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超薄Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)铁电薄膜制备及在ETSOI器件应用研究被引量：1: 2022年; 基于超薄铁电薄膜材料的场效应晶体管(field effect transistor,FET)是集成电路在5 nm及以下技术节点实现低功耗和高性能的技术方案之一。然而,由于铁电薄膜存在“死层”(dead layer)效应,造成超薄铁电薄膜保持足够铁电性以应用于先进技术节点器件上困难。针对超薄铁电薄膜面临的问题,本文首先探索了原子层沉积法(atomic layer deposition,ALD)制备Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)铁电薄膜的工艺,发现沉积Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)薄膜厚度与ALD生长周期呈现良好的线性关系,其生长速率约为0.136 nm·cycle^(-1)。接着对Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)薄膜的铁电性进行了表征,发现8 nm Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)薄膜比4 nm和10 nm薄膜具有更大的晶粒和更强的铁电性,并且通过横向对比发现4 nm的Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)薄膜依然具有较好的铁电性(2P_(r)=9.3μC·cm^(-2))。最后,将4 nm Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)薄膜材料集成到n型超薄绝缘体上硅(extra-thin silicon on insulator,ETSOI)器件中,实现室温下的亚阈值摆幅(sub-threshold slop,SS)达到57.4 mV·dec^(-1),突破了玻尔兹曼限制(60 mV·dec^(-1)),为超薄Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)铁电薄膜材料以及负电容ETSOI器件研究和应用提供重要的技术基础。; 李昱东张兆浩闫江唐波唐波张青竹; 关键词：铁电

超薄埋氧层FDSOI器件制备及其性能测试被引量：1: 2016年; 全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)器件具有出色的短沟道效应(SCE)控制能力等优势,是22 nm及以下的CMOS技术节点中的有力竞争者。为了研究减薄埋氧层(BOX)厚度对FDSOI器件性能和短沟道效应的影响,并进一步提高FDSOI器件的短沟道效应控制能力,制备了超薄BOX(UTB)FDSOI器件,并同时制备除BOX厚度外其余条件完全相同的145 nm厚BOX FDSOI对比器件。对制备的器件进行了电学性能测试,展示了两种器件的传输特性和转移特性曲线,并且对器件施加背栅偏压以研究其对器件性能的调制作用。测试结果显示,UTB FDSOI器件的关断电流I_(off)与145 nm厚BOX FDSOI器件相比降低了近50%,DIBL性能也得到了显著提升。此外,施加背栅偏压不仅可以更灵敏地调制FDSOI器件性能,而且可以有效地优化器件的短沟道效应。; 谭思昊李昱东徐烨峰闫江

自对准形成孔槽、电容的方法及孔槽、电容: 本发明提供了一种自对准形成孔槽的方法，包括步骤：提供待刻蚀层；刻蚀待刻蚀层，以形成第一孔槽；进行叠层的淀积，所述叠层至少包括三层材料层，且至少有一层材料层至少相对于其相邻的一材料层具有刻蚀选择性；进行平坦化，直至第一孔槽...; 赵利川李昱东闫江; 文献传递

超薄埋氧层厚度对FDSOI器件短沟道效应影响被引量：1: 2017年; 随着CMOS技术发展到22nm技术节点以下,体硅平面器件达到等比例缩小的极限。全耗尽超薄绝缘体上硅CMOS(FDSOI)技术具有优秀的短沟道效应控制能力,利用TCAD软件,对不同埋氧层厚度的FDSOI器件短沟道效应进行数值仿真,研究减薄BOX厚度及器件背栅偏压对器件性能和短沟道效应的影响。仿真结果表明,减薄BOX厚度使FDSOI器件的性能和短沟道效应大幅提升,薄BOX衬底背栅偏压对FDSOI器件具有明显的阈值电压调制作用,6.00V的背栅偏压变化产生0.73V的阈值电压调制。在适当的背栅偏压下,FDSOI器件的短沟道特性(包括DIBL性能等)得到优化。实验结果表明,25nm厚BOX的FDSOI器件比145nm厚BOX的FDSOI器件关断电流减小近50%,DIBL减小近20%。; 谭思昊李昱东徐烨峰闫江; 关键词：短沟道效应

一种复合鳍、半导体器件及其形成方法: 本发明提供了一种复合鳍的形成方法，包括：提供衬底；通过侧墙图案转移，在衬底上形成第一侧墙掩膜；通过侧墙图案转移，在第一侧墙掩膜的侧壁上形成第二侧墙掩膜；以第一侧墙掩膜和第二侧墙掩膜为掩蔽，进行衬底的刻蚀，以形成鳍，以及去...; 李昱东闫江; 文献传递

自对准形成孔槽、电容的方法及孔槽、电容: 本发明提供了一种自对准形成孔槽的方法，包括步骤：提供待刻蚀层；刻蚀待刻蚀层，以形成第一孔槽；进行叠层的淀积，所述叠层至少包括三层材料层，且至少有一层材料层至少相对于其相邻的一材料层具有刻蚀选择性；进行平坦化，直至第一孔槽...; 赵利川李昱东闫江; 文献传递

一种复合鳍的形成方法: 本发明提供了一种复合鳍的形成方法，包括：提供衬底；通过侧墙图案转移，在衬底上形成第一侧墙掩膜；通过侧墙图案转移，在第一侧墙掩膜的侧壁上形成第二侧墙掩膜；以第一侧墙掩膜和第二侧墙掩膜为掩蔽，进行衬底的刻蚀，以形成鳍，以及去...; 李昱东闫江; 文献传递

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李昱东