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坩埚: 本实用新型公开了一种坩埚，应用于多晶硅铸锭生产，坩埚包括侧壁及连接侧壁的底壁，侧壁上设凹坑结构，凹坑结构沿侧壁高度方向设置并延伸至底壁。本实用新型提供的坩埚通过在坩埚的侧壁上设置凹坑结构，从而替代了现有的采用侧壁平整的设...; 何亮胡动力雷琦罗鸿志; 文献传递

一种晶体硅的制备方法及晶体硅: 本发明提供了一种晶体硅的制备方法，包括以下步骤：在晶体硅生长用坩埚内装填硅料，同时向坩埚内放入掺杂剂，并将坩埚放入用于晶体硅生长的炉子内，所述掺杂剂包括硼掺杂剂和铟掺杂剂，硼掺杂剂为含有硼元素的单质、合金和氮化物中的一种...; 罗鸿志胡动力何亮; 文献传递

无黑边缺陷的多晶硅片技术开发及其产业化: 胡动力何亮雷琦陈红荣李建敏钟德京张学日毛伟罗鸿志程小娟刘海; 该项目所属领域为光伏科学技术领域，主要是光伏多晶硅片的制造和加工领域。近年来，太阳能发电应用在国内来迅猛发展，中国已成为世界第一大太阳能产品制造和应用大国，带动了国内产值数千亿的新兴光伏产业。光伏产业要实现平价上网，降...; 关键词：; 关键词：多晶硅片太阳能发电

一种多晶硅铸锭炉: 本实用新型提供了一种多晶硅铸锭炉，包括炉体、设置在炉体内的坩埚、设置在所述坩埚外部的护板、设置在所述护板外部的加热装置以及设置在所述加热装置外部的隔热笼，所述坩埚的截面形状为由四个长度相等的短边以及四个长度相等的长边间隔...; 李松林陈斌罗鸿志黄亮亮何亮胡动力郭栋; 文献传递

籽晶铺设方法、铸锭单晶硅的生产方法和铸锭单晶硅: 本申请实施例提供了一种籽晶铺设方法，包括：提供坩埚，在所述坩埚的底部铺设籽晶层，其中，籽晶层由多个第一籽晶和多个第二籽晶间隔拼接形成，任意相邻两个所述第一籽晶之间设有一个所述第二籽晶，任意相邻两个所述第二籽晶之间设有一个...; 何亮罗鸿志雷奇毛伟周成徐云飞李建敏程小娟邹贵付甘胜泉陈仙辉; 文献传递

基于硅粉涂层技术的高效多晶硅锭研究: 2021年; 为降低多晶硅铸锭成本,需不断提高多晶硅锭质量和得材率。高效无籽晶全熔多晶硅锭具有较高得材率,但其质量偏差。基于全熔无籽晶铸锭技术,在喷涂氮化硅涂层的石英坩埚底部刷一层1~1.5 mm硅粉涂层作为多晶硅成核籽晶制备多晶硅铸锭。实验结果表明,硅粉成核晶粒细小且均匀性较好,位错密度较小,硅锭底部红区较短,电池平均转换效率比半熔有籽晶高效多晶硅锭制作的电池平均转换效率低0.03%。; 徐云飞何亮毛伟雷琦罗鸿志; 关键词：硅粉涂层成核

硼铟共掺高效多晶铸锭的制备: 2019年; 通过在铸锭中引入铟元素替代部分硼元素进行掺杂,成功的制备了掺铟多晶铸锭,且与常规铸锭在硅块电阻率分布、硅块少子少子寿命及硅片位错比例、硅片电池性能进行了对比。结果表明:通过控制合适的掺铟比例,铸锭的电阻率分布能得到有效控制,且相比常规铸锭电阻率分布更加集中;通过少子寿命仪的测试,发现掺铟铸锭整体少子寿命略高于常规铸锭;通过PL测试,发现掺铟铸锭硅片从底部至头部位错均较少;通过硅片电池数据对比,发现掺铟硅片短路电流及开路电压都相应的得到提高,硅片转换效率相比提高0.14%,推断一方面为铟元素引入应力场可阻挡位错滑移,另一方面可能为铟元素杂质光伏效应所致。; 罗鸿志何亮何亮徐云飞雷琦毛伟徐云飞李建敏周成; 关键词：位错

一种多晶硅锭及其制备方法和用于制备多晶硅锭的铸锭炉: 本发明提供了一种多晶硅锭的制备方法，包括：将多晶硅料和掺杂剂加入到多晶硅铸锭炉的坩埚内，掺杂剂为含有P型掺杂元素的单质、合金、氧化物和氮化物中的一种或多种，P型掺杂元素包括镓、铟和铝中的至少一种；在保护气体存在下，加热使...; 罗鸿志胡动力刘海; 文献传递

多晶硅片PL和电池效率的对应关系被引量：1: 2019年; 采用光致发光(PL)测试仪测试了多晶硅片的PL图像中的各参数与其制备为电池后的转换效率的关系,并分析了电池参数和PL图像参数的相互关系.采用自主编制的一款软件,分析了PL图像的黑丝比例和归一化PL强度参数,并计算对应硅片的数值结果.PL测试完成后,依次顺序制作了太阳能电池,并测试其电池效率和开路电压(V_(oc))等.实验结果表明:V_(oc)和PL图像归一化PL强度相关性良好,但与PL图像黑丝比例相关性差;而电池转换效率与PL图像归一化强度、黑丝比例相关性均不强.其原因是PL光致发光主要测试的硅片材料性能与电池V_(oc)相关,而电池转换效率不仅受硅基材的影响,还受电池工艺的影响,比如制绒工艺、扩散工艺、镀膜工艺等.本文利用半导体相关原理推导出了电池V_(oc)和归一化PL强度的相关性表达式,从原理上证明了归一化PL强度与电池V_(oc)的相关性,表明归一化PL强度与多晶硅片质量具有更高的相关性,更具指导意义.; 何亮曹盛刘海刘海罗鸿志刘华周成罗鸿志; 关键词：多晶硅电池效率

多晶硅铸锭用坩埚及其制备方法和多晶硅锭及其制备方法: 本发明提供了一种多晶硅铸锭用坩埚，包括坩埚本体和掺杂层，坩埚本体包括底座及由底座向上延伸的侧壁，掺杂层附着在距底座第一高度和第二高度之间的侧壁的内表面上，第一高度为坩埚内预填装硅料熔化后形成的熔融硅液液面距坩埚本体底座的...; 罗鸿志刘海胡动力何亮; 文献传递

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罗鸿志