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王宇

作品数:61 被引量:0H指数:0
供职机构:TCL集团股份有限公司更多>>
相关领域:电子电信文化科学一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 61篇中文专利

领域

  • 9篇电子电信
  • 2篇文化科学
  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 25篇空穴
  • 24篇发光
  • 14篇金属
  • 13篇空穴注入
  • 13篇空穴注入层
  • 13篇SUB
  • 12篇空穴传输
  • 11篇电子传输
  • 11篇电子传输层
  • 11篇氧化物
  • 11篇载流子
  • 11篇退火
  • 11篇量子
  • 11篇量子点
  • 11篇发光层
  • 10篇空穴传输层
  • 10篇掺杂
  • 8篇退火处理
  • 8篇功函数
  • 6篇底电极

机构

  • 61篇TCL集团股...

作者

  • 61篇王宇
  • 59篇曹蔚然
  • 32篇钱磊
  • 29篇杨一行
  • 16篇李龙基
  • 2篇刘政
  • 2篇聂志文

年份

  • 6篇2020
  • 30篇2019
  • 7篇2018
  • 11篇2017
  • 7篇2016
61 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种ZrO<sub>2</sub>、量子点发光二极管及其制备方法
本发明公开一种ZrO<Sub>2</Sub>、量子点发光二极管及其制备方法,方法包括步骤:将锆的金属盐和有机羧酸混合,然后加入有机溶剂,在惰性气体的保护氛围下110~130℃加热10~20min;待温度降到70~90℃时...
王宇曹蔚然杨一行钱磊
一种QLED器件及其制备方法
本发明公开一种QLED器件及其制备方法,所述QLED器件包括层叠设置的阴极、量子点发光层和阳极,其中,还包括设置于量子点发光层与阳极之间的界面层,所述界面层的材料为碳量子点。本发明所制备的反型QLED器件,通过在HTL层...
王宇曹蔚然李龙基
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一种掺杂的NiO、发光二极管及其制备方法
本发明公开一种掺杂的NiO、发光二极管及其制备方法,其包括步骤:将镍盐、第一掺杂盐和第二掺杂盐混合于去离子水或者2‑甲氧基乙醇中,加入甘氨酸或乙酰丙酮,然后加热,制备得到Li<Sub>x</Sub>M<Sub>y</Su...
王宇曹蔚然杨一行钱磊
文献传递
一种金属氧化物、QLED及制备方法
本发明公开一种金属氧化物、QLED及制备方法,金属氧化物制备方法包括步骤:将金属氧化物的前驱体溶解于溶剂中,然后与PVP混合,再在100~300℃条件下反应30min~2h,得到PVP包覆的金属氧化物,或者,将金属氧化物...
王宇曹蔚然
一种基于金属/金属氧化物的QLED器件及其制备方法
本发明公开一种基于金属/金属氧化物的QLED器件及其制备方法。制备方法包括:步骤A、将金属单质沉积到衬底上;步骤B、对所述金属单质进行氧化处理,使所述金属单质上生长出金属氧化物;步骤C、对所述衬底进行退火处理,使金属单质...
王宇曹蔚然杨一行钱磊
ZrO&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;薄膜及其后处理方法、QLED及其制备方法
本发明公开ZrO<Sub>2</Sub>薄膜及其后处理方法、QLED及其制备方法,方法包括步骤:首先在衬底上沉积一层ZrO<Sub>2</Sub>薄膜,然后将ZrO<Sub>2</Sub>薄膜浸入含有0.1‑0.5mol...
王宇曹蔚然杨一行钱磊
一种In掺杂MoO<Sub>3</Sub>薄膜的制备方法
本发明提供了一种In掺杂MoO<Sub>3</Sub>薄膜的制备方法。所述In掺杂MoO<Sub>3</Sub>薄膜的制备方法,包括以下步骤:提供铟盐和MoO<Sub>3</Sub>,将所述铟盐和MoO<Sub>3</S...
王宇曹蔚然杨一行钱磊
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掺杂ZrO<Sub>2</Sub>及制备方法、QLED器件及制备方法
本发明公开掺杂ZrO<Sub>2</Sub>及制备方法、QLED器件及制备方法,方法包括步骤:在锆盐的水溶液中,加入锌源和/或锡源,然后再加入氮源,并加入碱溶液,使反应体系pH=7.5‑9;然后将反应体系在150‑230...
王宇曹蔚然杨一行钱磊
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一种QLED器件及其制备方法、高压处理装置
本发明公开一种QLED器件及其制备方法、高压处理装置,其中所述制备方法包括当功能传输层在器件上完成沉积后,在惰性环境下,对所述功能传输层进行高压处理的步骤。本发明通过对功能传输层进行高压处理,使QLED器件中的各功能层材...
王宇曹蔚然钱磊
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一种Cu:NiO纳米粒子、发光二极管及其制备方法
本发明公开一种Cu:NiO纳米粒子、发光二极管及其制备方法,其中,包括步骤:将镍盐和铜盐溶于去离子水中,然后使用碱溶液将溶液的pH调至pH=9~11,获得沉淀;然后将获得的沉淀进行离心和洗涤,接着将沉淀在60~120℃下...
王宇曹蔚然杨一行钱磊
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共7页<1234567>
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