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聂志文

作品数：68 被引量：0H指数：0
供职机构：TCL集团股份有限公司更多>>
相关领域：理学一般工业技术电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 68篇中文专利

领域

  • 8篇理学
  • 7篇一般工业技术
  • 4篇电子电信
  • 2篇化学工程

主题

  • 57篇量子
  • 57篇量子点
  • 24篇发光
  • 17篇纳米
  • 17篇金属
  • 13篇前驱体
  • 11篇纳米材料
  • 10篇配体
  • 10篇离子
  • 10篇光效
  • 10篇光效率
  • 10篇发光效率
  • 9篇量子点材料
  • 9篇纳米材料技术
  • 8篇核反应
  • 7篇卤化
  • 7篇金属元素
  • 7篇空穴
  • 6篇氧化物
  • 6篇载流子

机构

  • 68篇TCL集团股...

作者

  • 68篇聂志文
  • 51篇杨一行
  • 8篇钱磊
  • 8篇刘政
  • 2篇王宇
  • 2篇曹蔚然

年份

  • 15篇2021
  • 25篇2020
  • 23篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2016
共 68 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
发光材料和量子点薄膜及其制备方法
本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种发光材料和量子点薄膜及其制备方法。所述发光材料包括量子点和结合在所述量子点表面的卤代芳香胺；其中，所述卤代芳香胺中含有不饱和链烃基，所述卤代芳香胺中的卤元素取代胺基上的氢。这样的发光...
聂志文刘文勇
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水溶性量子点的制备方法、水溶性量子点薄膜的制备方法
本发明提供了一种水溶性量子点的制备方法，包括以下步骤：在惰性气氛下，将巯基硅烷、烷基偶联剂溶于反应介质中得到第一混合液，在酸性催化介质下进行溶胶凝胶共聚合反应，制备巯基有机硅聚合物；将所述巯基有机硅聚合物分散在有机酮中，...
聂志文刘政杨一行
粒子及其制备方法
本发明属于纳米发光材料技术领域，具体涉及一种粒子及其制备方法。所述粒子包括量子点和包覆在所述量子点表面的金属复合氧化物层，所述金属复合氧化物层中的金属复合氧化物的禁带宽度≥3.6eV。该粒子中的金属复合氧化物层不仅可以更...
聂志文杨一行
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改性氧化锌纳米颗粒及其改性方法，及量子点发光二极管
本发明属于发光二极管技术领域，尤其涉及一种氧化锌纳米颗粒的改性方法，包括步骤：获取氧化锌溶液和甜菜碱类配体；将所述氧化锌溶液和所述甜菜碱类配体混合处理，在预设温度的保护气体氛围下反应，分离得到改性氧化锌。本发明提供的氧化...
聂志文刘文勇
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量子点及其制备方法
本发明属于纳米材料领域，具体涉及一种量子点及其制备方法。该量子点包括III‑V族量子点核和包覆在所述III‑V族量子点核表面的乙酰丙酮盐壳层。该量子点通过在III‑V族量子点核的表面引入一层乙酰丙酮盐壳层，可以钝化III...
聂志文杨一行
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一种量子点及其制备方法
本发明公开一种量子点及其制备方法，其中，所述量子点包括量子点核，包覆所述量子点核的金属层，包覆所述金属层的半导体壳层，其中，所述金属层中的金属元素选自Zn、Hg、Al、Ga和In中的一种或多种。所述金属层能够以量子点核表...
杨一行聂志文
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一种去除油溶性量子点中残余阳离子前驱体的方法
本发明提供了一种去除油溶性量子点中残余阳离子前驱体的方法，包括以下步骤：提供残余阳离子前驱体的油溶性量子点混合液；将所述油溶性量子点混合液在空气、惰性氛围或真空氛围下加入有机胺进行热混合处理，所述热混合处理的温度为80‑...
刘政程陆玲聂志文覃辉军杨一行曹蔚然钱磊
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复合材料及其制备方法和应用
本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种复合材料及其制备方法和应用。所述复合材料包括二氧化硅包覆量子点，以及结合在所述二氧化硅包覆量子点表面的石墨烯纳米片；其中，所述二氧化硅包覆量子点包括量子点以及包覆在所述量子点表面的...
聂志文杨一行
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一种量子点彩色滤光片
本发明公开一种量子点彩色滤光片，所述量子点彩色滤光片中的像素区域排布有多个子像素滤光层，至少一个子像素滤光层的材料包括量子点和分散所述量子点的基质，所述量子点包括量子点核，包覆所述量子点核的金属层，包覆所述金属层的半导体...
杨一行聂志文
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核壳结构量子点及其制备方法及偏振薄膜
本发明公开了核壳结构量子点及其制备方法及偏振薄膜。所述核壳结构量子点制备方法包括：制备含I‑III‑VI阴阳离子单体前驱物和第一配体的第一混合液；制备含II阳离子单体前驱物和第二配体的第二混合液；制备含VI族阴离子单体前...
聂志文杨一行
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