王尘
- 作品数：14 被引量：12H指数：2
- 供职机构：厦门理工学院更多>>
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- 相关领域：电子电信理学建筑科学更多>>
- 一种锗n<Sup>+</Sup>/p浅结的制备方法
- 一种锗n<Sup>+</Sup>/p浅结的制备方法，涉及半导体器件。在p型Ge衬底上生长SiO<Sub>2</Sub>层；在制备好的SiO<Sub>2</Sub>/p-Ge结构上注入磷离子层，再用氢氟酸缓冲溶液中腐蚀，去...
- 李成王尘陈松岩
- 文献传递
- SiO_2/Si衬底上Au纳米颗粒制备的研究被引量：1
- 2016年
- 采用射频磁控溅射结合快速热退火的方法在SiO_2/Si衬底上制备Au纳米颗粒,研究了溅射条件、退火温度对Au纳米颗粒的尺寸及其分布的影响.结果表明,对于溅射后呈现分立且尺寸较小的Au纳米颗粒样品,其具有较好的热稳定性,而对于溅射后Au近似成膜的样品,Au颗粒随着退火温度的升高先减小后增大再减小,认为这是由于退火过程中存在着应力释放与表面能最小化2种竞争机制共同作用的结果;通过降低溅射功率,最终制备得到高密度(1.1×1012 cm-2)、小尺寸(<5nm)的Au纳米颗粒,并有望在金属纳米晶半导体存储器中得到应用.
- 许怡红王尘韩响赖淑妹陈松岩
- 关键词：射频磁控溅射快速热退火
- 高性能Ge n~+/p浅结二极管的制备与应用
- 结合低温预退火（LTPA）和激光退火（ELA）的方法处理注磷p-Ge（100）衬底,研究不同预退火和激光退火条件下对注磷Ge衬底中磷扩散的影响;低温预退火可以有效压制磷在激光退火过程中的扩散;通过优化退火条件,制备得到G...
- 王尘许怡红李成林海军
- 文献传递
- 一种锗中高N型掺杂浅结的方法及其应用
- 本发明公开了一种锗中高N型掺杂浅结的方法及其应用，本发明针对Gen‑MOSFET的源漏金属与锗接触存在强烈的费米钉扎效应以及锗中高激活浓度浅结N型掺杂获得困难的问题，提供了一种同时实现金属锗化物与锗的低比接触电阻率欧姆接...
- 王尘许怡红蔡艺军左石凯陈铖颖李成
- Ge/SiGe异质结构肖特基源漏MOSFET
- 2014年
- 制备了氧化铪(HfO2)高k介质栅Si基Ge/SiGe异质结构肖特基源漏场效应晶体管(SB-MOSFET)器件,研究了n型掺杂Si0.16Ge0.84层对器件特性的影响,分析了n型掺杂SiGe层降低器件关态电流的机理。使用UHV CVD沉积系统,采用低温Ge缓冲层技术进行了材料生长,首先在Si衬底上外延Ge缓冲层,随后生长32 nm Si0.16Ge0.84和12 nm Ge,并生长1 nm Si作为钝化层。使用原子力显微镜和X射线衍射对材料形貌和晶体质量进行表征,在源漏区沉积Ni薄膜并退火形成NiGe/Ge肖特基结,制备的p型沟道肖特基源漏MOSFET,其未掺杂Ge/SiGe异质结构MOSFET器件的空穴有效迁移率比相同工艺条件制备的硅器件的高1.5倍,比传统硅器件空穴有效迁移率提高了80%,掺杂器件的空穴有效迁移率与传统硅器件的相当。
- 张茂添刘冠洲李成王尘黄巍赖虹凯陈松岩
- 关键词：肖特基势垒
- 氧化镓深紫外光电探测器及其制备方法
- 本发明提供一种氧化镓深紫外光电探测器及其制备方法，包括双抛蓝宝石衬底，双抛蓝宝石衬底上镀有掺杂Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜；掺杂Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜上设...
- 连水养王尘范慧晨范伟航
- 金属与半导体Ge欧姆接触制备、性质及其机理分析被引量：2
- 2013年
- 金属与Ge材料接触时界面处存在着强烈的费米钉扎效应,尤其与n型Ge形成的欧姆接触的比接触电阻率高,是制约Si基Ge器件性能的关键因素之一.本文对比了分别采用金属Al和Ni与Si衬底上外延生长的p型Ge和n型Ge材料的接触特性.发现在相同的较高掺杂条件下,NiGe与n型Ge可形成良好的欧姆接触,其比接触电阻率较Al接触降低了一个数量级,掺P浓度为2×1019cm-3时达到1.43×10-5·cm2.NiGe与p型Ge接触和Al接触的比接触电阻率相当,掺B浓度为4.2×1018cm-3时达到1.68×10-5·cm2.NiGe与n型Ge接触和Al电极相比较,在形成NiGe过程中,P杂质在界面处的偏析是其接触电阻率降低的主要原因.采用NiGe作为Ge的接触电极在目前是合适的选择.
- 严光明李成汤梦饶黄诗浩王尘卢卫芳黄巍赖虹凯陈松岩
- 关键词：比接触电阻率
- 锗n+/p浅结及SOI基Ge波导型光电探测器的研制
- Ge由于其在光纤通信波段(1.3～1.55μm)有较大的吸收系数，比Si具有更高的电子和空穴迁移率，与标准CMOS工艺兼容性好等优点，被广泛应用于Si基光电集成和微电子等领域。本文针对Ge器件制备过程中遇到的n型杂质掺杂...
- 王尘
- 关键词：光学传输特性
- 一种电容－电压转换电路
- 本实用新型公开了一种电容－电压转换电路，包括第一运放、两补偿电容、两保持电容、多个开关、第一时钟信号和第二时钟信号；第一运放为一双端输入、双端输出的差分放大器，电容－电压转换电路的两输入端分别通过补偿电容连接到所述第一运...
- 陈思婷陈铖颖余仕湖李伯阳王尘冯平杨可宋长坤
- 文献传递
- 一种可变型多用途微型移动平台
- 本发明提出了一种可变型多用途微型移动平台，包括支撑架，所述支撑架的一端两侧均设置有驱动轮，所述支撑架的另一端两侧均设置有第一从动轮，所述驱动轮与第一从动轮之间连接有第一履带；连接架，所述连接架与支撑架转动连接，所述连接架...
- 左石凯陈铖颖王尘肖雪芳林峰蔡艺军黄新栋
