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王青松
作品数:
5
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供职机构:
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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相关领域:
电气工程
电子电信
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合作作者
陆书龙
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
谭明
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
王鑫
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
陈俊霞
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
贾少鹏
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
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机构
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作者
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王青松
4篇
陆书龙
3篇
谭明
2篇
代盼
2篇
边历峰
2篇
贾少鹏
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陈俊霞
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池田昌夫
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GaInP/GaAs /InGaAs/Ge四结级联太阳电池及其制作方法
本申请公开了一种四结级联太阳电池及其制作方法,将基于倒置结构生长的GaInP/GaAs/InGaAs三结太阳和Ge太阳电池进行单片集成,实现四结带隙能量分别为1.9/1.4/1.0/0.67eV的太阳电池。本发明采用具有...
陈俊霞
任昕
边历峰
陆书龙
贾少鹏
王青松
王鑫
文献传递
GaInP/GaAs/InGaAs/Ge四结级联太阳电池及其制作方法
本申请公开了一种四结级联太阳电池及其制作方法,将基于倒置结构生长的GaInP/GaAs/InGaAs三结太阳和Ge太阳电池进行单片集成,实现四结带隙能量分别为1.9/1.4/1.0/0.67eV的太阳电池。本发明采用具有...
陈俊霞
边历峰
陆书龙
贾少鹏
王青松
王鑫
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太阳能电池栅线复合电极
一种太阳能电池栅线复合电极,包括设在电池上的透明导电栅线电极以及金属栅线电极,其中:所述透明导电栅线电极为透明导电氧化物栅线电极;所述金属栅线电极覆盖在所述透明导电栅线电极上,并与该透明导电氧化物栅线电极形成欧姆接触。本...
王青松
陆书龙
谭明
文献传递
InGaAs热光伏电池及其特性研究
谭明
吴渊源
季莲
代盼
卢建娅
王青松
陆书龙
ITO/金属和ITO/n-GaAs接触电阻的研究
采用电子束蒸发技术在SiO2,半绝缘Si,n型GaAs衬底上沉积氧化铟锡薄膜,包含5%组分的SnO2和95%的In2O3.测试薄膜基本电学、光学性能,并将其用于ITO金属和ITO/n-GaAs之间非整流接触的研究.利用圆...
王青松
谭明
池田昌夫
代盼
吴渊渊
陈俊霞
陆书龙
杨辉
关键词:
氧化铟锡
金属镍
接触电阻率
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