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陶明

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 7篇绝缘栅
  • 5篇增强型
  • 3篇电子器件
  • 3篇异质结
  • 3篇异质结材料
  • 3篇功率开关
  • 2篇导通
  • 2篇导通电阻
  • 2篇电力
  • 2篇电力电子
  • 2篇电力电子器件
  • 2篇电学
  • 2篇电学特性
  • 2篇电学性能
  • 2篇电压应力
  • 2篇电阻
  • 2篇双脉冲
  • 2篇脉冲
  • 2篇脉冲开关
  • 2篇开关器件

机构

  • 11篇北京大学

作者

  • 11篇王茂俊
  • 11篇陶明
  • 10篇郝一龙
  • 3篇张川
  • 1篇林书勋
  • 1篇沈波
  • 1篇王野
  • 1篇桑飞

年份

  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 4篇2017
  • 3篇2016
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种提高增强型GaN MOS沟道迁移率的器件结构及实现方法
一种提高增强型GaN MOS沟道迁移率的器件结构及实现方法，本发明属于微电子技术领域，涉及GaN基电力电子器件制作。所述结构包括衬底、GaN或AlN缓冲层、InGaN层、GaN层、AlGaN层、掩膜介质层，绝缘栅介质层和...
王茂俊桑飞陶明郝一龙
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一种利用新型势垒层提高GaN增强型沟道迁移率的器件结构及实现方法
本发明公开了一种利用新型势垒层提高GaN增强型沟道迁移率的器件结构及其制作方法，所述结构包括衬底、GaN或AlN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN层插入层、GaN插入层、AlN插入层、AlGaN插入层、掩膜介质层、绝缘栅介...
王茂俊沈波陶明刘少飞郝一龙
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一种减小GaN功率开关器件电流坍塌的器件结构
本发明提供了一种减小GaN功率开关器件电流坍塌的器件结构。所述结构包括Si衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、本征AlGaN层、掩膜介质层、绝缘栅介质层、源、漏、栅金属层以及源极下方的Mg注入层。该结构在衬底上外延生长Al...
王茂俊刘少飞陶明郝一龙
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基于多二维沟道的增强型GaN FinFET
基于多二维沟道的增强型GaN FinFET，本发明属于微电子技术领域，涉及到GaN基电力电子器件的制作。其结构自下而上包括衬底、GaN或AlN缓冲层、多层GaN/AlGaN层、刻蚀掩膜介质层，绝缘栅介质层和栅金属。在衬底...
王茂俊张川陶明郝一龙
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一种提高GaN HEMT钝化效果、降低电流崩塌的表面处理技术
本发明公开了一种提高氮化镓基电子器件表面钝化效果、降低电流崩塌的表面处理技术及实现方法，所述方法主要应用于在氮化镓基电子器件制备中，在常规钝化层淀积之前，利用臭氧、氧等离子体等强氧化剂对氮化镓表面进行氧化，然后再用盐酸去...
王茂俊林书勋陶明郝一龙
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一种提高硅基GaN HEMT关态击穿电压的器件结构及实现方法
本发明公开了一种提高硅基GaN HEMT关态击穿电压的器件结构及其制作方法，所述结构包括硅衬底、碳掺杂GaN或AlN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、绝缘栅介质层、栅电极、介质钝化层、源端肖特基‑欧姆混合电极以及漏...
王茂俊陶明郝一龙
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双脉冲软开关测试法区分GaN HEMT表面及缓冲层电流坍塌
本发明涉及软脉冲开关测试区分表面及缓冲层电流坍塌方法。双脉冲发生器产生双脉冲，合理设置脉冲参数，将电压应力施加在被测试器件上，器件在电学特性上有明显不同变化，根据器件不同电学特性有效区分表面及缓冲层电流坍塌。本发明提供了...
王茂俊陶明张川郝一龙
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基于数字化湿法栅刻蚀技术形成GaN增强型MOSFET及制备方法
基于数字化栅刻蚀技术形成GaN增强型MOSFET及制备方法，本发明涉及宽禁带化合物半导体材料的电力电子器件及高效率功率开关领域。本发明白下而上包括衬底、GaN缓冲层、GaN、AlGaN，腐蚀掩膜介质层和绝缘栅介质层，且在...
王茂俊王野陶明郝一龙
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一种提高GaN增强型MOSFET阈值电压的新型外延层结构
本发明公开了一种提高GaN增强型MOSFET阈值电压的新型外延层结构及基于该结构的器件制备方法，涉及电力电子器件及功率开关领域。新型结构自下而上包括：衬底、GaN缓冲层、本征GaN层、Mg掺杂P型GaN层、GaN沟道层和...
王茂俊陶明
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一种减小GaN功率开关器件电流坍塌的器件结构
本发明提供了一种减小GaN功率开关器件电流坍塌的器件结构。所述结构包括Si衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、本征AlGaN层、掩膜介质层、绝缘栅介质层、源、漏、栅金属层以及源极下方的Mg注入层。该结构在衬底上外延生长Al...
王茂俊刘少飞陶明郝一龙
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