韩冰
- 作品数：37 被引量：45H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学文化科学更多>>
- 128×1线列InGaAs短波红外焦平面的研究被引量：14
- 2006年
- 报道了用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂InGaAs吸收层PIN InP/InGaAs/InP双异质结外延材料,通过干法刻蚀和湿法腐蚀相结合制作台面、硫化和聚酰亚胺钝化、电极生长等工艺,制备了128×1台面正照射InGaAs探测器阵列.测试了器件的变温I-V、响应光谱和探测率,在278K时平均峰值探测率为1.03×1012cmHz1/2W-1.实现了128元InGaAs探测器阵列与CTIA结构L128读出电路相互连,经封装后,在室温(291K)时成功测出128元响应信号.焦平面响应的不均匀性为18.3%,并对不均匀性产生的原因进行了分析.
- 吕衍秋徐运华韩冰孔令才亢勇庄春泉吴小利张永刚龚海梅
- 关键词：探测器焦平面INGAAS钝化
- 一种数字域TDI探测器的优化匹配成像方法及装置
- 本发明公开了一种数字域TDI探测器的优化匹配成像方法及装置。该方法首先对数字域TDI探测器的输出信号进行采集，按列进行独立存储。选择其中一个存储器为参考，以列为单位从其中读出数据作为目标列。利用目标列与其他存储器的数据进...
- 陈忻饶鹏韩冰赵云峰
- 文献传递
- 微波反射光电导衰减法测量InGaAs吸收层的均匀性被引量：1
- 2006年
- 外延材料的均匀性对制备大型线列和二维面阵焦平面阵列(FPA)探测器非常重要。用微波反射光电导衰减法(-μPCD)分别在300 K和85 K温度下测量了用分子束外延技术生长的p-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结中掺杂InGaAs吸收层的载流子寿命分布图,并详细论述了这种测试技术的理论基础。在300 K和85 K时,平均寿命分别为168.2 ns和149.4 ns,结果与ZnS/n-InGaAs/n-InP的基本一致。寿命变温曲线表明,中等掺杂InGaAs载流子寿命在低温下变化较小。-μPCD法可以非接触无损伤快速测量p-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结中InGaAs的寿命图,对于表征InGaAs吸收层的均匀性有潜在的应用,这对研制均匀性良好的InGaAs焦平面探测器非常重要。
- 吕衍秋王妮丽庄春泉韩冰李向阳龚海梅
- 关键词：均匀性INGAAS载流子寿命焦平面阵列
- 256×1线列InGaAs短波红外焦平面的研究
- 本文利用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂InGaAs吸收层PIN InP/InGaAs/InP双异质结外延材料,通过台面制作、硫化后覆盖聚酰亚胺钝化、电极生长等工艺,制作了台面构造的256×1正照射InGaAs探测器阵...
- 韩冰吕衍秋吴小利李雪龚海梅
- 关键词：红外探测器焦平面阵列半导体材料分子束外延
- 文献传递
- 微台面结构的铟镓砷线列探测器
- 本发明公开了一种微台面结构的铟镓砷线列探测器，结构为：在半绝缘InP衬底上有n型InP层，在n型InP层上置有通过刻蚀形成的由InGaAs吸收层和P型InP层构成的线列微台面，在微台面上的p型电极引出区生长有一层p-In...
- 吕衍秋韩冰唐恒敬任仁吴小利乔辉张可锋李雪龚海梅
- 文献传递
- 微台面结构的铟镓砷线列探测器
- 本发明公开了一种微台面结构的铟镓砷线列探测器，结构为：在半绝缘InP衬底上有n型InP层，在n型InP层上置有通过刻蚀形成的由InGaAs吸收层和P型InP层构成的线列微台面，在微台面上的p型电极引出区生长有一层p－In...
- 吕衍秋韩冰唐恒敬任仁吴小利乔辉张可锋李雪龚海梅
- 文献传递
- 一种数字TDI红外探测器的实时盲元检测方法
- 本发明公开了一种数字TDI红外探测器的实时盲元检测方法。该方法对数字TDI红外探测器工作时的图像进行实时采集，将当前帧的图像数据按象元顺序与前一帧缓存器的图像数据、特征缓存器中的特征数据进行比较累加，计算新的象元统计特征...
- 陈忻韩冰苏晓锋夏晖李夜金黄茂潼饶鹏孙胜利
- 文献传递
- 一种数字TDI红外探测器的实时盲元检测方法
- 本发明公开了一种数字TDI红外探测器的实时盲元检测方法。该方法对数字TDI红外探测器工作时的图像进行实时采集，将当前帧的图像数据按象元顺序与前一帧缓存器的图像数据、特征缓存器中的特征数据进行比较累加，计算新的象元统计特征...
- 陈忻韩冰苏晓锋夏晖李夜金黄茂潼饶鹏孙胜利
- ZnS／聚酰亚胺双层钝化InGaAs台面线列探测器的研究
- InGaAs探测器由于在短波红外波段可以室温工作,并且探测率高于HgCdTe,在国外已经用于卫星遥感。InGaAs线列和面阵焦平面多采用背照射Zn扩散平面结探测器,但是存在扩散工艺复杂和光敏面扩大等问题。InGaAs台面...
- 吕衍秋韩冰唐恒敬吴小利孔令才李雪龚海梅
- 文献传递
- p^+-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结结构的微波反射光电导衰减法表征及机理分析
- 2007年
- 采用微波反射光电导衰减法测量了p+-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结材料的非平衡载流子寿命分布,通过对非平衡载流子浓度在p+n结中衰减过程的分析,建立了在此结构材料中微波反射光电导衰退法测试少子寿命与器件参数之间的联系,并且解释了寿命测试值随温度降低而减小的反常行为.
- 吴小利王妮丽张可峰唐恒敬黄翌敏韩冰李雪龚海梅
- 关键词：铟镓砷双异质结
