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彭悦

作品数：19 被引量：1H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 13篇铁电
  • 13篇晶体管
  • 11篇场效应
  • 11篇场效应晶体管
  • 10篇电场
  • 10篇铁电场效应晶...
  • 6篇电路
  • 6篇栅介质
  • 5篇集成电路
  • 4篇异质结
  • 4篇隧穿
  • 4篇隧穿电流
  • 4篇纳米
  • 4篇纳米晶
  • 4篇极区
  • 3篇铁电材料
  • 3篇介质层
  • 3篇大规模集成电...
  • 2篇电路工艺
  • 2篇氧化物薄膜

机构

  • 19篇西安电子科技...

作者

  • 19篇彭悦
  • 18篇韩根全
  • 16篇郝跃
  • 9篇张春福
  • 8篇刘艳
  • 6篇张进城
  • 4篇汪银花
  • 3篇张进成
  • 2篇张国庆
  • 2篇冯倩

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 3篇2022
  • 3篇2021
  • 2篇2020
  • 3篇2019
  • 2篇2018
  • 2篇2016
  • 2篇2015
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于InAs材料的铁电隧穿场效应晶体管及其制备方法
一种基于InAs材料的铁电隧穿场效应晶体管及其制备方法，解决了现有隧穿场效应晶体管导通电流小和亚阈摆幅无法降低的问题。该铁电隧穿场效应晶体管包括：衬底1、源极2、沟道3、漏极4、绝缘电介质薄膜5、内部栅电极6、铁电栅介质...
韩根全张春福彭悦郝跃张进城冯倩
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一种超晶格结构薄膜及其应用
本发明公开了一种超晶格结构薄膜及其应用。本发明的超晶格结构薄膜为多层膜结构，由HfO<Sub>2</Sub>和ZrO<Sub>2</Sub>周期性交替叠加形成，总厚度为6‑20nm；一个周期里所述HfO<Sub>2</S...
彭悦韩根全张悦媛肖文武刘艳郝跃
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基于GaAsN-GaAsSb材料的II型异质结隧穿场效应晶体管
本发明公开了一种基于GaAsN-GaAsSb材料的II型异质结隧穿场效应晶体管，主要解决现有III-V族材料制备隧穿场效应晶体管性能差的问题。其包括衬底(1)、源极(2)、沟道(3)、漏极(4)、绝缘电介质(5)和栅电极...
韩根全张春福彭悦汪银花张进城郝跃
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基于HfO<Sub>2</Sub>-ZrO<Sub>2</Sub>超晶格铁电栅介质的晶体管及其制备方法
本发明属于电子技术领域，公开了一种基于HfO<Sub>2</Sub>‑ZrO<Sub>2</Sub>超晶格铁电栅介质的晶体管及其制备方法，该晶体管包括：底电极、超晶格铁电栅介质层、金属氧化物沟道、源极、漏极、绝缘电介质薄...
彭悦韩根全马煜肖文武刘艳郝跃
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一种铁电电容和铁电场效应晶体管及制备方法
本发明公开了一种铁电电容，所述薄膜铁电电容包括顺序叠置的衬底、介质层和上电极，所述介质层包括至少一层不定型氧化物薄膜或者多晶氧化物薄膜。本发明所述铁电电容的介质层采用不定型氧化物薄膜或者多晶氧化物薄膜，不再局限于单晶或者...
韩根全彭悦刘艳郝跃
基于氧化铝材料内嵌纳米晶的铁电场效应晶体管及制备方法
本发明公开了一种基于氧化铝材料内嵌纳米晶的铁电场效应晶体管及制备方法，主要解决现有铁电场效应晶体管中传统铁电栅介质与现有工艺不兼容，氧化铪基铁电薄膜会产生较大漏电的问题。其自下而上包括衬底(1)、沟道(2)、栅介质层(5...
韩根全彭悦朱明璋张春福张进成郝跃
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一种神经元模拟装置及其控制方法
本发明公开了一种神经元模拟装置及其控制方法，所述装置包括：第一模块、第二模块和第三模块；第二模块包括非晶类铁电场效应晶体管，所述第二模块用于在所述非晶类铁电场效应晶体管的极化退化特性的作用下，使神经元模拟装置恢复到初始化...
彭悦张国庆肖文武韩根全刘艳郝跃
一种铁电电容和铁电场效应晶体管及制备方法
本发明公开了一种铁电电容，所述薄膜铁电电容包括顺序叠置的衬底、介质层和上电极，所述介质层包括至少一层不定型氧化物薄膜或者多晶氧化物薄膜。本发明所述铁电电容的介质层采用不定型氧化物薄膜或者多晶氧化物薄膜，不再局限于单晶或者...
韩根全彭悦刘艳郝跃
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基于氧化铝材料内嵌纳米晶的铁电场效应晶体管及制备方法
本发明公开了一种基于氧化铝材料内嵌纳米晶的铁电场效应晶体管及制备方法，主要解决现有铁电场效应晶体管中传统铁电栅介质与现有工艺不兼容，氧化铪基铁电薄膜会产生较大漏电的问题。其自下而上包括衬底(1)、沟道(2)、栅介质层(5...
韩根全彭悦朱明璋张春福张进成郝跃
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基于InAsN‑GaAsSb材料的交错型异质结隧穿场效应晶体管
本发明公开了一种基于InAsN‑GaAsSb材料的交错型异质结隧穿场效应晶体管，主要解决现有III‑V族材料制备场效应晶体管开态电流较低的问题。其包括衬底(1)、源极(2)、沟道(3)、漏极(4)、绝缘介电质薄膜(5)及...
韩根全张春福彭悦汪银花张进城郝跃
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共2页<12>
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