- 一种在Si(100)衬底上制备不同晶相择优生长InN的方法
- 本发明公开了一种在Si(100)衬底上制备不同晶相择优生长InN的方法，包括采用磁控溅射法在Si(100)衬底上进行(100)晶相InN、(002)晶相InN及(101)晶相InN的生长；所述的(100)晶相InN为三棱...
- 王雪文苏星星吴朝科李婷婷翟春雪赵武张志勇胡峰
- 文献传递
- 采用磁控溅射法在Si(100)生长InN薄膜及其禁带宽度与拉曼的测试（英文）被引量：1
- 2018年
- 采用磁控溅射法在Si(100)衬底上生长出高取向性和多种微观形貌的InN薄膜,其中铟作为铟靶,氮气作为氮源。X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)表明所有衍射峰和标准的纤锌矿晶型的InN一致,并且在(101),(100)和(002)方向具有极高的取向度。扫描电子显微镜(SEM)和能带衍射谱表明,在Si(100)衬底上可以生长出高质量的不同微观结构的InN晶体薄膜,尤其是溅射功率为60 W,溅射压强为0.4 Pa时表现为标准的正六边形结构。在室温下并且激发波长为λ=633的拉曼测试表明,可以通过E_2(High)峰计算出InN薄膜的应力,由于微观结构的不同导致应力值也不同,A1(LO)峰值比较低是由于迁移率较高导致。紫外吸收测试可以计算出的能带宽度分别为1.07,1.13,1.32 eV。XRD、SEM、XPS、霍尔效应、紫外吸收和拉曼光谱证明生长出的不同微观结构的薄膜可以适应各种需求的传感器和其他设备。
- 王雪文李婷婷苏星星吴朝科翟春雪胡峰张志勇赵武
- 关键词：晶体生长磁控溅射禁带宽度
- 一种在Si(100)衬底上制备不同晶相择优生长InN的方法
- 本发明公开了一种在Si(100)衬底上制备不同晶相择优生长InN的方法，包括采用磁控溅射法在Si(100)衬底上进行(100)晶相InN、(002)晶相InN及(101)晶相InN的生长；所述的(100)晶相InN为三棱...
- 王雪文苏星星吴朝科李婷婷翟春雪赵武张志勇胡峰
- 文献传递
- 磁控溅射法制备InxAl1-xN薄膜及其性能测试
- 鉴于InxAl1-xN具有更高的肖特基势垒和更强的自发极化效应，能产生高的二维电子气密度和载流子浓度，成为商用和军用的高功率、高频GaN基器件以及高电子迁移率晶体管的理想材料;而且InxAl1-xN薄膜中In含量的改变使...
- 苏星星
- 关键词：磁控溅射法禁带宽度
- 文献传递
