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张志利

作品数：24 被引量：5H指数：2
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇专利
  • 3篇会议论文
  • 2篇期刊文章

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 10篇二维电子
  • 10篇二维电子气
  • 10篇HEMT
  • 10篇HEMT器件
  • 9篇增强型
  • 7篇氮化物
  • 7篇半导体
  • 6篇氮化
  • 6篇化物
  • 5篇离子
  • 5篇半导体表面
  • 5篇GAN
  • 5篇MI
  • 4篇电子迁移率
  • 4篇势垒
  • 4篇势垒层
  • 4篇欧姆接触
  • 4篇迁移率
  • 4篇晶体管
  • 4篇高电子迁移率

机构

  • 24篇中国科学院
  • 1篇苏州工业园区...

作者

  • 24篇张宝顺
  • 24篇于国浩
  • 24篇张志利
  • 23篇付凯
  • 23篇蔡勇
  • 20篇宋亮
  • 6篇邓旭光
  • 2篇张晓东
  • 2篇范亚明
  • 1篇李淑萍

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇2014`全...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 4篇2020
  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 7篇2017
  • 5篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
共 24 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
GaN增强型遂穿HEMT及通过自对准实现GaN增强型遂穿HEMT的方法
本发明公开了一种GaN增强型遂穿HEMT及通过自对准实现GaN增强型遂穿HEMT的方法。所述方法包括：在衬底上生长形成主要由第一、第二半导体组成的异质结构，第二半导体形成于第一半导体表面，并具有宽于第一半导体的带隙；在第...
张志利蔡勇张宝顺付凯于国浩孙世闯宋亮邓旭光
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Ⅲ族氮化物HEMT与GaN激光器的集成单片及其制作方法
本发明公开了一种Ⅲ族氮化物HEMT与GaN激光器的集成单片及其制作方法。该集成单片包括集成设置的Ⅲ族氮化物HEMT和GaN激光器，其中GaN激光器包括从下向上依次设置的N型氮化镓层、量子阱结构以及P型氮化镓层等，所述Ⅲ族...
张志利蔡勇张宝顺付凯于国浩孙世闯宋亮
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改善Ⅲ族氮化物MIS-HEMT欧姆接触的方法及MIS-HEMT器件
本发明公开了一种改善III族氮化物MIS‑HEMT欧姆接触的方法及MIS‑HEMT器件。所述方法包括：提供主要由第二半导体和第三半导体组成的异质结构，所述第三半导体分布于第二半导体上，且所述异质结构中形成有二维电子气；在...
李夏珺张宝顺蔡勇于国浩付凯张志利孙世闯宋亮
基于Si衬底的GaN外延结构及其制备方法
本发明属于半导体技术领域，尤其公开了一种基于Si衬底的GaN外延结构，其包括在Si衬底上依次叠层设置的第一AlN缓冲层、层状滑移层、第二AlN缓冲层、Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N缓冲层以...
邓旭光张宝顺蔡勇范亚明付凯于国浩张志利孙世闯宋亮
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改善III族氮化物MIS-HEMT欧姆接触的方法及MIS-HEMT器件
本发明公开了一种改善III族氮化物MIS‑HEMT欧姆接触的方法及MIS‑HEMT器件。所述方法包括：提供主要由第二半导体和第三半导体组成的异质结构，所述第三半导体分布于第二半导体上，且所述异质结构中形成有二维电子气；在...
李夏珺张宝顺蔡勇于国浩付凯张志利孙世闯宋亮
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通过极性控制实现增强型HEMT的方法及增强型HEMT
本发明公开了一种增强型HEMT，包括主要由第一、第二半导体层组成的异质结构和与异质结构连接的源、漏、栅电极；该源、漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，该栅电极分布于源、漏电极之间；分布于栅电极正下方的第一、第二...
张志利蔡勇张宝顺付凯于国浩孙世闯宋亮邓旭光
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降低注入损伤实现增强型HEMT器件的方法及增强型HEMT器件
本发明公开了一种降低注入损伤实现增强型HEMT器件的方法，其包括：至少提供主要由第一、第二半导体组成的异质结构，其中，所述第二半导体形成于第一半导体表面，并具有宽于第一半导体的带隙，且所述异质结构内还分布有二维电子气；以...
于国浩张志利蔡勇张宝顺付凯孙世闯宋亮
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SiNx介质层对AlGaN/GaN HEMT的漏电和转移特性的影响
以AlGaN/GaN HEMT为代表的GaN基功率晶体管由于具有宽带隙、高工作结温、高击穿场强和高电子迁移率等优点,因而在功率开关和射频器件中具有极大的应用前景和市场价值,成为当前功率器件研究的热点.在GaN基功率晶体管...
付凯谭庶欣张志利于国浩蔡勇张宝顺
二次外延P型氮化物实现增强型HEMT的方法及增强型HEMT
本发明公开了一种二次外延P型氮化物实现增强型HEMT的方法及增强型HEMT。该方法包括：提供异质结构，并在所述异质结构上制作源、漏电极，使源、漏电极与异质结构表面形成欧姆接触且还均与异质结构中的二维电子气连接；对异质结构...
于国浩张志利蔡勇张宝顺付凯孙世闯宋亮
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二次外延P型Ⅲ族氮化物实现增强型HEMT的方法及增强型HEMT
本发明公开了一种二次外延P型Ⅲ族氮化物实现增强型HEMT的方法及增强型HEMT。在一实施案例之中，该方法包括：提供主要由Ⅲ族氮化物组成的异质结构，并在所述异质结构上制作表面钝化层和源、漏电极，使源、漏电极与异质结构表面形...
于国浩张志利张宝顺蔡勇付凯孙世闯宋亮
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