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刘毅

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：深圳大学电子科学与技术学院更多>>
发文基金：深圳市科技计划项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电荷
  • 1篇短沟道
  • 1篇偏压
  • 1篇阈值电压
  • 1篇面电荷
  • 1篇界面电荷
  • 1篇沟道
  • 1篇负偏压温度不...
  • 1篇PMOS器件

机构

  • 1篇深圳大学

作者

  • 1篇孙瑞泽
  • 1篇贺威
  • 1篇曹建民
  • 1篇刘毅
  • 1篇张准

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2016
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
界面电荷位置对短沟道pMOS器件阈值电压的影响被引量：2
2016年
通过二维数值模拟的方法,研究了短沟道器件中不同位置的界面电荷对pMOS器件阈值电压的影响。把pMOS器件栅氧化层等分成不同的区域,随即可以在不同的区域设置不同的界面电荷,从而很好地模拟了器件界面电荷处于不同位置时阈值电压漂移的变化情况,并同时考虑了不同漏极偏置的影响;为了探究其变化机制,还提取和比较了一些特殊情况下器件的表面势。这些研究有助于明确器件哪些位置的界面电荷对阈值电压漂移影响更大,这对深刻理解带漏极偏置的负偏压温度不稳定性效应有一定的帮助和促进。
孙瑞泽刘毅张准贺威曹建民
关键词：负偏压温度不稳定性界面电荷
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