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刘颖

作品数：5 被引量：4H指数：1
供职机构：吉林大学更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 4篇激光
  • 4篇激光器
  • 3篇腔面
  • 3篇面发射
  • 3篇半导体
  • 3篇垂直腔
  • 3篇垂直腔面
  • 3篇垂直腔面发射
  • 2篇面发射半导体...
  • 2篇半导体激光
  • 2篇半导体激光器
  • 2篇垂直腔面发射...
  • 2篇INGAAS
  • 1篇跃迁
  • 1篇砷化镓
  • 1篇室温
  • 1篇无源
  • 1篇量子
  • 1篇面发射激光器
  • 1篇光跃迁

机构

  • 4篇吉林大学
  • 2篇中国科学院

作者

  • 5篇杜国同
  • 5篇刘颖
  • 4篇张晓波
  • 3篇高鼎三
  • 3篇姜秀英
  • 3篇刘素平
  • 2篇康学军
  • 2篇赵永生
  • 2篇高俊华
  • 2篇高洪海
  • 1篇邹峥
  • 1篇殷景志
  • 1篇林世鸣
  • 1篇王红杰
  • 1篇张晓波
  • 1篇赵方海
  • 1篇王洪杰

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇吉林大学自然...
  • 1篇中国激光
  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 3篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1992
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
（100）和（111）BGaAs衬底上的In_（0．14）Ga_（0．86）As／GaAs量子阱的发光特性和光跃迁能量计算
1996年
在（１００）和（１１１）ＢＧａＡｓ衬底上，同时用ＭＯＣＶＤ生长出Ｉｎ０．１４Ｇａ０．８６Ａｓ多量子阱结构．对两种晶向的样品进行了低温（２Ｋ）光致发光谱特性对比研究，测量与理论计算的光发射能量对比表明：（１００）面样品两者一致，而（１１１）Ｂ样品计算值比测量值高出１０～１５ｍｅＶ．这一差别用（１１１）Ｂ面量子阱中的压电效应产生的自建电场引起的发射能量红移作出解释．
张晓波刘颖杜国同殷景志
关键词：GAASINGAAS发光光跃迁
InGaAs量子阱垂直腔面发射激光器
1996年
报道了一种新型的具有ＩｎＧａＡｓ量子阱结构有源区的垂直腔面发射激光器．采用钨丝作为掩膜，通过两次垂直交叉Ｈ＋质子轰击工艺制备器件，初步实现了室温脉冲工作，最低阈值电流达２０ｍＡ，激射波长为９１５ｎｍ。
刘颖杜国同姜秀英刘素平张晓波赵永生高鼎三林世呜高洪海高俊华王洪杰康学军
关键词：INGAAS面发射激光器
分布布拉格反射镜中具有渐变层的垂直腔面发射半导体激光器被引量：1
1996年
报道了分布布拉格反射镜（ＤＢＲ）中具有渐变层的垂直腔面发射激光器的研究结果。器件是采用钨丝掩膜两次质子轰击方法制备的。该方法是目前报道的垂直腔面发射激光器制作方法中最简单的。初步的实验已实现室温宽脉冲高占空比激射，最低阈值为１８ｍＡ，最大峰值功率大于２ｍＷ，激射波长为８７１ｎｍ，串联电阻一般为１００～２００Ω。
刘颖姜秀英刘素平张晓波杜国同
关键词：垂直腔半导体激光器DBR激光器
室温连续的新结构垂直腔面发射半导体激光器被引量：3
1995年
本文报道了室温连续激射的ＧａＡｓ／ＧａＡＩＡＳ新结构垂直腔面发射半导体激光器的最新研究结果．该器件结构是采用钨丝掩膜四次质子轰击方法制备的，这种方法是目前报道的垂直腔面发射激光器制作工艺中最简单的．对于直径１５μｍ的钨丝，器件的最低阈值电流为１７ｍＡ，最大光输出功率达４ｍＷ，微分量子效率高达６５％．
刘颖杜国同姜秀英刘素平张晓波赵永生高鼎三林世鸣康学军高洪海高俊华王红杰
关键词：半导体激光器砷化镓GAALAS激光器
阶梯和窄台衬底激光器的无源波导特性被引量：1
1992年
本文对窄台和阶梯衬底内条形激光器的波导特性进行了理论分析,利用有效折射率方法得到了光场分布结果,计算结果与实验数据符合得较好。
张晓波邹峥刘颖王文赵方海杜国同高鼎三
关键词：半导体激光器波导
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