池晓伟
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
- 供职机构：厦门大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于Ge浓缩技术和O_3氧化制备超薄GOI材料
- 2016年
- 采用锗(Ge)浓缩技术对绝缘层上锗硅(SGOI)材料进行循环氧化、退火,制备出19nm厚的绝缘层上锗(GOI)材料。然后对该GOI材料在400℃下进行O_3氧化,以进一步减薄GOI的厚度。采用高分辨透射电镜(HRTEM)、X射线反射(XRR)和原子力显微镜(AFM)等对样品形貌和结构进行表征。测试结果显示,O_3氧化减薄后的GOI晶体质量得到提高,且表面更加平整(厚度减薄2.5nm,粗糙度RMS降低0.26nm)。通过循环的O_3氧化减薄,可获得高质量的超薄(小于10nm)GOI材料,用于制备超薄高迁移率沟道Ge MOSFET。
- 蓝小凌林光杨池晓伟陆超卢启海李成陈松岩黄巍赖虹凯
- 关键词：O3氧化减薄粗糙度
- NH3等离子体预处理及O3退火降低HfO2/p-Ge界面态
- <正>随着摩尔定律的发展,SiO2作为MOSFET栅氧的厚度已逐渐减小至接近物理极限,导致栅极隧穿漏电流大大增加,严重影响了器件性能的提升。采用高K介质材料,如常用的HfO2,来替换SiO2作为栅氧,可大大降低栅极漏电流...
- 蓝小凌池晓伟林光杨陆超李成陈松岩黄巍
- 文献传递
- 远程等离子体辅助原子层沉积技术制备HfO2薄膜及HfO2/Ge界面性质研究
- 随着器件等比例缩小难度和成本的不断增加，以Si作为沟道材料SiO2作为栅介质的传统CMOS发展接近物理极限，高K介质HfO2栅高迁移率Ge沟道MOSFET成为未来CMOS集成电路技术发展的潜在选择之一。然而metal/H...
- 池晓伟
- 关键词：生长速率
- 一种优化堆叠栅介质与锗界面的方法
- 一种优化堆叠栅介质与锗界面的方法，涉及堆叠栅介质。对Ge衬底进行清洗，去除有机污染物、氧化物和金属杂质等物质；将清洗后的Ge衬底放入原子层沉积系统中，沉积一层Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜，实...
- 李成池晓伟陈松岩黄巍
- 文献传递
