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一种花瓣状薄膜型Zn‑Al类气敏材料的制备方法: 本发明提供一种花瓣状薄膜型Zn‑Al类气敏材料的制备方法，制备出的气敏材料是由众多纳米片交错形成的均匀薄膜，纳米片光滑平整，厚度为几十纳米，直径为1μm左右，在纳米片层表面形成了纳米花瓣状结构，比表面积大，对乙醇，甲醇，...; 胡峰王凯歌王雪文翟春雪王爽张繁; 文献传递

一种在Si(100)衬底上制备不同晶相择优生长InN的方法: 本发明公开了一种在Si(100)衬底上制备不同晶相择优生长InN的方法，包括采用磁控溅射法在Si(100)衬底上进行(100)晶相InN、(002)晶相InN及(101)晶相InN的生长；所述的(100)晶相InN为三棱...; 王雪文苏星星吴朝科李婷婷翟春雪赵武张志勇胡峰; 文献传递

纳米Zn-Al-O类材料制备及其气敏特性研究: 在大气环境问题日益严重的今天，气体传感器的研究和制备成为研究的热点，纳米半导体金属氧化物传感器是其中重要的一类，具有制备简单、体积小、低成本等优点。但是单一金属氧化物传感器的灵敏度、选择性仍具有一定的局限性;虽金属掺杂会...; 胡峰; 关键词：纳米复合材料氧化锌退火处理气敏特性; 文献传递

采用磁控溅射法在Si(100)生长InN薄膜及其禁带宽度与拉曼的测试（英文）被引量：1: 2018年; 采用磁控溅射法在Si(100)衬底上生长出高取向性和多种微观形貌的InN薄膜,其中铟作为铟靶,氮气作为氮源。X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)表明所有衍射峰和标准的纤锌矿晶型的InN一致,并且在(101),(100)和(002)方向具有极高的取向度。扫描电子显微镜(SEM)和能带衍射谱表明,在Si(100)衬底上可以生长出高质量的不同微观结构的InN晶体薄膜,尤其是溅射功率为60 W,溅射压强为0.4 Pa时表现为标准的正六边形结构。在室温下并且激发波长为λ=633的拉曼测试表明,可以通过E_2(High)峰计算出InN薄膜的应力,由于微观结构的不同导致应力值也不同,A1(LO)峰值比较低是由于迁移率较高导致。紫外吸收测试可以计算出的能带宽度分别为1.07,1.13,1.32 eV。XRD、SEM、XPS、霍尔效应、紫外吸收和拉曼光谱证明生长出的不同微观结构的薄膜可以适应各种需求的传感器和其他设备。; 王雪文李婷婷苏星星吴朝科翟春雪胡峰张志勇赵武; 关键词：晶体生长磁控溅射禁带宽度

一种在Si(100)衬底上制备不同晶相择优生长InN的方法: 本发明公开了一种在Si(100)衬底上制备不同晶相择优生长InN的方法，包括采用磁控溅射法在Si(100)衬底上进行(100)晶相InN、(002)晶相InN及(101)晶相InN的生长；所述的(100)晶相InN为三棱...; 王雪文苏星星吴朝科李婷婷翟春雪赵武张志勇胡峰; 文献传递

一种花瓣状薄膜型Zn-Al类气敏材料的制备方法: 本发明提供一种花瓣状薄膜型Zn‑Al类气敏材料的制备方法，制备出的气敏材料是由众多纳米片交错形成的均匀薄膜，纳米片光滑平整，厚度为几十纳米，直径为1μm左右，在纳米片层表面形成了纳米花瓣状结构，比表面积大，对乙醇，甲醇，...; 胡峰王凯歌王雪文翟春雪王爽张繁; 文献传递

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胡峰