再加入氮源,并加入碱溶液,使反应体系pH=7.5‑9;然后将反应体系在150‑230...
王宇
曹蔚然
杨一行
钱磊
文献传递
一种QLED器件及其制备方法、高压处理装置
本发明公开一种QLED器件及其制备方法、高压处理装置,其中所述制备方法包括当功能传输层在器件上完成沉积后,在惰性环境下,对所述功能传输层进行高压处理的步骤。本发明通过对功能传输层进行高压处理,使QLED器件中的各功能层材...
王宇
曹蔚然
钱磊
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一种Cu:NiO纳米粒子、发光二极管及其制备方法
本发明公开一种Cu:NiO纳米粒子、发光二极管及其制备方法,其中,包括步骤:将镍盐和铜盐溶于去离子水中,然后使用碱溶液将溶液的pH调至pH=9~11,获得沉淀;然后将获得的沉淀进行离心和洗涤,接着将沉淀在60~120℃下...
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