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基于界面钝化层的MOS电容器及其制备方法: 本发明提供一种基于界面钝化层的MOS电容器及其制备方法，制备包括：提供一重掺杂的衬底，并于衬底一表面上形成轻掺杂的外延层；于外延层内形成欧姆接触区；于外延层表面形成界面钝化层，并于界面钝化层表面形成栅结构，于结构表面形成...; 程新红王谦李静杰郑理沈玲燕张栋梁顾子悦钱茹俞跃辉; 文献传递

介质钝化对GaN HEMT性能的影响: 本文将生长在铜片上的石墨烯转移到AlGaN/GaN 异质结表面,氟化绝缘后,利用水基ALD石墨烯上生长high k 方法1,制备了以Al2O3 作为栅介质的氟化石墨烯绝缘栅介质高电子迁移率晶体管(FG-MIS HEMT)...; 沈玲燕程新红王中健张栋梁郑理曹铎王谦李静杰俞跃辉; 关键词：ALGAN/GAN 石墨烯钝化层电流崩塌

退火温度对Au/Ti/4H-SiC肖特基接触特性的影响被引量：1: 2017年; 采用电子束蒸发法在4H-SiC表面制备了Ti/Au肖特基电极,研究了退火温度对Au/Ti/4H-SiC肖特基接触电学特性的影响。对比分析了不同退火温度下样品的电流密度-电压(J-V)和电容-电压(C-V)特性曲线,实验结果表明退火温度为500℃时Au/Ti/4H-SiC肖特基势垒高度最大,在J-V测试和C-V测试中分别达到0.933 e V和1.447 e V,且获得理想因子最小值为1.053,反向泄漏电流密度也实现了最小值1.97×10^(-8)A/cm^2,击穿电压达到最大值660 V。对退火温度为500℃的Au/Ti/4H-SiC样品进行J-V变温测试。测试结果表明,随着测试温度的升高,肖特基势垒高度不断升高而理想因子不断减小,说明肖特基接触界面仍然存在缺陷或者横向不均匀性,高温下的测试进一步证明肖特基接触界面还有很大的改善空间。; 李静杰程新红王谦俞跃辉; 关键词：4H-SIC 退火处理不均匀性

一种利用金属/氧化物双层掩膜结构刻蚀SiC的方法: 本发明提供一种利用金属/氧化物双层掩膜结构刻蚀SiC的方法，所述方法至少包括：1)提供SiC外延片，在所述SiC外延片表面生长氧化物掩膜层；2)在所述SiC外延片待刻蚀区域的所述氧化物掩膜层表面形成光刻胶层；3)在所述氧...; 程新红王谦李静杰郑理沈玲燕张栋梁顾子悦钱茹俞跃辉; 文献传递

基于氟化石墨烯钝化的AlGaN/GaN HEMT器件及制作方法: 本发明的基于氟化石墨烯钝化的AlGaN/GaN HEMT器件及其制作方法，将单层石墨烯转移到AlGaN表面，经过氟离子处理后绝缘，以此替代常规氮化物钝化层。然后在石墨烯上生长高k材料，两者共同作为栅介质，制备AlGaN/...; 程新红沈玲燕王中健曹铎郑理王谦张栋梁李静杰俞跃辉; 文献传递

ICP参数和掩膜材料对SiC刻蚀界面的影响: 本文采用SF6和O2两种不同的气体对SiC进行ICP沟槽刻蚀,当O2的流量增加时,O2和F离子会与C生成易挥发的CO,CO2和COF2,进而增加了SiC的刻蚀速率(如图1所示)。; 李静杰程新红郑理沈玲燕王谦张栋梁钱茹俞跃辉; 关键词：表面粗糙度

基于界面钝化层的MOS电容器及其制备方法: 本发明提供一种基于界面钝化层的MOS电容器及其制备方法，制备包括：提供一重掺杂的衬底，并于衬底一表面上形成轻掺杂的外延层；于外延层内形成欧姆接触区；于外延层表面形成界面钝化层，并于界面钝化层表面形成栅结构，于结构表面形成...; 程新红王谦李静杰郑理沈玲燕张栋梁顾子悦钱茹俞跃辉; 文献传递

基于氟化石墨烯钝化的AlGaN/GaN HEMT器件及制作方法: 本发明的基于氟化石墨烯钝化的AlGaN/GaN？HEMT器件及其制作方法，将单层石墨烯转移到AlGaN表面，经过氟离子处理后绝缘，以此替代常规氮化物钝化层。然后在石墨烯上生长高k材料，两者共同作为栅介质，制备AlGaN/...; 程新红沈玲燕王中健曹铎郑理王谦张栋梁李静杰俞跃辉; 文献传递

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李静杰