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王子巍

作品数:11 被引量:0H指数:0
供职机构:清华大学更多>>

文献类型

  • 11篇中文专利

主题

  • 11篇导体
  • 11篇溅射
  • 11篇半导体
  • 11篇半导体结构
  • 10篇溅射沉积
  • 10篇衬底
  • 9篇晶体
  • 6篇氧化物
  • 6篇稀土
  • 6篇稀土氧化物
  • 4篇单晶
  • 4篇氮化
  • 4篇氮化物
  • 4篇化物
  • 3篇石墨
  • 3篇石墨烯
  • 2篇单晶结构
  • 2篇氮化物半导体
  • 2篇金属
  • 1篇半导体器件

机构

  • 11篇清华大学

作者

  • 11篇梁仁荣
  • 11篇王敬
  • 11篇肖磊
  • 11篇王子巍
  • 6篇许军

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 8篇2016
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
半导体结构以及制备半导体结构的方法
本发明提出了半导体结构以及制备半导体结构的方法。具体地,该方法包括:(1)提供衬底;(2)在所述衬底上表面设置石墨烯层;以及(3)在所述石墨烯层的上表面通过溅射沉积,形成第一氮化物半导体层,以便获得所述半导体结构,所述第...
肖磊王子巍王敬梁仁荣
文献传递
半导体结构以及制备半导体结构的方法
本发明提出了半导体结构以及制备半导体结构的方法。具体地,该方法包括:(1)提供衬底,所述衬底为金属;(2)在所述衬底的上表面通过溅射沉积,形成稀土氧化物层;以及(3)在所述稀土氧化物层远离所述衬底的一侧形成半导体层,其中...
肖磊王子巍王敬梁仁荣许军
文献传递
半导体结构以及制备半导体结构的方法
本发明提出了半导体结构以及制备半导体结构的方法。具体地,该方法包括:(1)提供衬底,所述衬底是由玻璃形成的;以及(2)在所述衬底的上表面通过溅射沉积,形成第一氮化物半导体层,以便获得所述半导体结构,其中,所述第一氮化物半...
王子巍肖磊王敬梁仁荣
文献传递
半导体结构、制备半导体结构的方法及其应用
本发明公开了半导体结构、制备半导体结构的方法及其应用。该方法包括:(1)提供衬底,所述衬底的上表面具有单晶结构;以及(2)在所述衬底的上表面通过溅射沉积,形成稀土氧化物类单晶层,以便获得所述半导体结构。由此,可以降低制备...
王子巍肖磊王敬梁仁荣许军
半导体结构以及制备半导体结构的方法
本发明提出了半导体结构以及制备半导体结构的方法。具体地,该方法包括:(1)提供衬底;(2)在所述衬底上表面设置石墨烯层;以及(3)在所述石墨烯层的上表面通过溅射沉积,形成第一氮化物半导体层,以便获得所述半导体结构,所述第...
肖磊王子巍王敬梁仁荣
文献传递
半导体结构以及制备半导体结构的方法
本发明提出了半导体结构以及制备半导体结构的方法。具体地,该方法包括:(1)提供衬底,所述衬底是由金属形成的;以及(2)在所述衬底的上表面通过溅射沉积,形成第一氮化物半导体层,以便获得所述半导体结构,所述第一氮化物半导体层...
肖磊王子巍王敬梁仁荣
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半导体结构、制备半导体结构的方法及其应用
本发明公开了半导体结构、制备半导体结构的方法及其应用。该方法包括:(1)提供衬底,所述衬底的上表面具有单晶结构;以及(2)在所述衬底的上表面通过溅射沉积,形成稀土氧化物类单晶层,以便获得所述半导体结构。由此,可以降低制备...
王子巍肖磊王敬梁仁荣许军
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半导体结构以及制备半导体结构的方法
本发明公开了半导体结构以及制备半导体结构的方法。该方法包括:(1)提供衬底;(2)在所述衬底上表面形成石墨烯层;(3)在所述石墨烯层的上表面通过溅射沉积,形成稀土氧化物层;(4)在所述稀土氧化物类单晶层远离所述衬底的一侧...
王子巍肖磊王敬梁仁荣许军
半导体结构以及制备半导体结构的方法
本发明公开了半导体结构以及制备半导体结构的方法。该方法包括:提供衬底,所述衬底为玻璃;以及(2)在所述衬底的上表面通过溅射沉积,形成稀土氧化物层;以及(3)在所述稀土氧化物层远离所述衬底的一侧形成半导体层,其中,所述稀土...
王子巍肖磊王敬梁仁荣许军
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半导体结构以及制备半导体结构的方法
本发明公开了半导体结构以及制备半导体结构的方法。该方法包括:(1)提供衬底;(2)在所述衬底上表面形成石墨烯层;(3)在所述石墨烯层的上表面通过溅射沉积,形成稀土氧化物层;(4)在所述稀土氧化物类单晶层远离所述衬底的一侧...
王子巍肖磊王敬梁仁荣许军
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共2页<12>
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