邵乐喜
- 作品数：69 被引量：107H指数：6
- 供职机构：湛江师范学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省教育厅自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 无Cd薄膜CuInS2太阳电池的低成本全程溅射技术制作
- 本文提出了一种新的无Cd薄膜CuInS太阳电池的工业化生产技术,通过运用全程溅射工艺降低制作成本。为改善短波段的量子效率和增大短路电流,采用反应溅射制作了ZnS薄膜代替CdS作为缓冲层避免了对环境的污染。所制得的ZnO:...
- 邵乐喜黄惠良
- 文献传递
- ZnO∶TMLi基多铁材料的制备及缺陷浓度对室温铁磁性的影响
- 多铁材料(multiferroic)即在同一材料内同时拥有两个或两个以上的铁有序参数比如铁电，铁磁或铁弹性。当外加磁场、电场或应力发生变化时，这类材料的自发磁极化、自发电极化或自发形变的方向会发生相应的调整变化。多铁性综...
- 邹长伟张军邵乐喜
- 原位氮掺杂对CVD金刚石薄膜生长和结构的影响
- 以氮气为杂质源,采用微波等离子体化学气相沉积技术进行了金刚石薄膜的原位掺杂,研究了氮掺杂对CVD金刚石薄膜的形貌结构和生长行为的影响.运用SEM,Raman,XRD和FTIR等手段对样品进行了分析表征.实验结果表明,原位...
- 邵乐喜刘小平屈菊兰谢二庆贺德衍陈光华
- 关键词：氮掺杂化学气相沉积工艺参数
- 文献传递
- Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+的制备与长余辉发光性能研究
- 采用高温固相反应制备稀土掺杂长余辉发光样品.原料配比按照化学式Sr4Al14O25:Eu2+0.01, Dy3+0.02准确称取,反应温度从1100℃逐渐升至1400℃,通过X射线衍射(XRD)图谱和扫描电子显微镜(SE...
- 谢伟邵乐喜张军邹长伟李达吴嘉媚
- 关键词：高温固相法铝酸锶长余辉
- 文献传递
- 射频磁控溅射制备铝酸锶长余辉发光薄膜被引量：2
- 2013年
- 采用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上制备稀土掺杂铝酸锶薄膜,在900℃和1100℃下、弱还原气氛中退火,分别得到SrAl2O4∶Eu2+,Dy3+和Sr4Al14O25∶Eu2+,Dy3+长余辉发光薄膜.结果表明:SrAl2O4结构是形成Sr4Al14O25相结构的中间相;在360nm激发光激发下,SrAl2O4∶Eu2+,Dy3+薄膜发光峰位于517nm处左右,发光强度相对略高于Sr4Al14O25∶Eu2+,Dy3+薄膜,且后者发光峰位于490nm处左右;Sr4Al14O25∶Eu2+,Dy3+薄膜的余辉性能优于SrAl2O4∶Eu2+,Dy3+薄膜.
- 谢伟梁枫邹长伟唐美蝶邵乐喜
- 关键词：磁控溅射铝酸锶长余辉
- ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上射频溅射ZnO:Al薄膜的SEM研究
- 2005年
- 结合ZnO薄膜在Cu-Ⅲ-Ⅵ2基薄膜太阳电池上的应用,采用射频磁控溅射技术以陶瓷ZnO:Al2O3为靶材在ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上于固定沉积条件下低温(200℃)制备了铝掺杂氧化锌(ZnO:Al)薄膜.运用扫描电子显微镜研究了底层材料特别是ZnS和CuInS2的生长参数对沉积的ZnO:Al薄膜的表面形貌的影响.实验发现,衬底材料中硫含量的增加(无论来自ZnS还是来自CuInS2),都会引起沉积ZnO:Al薄膜结晶质量的提高,而金属含量的增大将有利于薄膜均匀性的改进.
- 邵乐喜刘小平黄惠良
- 关键词：射频溅射扫描电镜
- 基于自洽输运理论的介观体系动态电导的研究
- 2011年
- 基于介观体系电子动态输运的自洽理论,讨论了介观结构的动态电导.作为该理论的应用,采用一介观相干平行板电容器模型来进行研究.结果表明:体系的动态电导与外场频率和体系费米能有关,为一复数且有有限虚部.当外场频率较小时,动态电导随费米能的变化所呈现的特性和直流情形非常相似,但是随着外场频率的增加,两者差异就变得非常明显,体系动态电导随外场频率的变化呈现一些峰值结构.在给定体系费米能时,动态电导随着外场频率的变化而产生振荡,并且出现了负的电导虚部,电导虚部的正负表明了体系的电容特性和电感特性.
- 全军T. C. Au Yeung邵乐喜
- 关键词：电导介观体系
- 脉冲光化学法制备用作CIGS太阳能电池缓冲层的CdS薄膜
- 铜铟镓硒(CIGS)化合物薄膜太阳电池按照沉积顺序依次是Mo金属背电极、CIGS吸收层、CdS缓冲层、高阻i-ZnO层和ZnO:Al窗口层、Ni/Al栅电极和MgF2增透膜。CdS缓冲层是太阳电池的n型层,与CIGS吸收...
- 张军高娟游来彭晓霞邵乐喜
- 文献传递
- 氮掺杂VCD金刚石薄膜的场电子发射研究被引量：2
- 1999年
- 用微波等离子体化学气相沉积（ＭＰ－ＣＶＤ）方法生长氮掺杂金刚石薄膜，研究发薄膜场电子发射性能。实验结果表明，不同氮源气体流量下制备的榈均呈现连续而稳定的场电子发射，但发射性能对氮源气体流量有强烈的依赖性。随着氮源气体流量由０逐渐增大到０．５ｃｍ＾３（ＳＴＰ）／ｍｉｎ，发射的开启电压从１０５０Ｖ逐渐减小为１５０Ｖ，而当氮流量超过０．５ｃｍ＾３（ＳＴＰ）／ｍｉｎ时，开启电压则不断增大，当氮流量为３．
- 邵乐喜陈光华
- 关键词：电子发射氮掺杂金刚石薄膜
- 用于太阳电池吸收层的Cu2ZnSnS4薄膜的制备及其光电特性被引量：1
- 2007年
- 采用真空蒸镀技术在钠钙玻璃衬底上蒸镀Cu/Sn/ZnS前驱体,在氮气保护下,硫化制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜.运用X射线衍射仪(XRD)、Hall效应测试仪、紫外-可见光(UV-VIS)分光光度计对样品进行了表征分析,研究了前驱体中预计原子比对CZTS薄膜的晶体结构及光电特性的依赖关系.通过对蒸发源Cu的质量的控制与微调,获得了具有单一相类黝锡矿结构的CZTS薄膜,其对可见光的光吸收系数大于104cm-1、光学禁带宽度约为1.51eV,薄膜的电阻率、载流子迁移率和载流子浓度分别为1.46Ω·cm,4.2cm2/(V·s)和2.37×1018cm-3,适合作为薄膜太阳电池的吸收层.
- 邵乐喜付玉军张军贺德衍
- 关键词：真空蒸镀硫化
