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徐云飞

作品数:18 被引量:1H指数:1
供职机构:江西赛维LDK太阳能高科技有限公司更多>>
相关领域:理学电气工程电子电信动力工程及工程热物理更多>>

文献类型

  • 13篇专利
  • 5篇期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 2篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇动力工程及工...

主题

  • 8篇铸锭
  • 8篇坩埚
  • 7篇籽晶
  • 5篇单晶
  • 5篇多晶
  • 5篇熔融
  • 5篇熔融状态
  • 4篇单晶硅
  • 4篇多晶硅
  • 4篇少子寿命
  • 3篇生长面
  • 3篇体硅
  • 3篇种籽
  • 3篇位错
  • 3篇晶体硅
  • 3篇晶向
  • 3篇硅片
  • 2篇单质
  • 2篇形核
  • 2篇籽晶生长

机构

  • 18篇江西赛维LD...
  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 18篇徐云飞
  • 13篇何亮
  • 12篇陈红荣
  • 12篇胡动力
  • 6篇雷琦
  • 5篇罗鸿志
  • 4篇毛伟
  • 4篇周成
  • 3篇李建敏
  • 2篇程小娟
  • 1篇李松林
  • 1篇刘海
  • 1篇刘华
  • 1篇黄亮亮

传媒

  • 1篇太阳能学报
  • 1篇科学通报
  • 1篇中国金属通报
  • 1篇新余学院学报
  • 1篇中文科技期刊...

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 4篇2019
  • 7篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
18 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种多晶硅铸锭炉用坩埚保护板
本实用新型提供了一种多晶硅铸锭炉用坩埚保护板,包括盖板和隔热层,所述盖板设置于多晶硅铸锭炉坩埚顶部,所述盖板为中间有圆形通孔的矩形体,所述隔热层贴合在所述盖板外侧。本实用新型在盖板上覆盖一层隔热层,一方面利用隔热层来阻挡...
陈红荣胡动力徐云飞
文献传递
一种铸造类单晶用籽晶的重复利用方法
本发明提供了一种铸造类单晶用籽晶的重复利用方法,包括以下步骤:(1)提供坩埚,将单晶硅籽晶拼接铺设在坩埚底部,得到籽晶层;在籽晶层上方设置熔融状态的硅料,控制温度,使得熔融状态的硅料在单晶硅籽晶上继承单晶硅籽晶的晶向结构...
陈红荣胡动力何亮徐云飞
一种籽晶的铺设方法、准单晶硅片的制备方法及准单晶硅片
本发明提供了一种籽晶的铺设方法,用于准单晶的铸造,包括以下步骤:在坩埚底部铺设籽晶,所述籽晶的生长面晶向同为[001]或同为<Image file="DDA0000699652800000012.GIF" he="30"...
陈红荣胡动力徐云飞雷琦何亮
一种降低多晶硅锭红边宽度的铸锭方法、多晶硅锭和多晶硅铸锭用坩埚
本发明提供了一种降低多晶硅锭红边宽度的铸锭方法,包括以下步骤:提供坩埚,坩埚包括底座及由底座向上延伸的侧壁,底座和侧壁共同围成一收容空间,在朝向收容空间的侧壁表面设置阻挡层,阻挡层选自熔点大于硅且纯度在99.99%以上的...
陈红荣徐云飞胡动力
文献传递
籽晶铺设方法、铸锭单晶硅的生产方法和铸锭单晶硅
本申请实施例提供了一种籽晶铺设方法,包括:提供坩埚,在所述坩埚的底部铺设籽晶层,其中,籽晶层由多个第一籽晶和多个第二籽晶间隔拼接形成,任意相邻两个所述第一籽晶之间设有一个所述第二籽晶,任意相邻两个所述第二籽晶之间设有一个...
何亮罗鸿志雷奇毛伟周成徐云飞李建敏程小娟邹贵付甘胜泉陈仙辉
文献传递
基于硅粉涂层技术的高效多晶硅锭研究
2021年
为降低多晶硅铸锭成本,需不断提高多晶硅锭质量和得材率。高效无籽晶全熔多晶硅锭具有较高得材率,但其质量偏差。基于全熔无籽晶铸锭技术,在喷涂氮化硅涂层的石英坩埚底部刷一层1~1.5 mm硅粉涂层作为多晶硅成核籽晶制备多晶硅铸锭。实验结果表明,硅粉成核晶粒细小且均匀性较好,位错密度较小,硅锭底部红区较短,电池平均转换效率比半熔有籽晶高效多晶硅锭制作的电池平均转换效率低0.03%。
徐云飞何亮毛伟雷琦罗鸿志
关键词:硅粉涂层成核
一种多晶硅铸锭炉
本实用新型提供了一种多晶硅铸锭炉,该铸锭炉内设置有坩埚、护板、盖板、底板,坩埚放置在底板上,护板设置在坩埚外侧,盖板设置在坩埚上方,在所述护板四周的上方位置还设置有保温材料。由于保温材料仅设置在护板上方的位置,靠近坩埚底...
陈红荣胡动力徐云飞黄亮亮
文献传递
硼铟共掺高效多晶铸锭的制备
2019年
通过在铸锭中引入铟元素替代部分硼元素进行掺杂,成功的制备了掺铟多晶铸锭,且与常规铸锭在硅块电阻率分布、硅块少子少子寿命及硅片位错比例、硅片电池性能进行了对比。结果表明:通过控制合适的掺铟比例,铸锭的电阻率分布能得到有效控制,且相比常规铸锭电阻率分布更加集中;通过少子寿命仪的测试,发现掺铟铸锭整体少子寿命略高于常规铸锭;通过PL测试,发现掺铟铸锭硅片从底部至头部位错均较少;通过硅片电池数据对比,发现掺铟硅片短路电流及开路电压都相应的得到提高,硅片转换效率相比提高0.14%,推断一方面为铟元素引入应力场可阻挡位错滑移,另一方面可能为铟元素杂质光伏效应所致。
罗鸿志何亮何亮徐云飞雷琦毛伟徐云飞李建敏周成
关键词:位错
一种降低多晶硅锭红边宽度的铸锭方法、多晶硅锭和多晶硅铸锭用坩埚
本发明提供了一种降低多晶硅锭红边宽度的铸锭方法,包括以下步骤:提供坩埚,坩埚包括底座及由底座向上延伸的侧壁,底座和侧壁共同围成一收容空间,在朝向收容空间的侧壁表面设置阻挡层,阻挡层选自熔点大于硅且纯度在99.99%以上的...
陈红荣徐云飞胡动力
文献传递
一种晶体硅铸锭用籽晶及其制备方法和晶体硅及其制备方法
本发明提供了一种晶体硅铸锭用籽晶,包括籽晶本体以及包覆在籽晶本体表面的硅系化合物膜,硅系化合物膜的熔点大于或等于硅的熔点。该硅系化合物膜可保护籽晶避免被杂质污染,在该籽晶上生长出来的晶体硅位错较少,少子寿命较高。另外,该...
陈红荣徐云飞胡动力何亮
文献传递
共2页<12>
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