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迟庆斌
作品数:
5
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供职机构:
云南大学
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相关领域:
一般工业技术
金属学及工艺
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合作作者
王荣飞
云南大学
杨宇
云南大学
王茺
云南大学
张璋
云南大学
邱锋
云南大学
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机构
5篇
云南大学
作者
5篇
迟庆斌
4篇
杨宇
4篇
王荣飞
2篇
王茺
1篇
杨杰
1篇
邱锋
1篇
张璋
年份
1篇
2017
4篇
2016
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5
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磁控溅射高密度Ge/Si纳米点及光电特性的研究
Ge量子点由于尺寸接近其激子波尔半径而会产生一系列量子效应,使其光电性能区别于体材料,而发生显著的变化,可以广泛应用于探测器、激光器等多种光电器件中。在硅基底上自组织生长的Ge量子点由于具有与成熟的硅集成电路工艺兼容的特...
迟庆斌
关键词:
磁控溅射
光电特性
文献传递
磁控溅射联合快速退火技术制备Ge/Si量子点
本发明涉及一种磁控溅射联合快速退火技术生长Ge量子点的方法,属于半导体量子材料的制备技术领域。本发明基于超高真空磁控溅射技术,以Ar气为工作气体,在真空度小于或等于2.0×10<Sup>-4</Sup>Pa时,首先采用射...
杨宇
舒启江
迟庆斌
王荣飞
一种高效近红外发光的低维锗硅量子材料及其制备方法
本发明提供一种高效近红外发光的低维锗硅量子材料及其制备方法,属搬半导体量子点发光技术领域。本发明主要采用溅射技术,采用离子溅射仪溅射以1nm/min速率在室温下溅射金纳米薄膜,或采用磁控射频溅射技术,在预处理后的硅基底上...
王荣飞
杨宇
舒启江
迟庆斌
张璋
王茺
邱锋
周蒙薇
文献传递
磁控溅射联合快速退火技术制备Ge/Si量子点
本发明涉及一种磁控溅射联合快速退火技术生长Ge量子点的方法,属于半导体量子材料的制备技术领域。本发明基于超高真空磁控溅射技术,以Ar气为工作气体,在真空度小于或等于2.0×10<Sup>‑4</Sup>Pa时,首先采用射...
杨宇
舒启江
迟庆斌
王荣飞
文献传递
一种快速退火制备Al-Si<Sup>+</Sup>欧姆接触的方法
本发明涉及一种磁控溅射联合快速退火技术高效制备Al-Si<Sup>+</Sup>欧姆接触电极的方法,属于半导体材料的制备技术领域。本发明基于超高真空磁控溅射技术,以Ar气为工作气体,在真空度为3.0×10<Sup>-4<...
杨宇
迟庆斌
舒启江
王茺
王荣飞
杨杰
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